智能手机中的逻辑电平转换方案

　　图1：逻辑电平转换器应用示意图。

　　因此，智能手机等便携产品中的不同IC与外设模块之间存在输入/输出电压失配问题，要使这些器件与模块之间互相通信，需要高效的逻辑电压电平转换。所谓的逻辑电平转换器即连接不同工作电压的IC与模块或印制电路板（PCB），提供系统集成解决方案。

　　传统逻辑电平转换方法及其优缺点

　　表1：传统逻辑电平转换方法及优缺点。

　　由于晶体管-晶体管逻辑（TTL）和互补金属氧化物半导体（CMOS）是逻辑电路中的标准电平，因传统逻辑电平转换方法中，TTL-CMOS输入转换很常见。这种转换方法简单，成本低，主要用于低电平至高电平转换，也能用于转换高电平至低电平。这种转换方法也存在一些缺点。其它传统逻辑电平转换方法还有过压容限（OVT）电压转换、漏极开路（OD）/有源下拉转换和分立I2C转换等，各有其优缺点，参见表1。

　　双电源逻辑电平转换及应用

　　逻辑电平转换中会消耗功率。例如，在低至高电平转换中，为了输出高逻辑电平，输入电压（Vin）低于VCC，电源电流变化（ΔICC）始终较高，因此功耗也较高。为了解决高功耗的问题，可以采用双电源电压（VCCA及VCCB）逻辑电平转换器，在逻辑电源电压（VL）等于Vin时，ΔICC就为0，从而降低功耗。

　　常见双电源逻辑电平转换包括单向转换、带方向控制引脚的双向转换、自动感测双向转换（推挽型输出）及用于漏极开路应用（如I2C）的自动感测双向转换等，结构示意图如图2所示。

　　图2：几种双电源逻辑电平转换器的结构示意图。

　　在这些双电源逻辑电平转换方法中，单向逻辑电平转换的原理就是在输出启用（Output Enable，）为低电平时，提供A点至B点转换；而在输出启用为高电平时，A、B之间呈现高阻态（Hi-Z），通常当作电阻无穷大来处理，相当于没有接通。常见的双电源单向逻辑电平转换器有如安森美半导体的NLSV1T34AMX1TCG、NLSV2T244MUTAG、NLSV4T3234FCT1G、NLSV8T244MUTAG、NLSV22T244MUTAG等。这些双电源单向逻辑电平转换器的应用包括通用输入输出（GPIO）端口、串行外设接口（SPI）端口和通用串行总线（USB）端口等。

　　带方向控制引脚的双向逻辑电平转换器的工作原理是：引脚和方向控制（DIRection，T/）引脚均为低电平时，提供B点至A点转换；引脚为低电平、T/引脚为高电平时，提供A点至B点转换；而在引脚为高电平时，A点至B点方向和B点至A点方向均处于高阻态，相当于没有接通。安森美半导体即将推出带方向控制引脚的双向逻辑电平转换器。这类转换器的常见应用是以字节（byte）访问的存储器及I/O器件。

　　自动感测双向逻辑电平转换器（推挽型输出）的工作原理是：启用（EN）引脚为低电平时，转换器处于待机状态；EN引脚为高电平、I/O电平不变时，转换器处于稳态；EN引脚为高电平、I/O电平变化时，转换器检测到变化，并产生脉冲，I/O藉P沟道MOSFET（PMOS）上拉至更快。典型的自动感测方向双向逻辑电平转换器（推挽型输出）有如安森美半导体的NLSX3012MUTAG、NLSX3013FCT1G、NLSX3013BFCT1G、NLSX4014MUTAG和NLSX3018MUTAG等。这类转换器的常见应用包括通用异步收发器（UART）、USB端口、4线SPI端口和3线SPI端口等。

　　用于漏极开路应用（如I2C）的自动感测双向逻辑电平转换器同样包含3个状态：EN引脚为高电平、NMOS导通时，处于工作状态，输入端I/O电平下拉至地，即输入低电平；EN引脚为高电平、NMOS处于高阻态时，处于工作状态，输出端I/O电平上拉至VCC，即输入高电平；EN引脚为低电平时，转换器处于待机状态。典型的用于漏极开路应用（如I2C）的自动感测双向逻辑电平转换器有如安森美半导体的NLSX4373MUTAG、NLSX4348FCT1G和NSLX4378BFCT1G等。这类转换器的常见应用包括I2C总线、用户识别模块（SIM）卡、单线（1-Wire）总线、显示模块、安全数字输入输出（SDIO）卡等。

　　上述几种双电源逻辑电平转换器中，不带方向控制引脚的自动感测转换器和带方向控制引脚的转换器各有其优劣势。自动感测转换器的优势主要体现在将微控制器的I/O线路减至最少，是用于异步通信的简单方案，劣势则是成本高于及带宽低于带方向控制引脚的转换器。带方向控制引脚的转换器优势是作为大宗商品元件，成本低，是用于存储器映射I/O的简单方案，劣势则是微控制器引脚数量多。

　　而在不带方向控制引脚的自动感测转换器中，也有集成方案（如NLSX3373）与分立方案（如NTZD3154N）之区别。集成方案NLSX3373为单颗IC，估计占用的印制电路板（PCB）空间仅为2.6 mm2；分立方案NTZD3154N采用双MOSFET及4颗01005封装（即0402）的电阻，估计占用的PCB总空间为3.3 mm2。集成方案提供低功率待机模式，而分立方案则不提供高阻抗/待机模式。这两种不同方案的低压工作特性、带宽及电路特性也各不相同。