推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 22:54
英飞凌与中科院物联网研究发展中心达成战略合作
2014年9月24日,上海讯——今日,英飞凌科技亚太私人有限公司宣布,与总部位于中国无锡的中科院物联网研究发展中心签署战略合作协议,双方将建立长期、全面的战略合作伙伴关系,充分利用各自的战略资源、优质渠道和核心能力,协力开发物联网相关技术和产品,开展物联网示范工程。
2014年是物联网产业的大爆发之年。在国家政策的大力扶持下,中国物联网已初步形成了完整的产业体系,具备了一定的技术、产业和应用基础。根据赛迪顾问预测,到2015年,中国物联网整体市场规模将达到7,500亿元,年复合增长率约30%,市场前景巨大。 英飞凌作为创新技术的引领者和物联网的践行者,长期致力于在中国推动和提升半导体技术的发展,一如既往地
[物联网]
CH-038高速大容量IGBT驱动器件集成电路
摘要: GH-038是日本三社电机制作所推出的高速大容量IGBT驱动器,文中给出了它的引脚排列、名称、功能和用法,并列出了它们的主要设计特点和参数限制,剖析了它的内部结构和工作原理,最后给出了GH-038的典型接线方法和应用注意事项。
关键词: 驱动器
高速大容量 IGBT GH-038
GH-038是日本三社电机制作所推出的高速大容量IGBT驱动器。它内置高速光耦,可实现输入、输出间的隔离,采用高密度集成电路封装,单一电源工作,不需要输入级限流电阻,可直接驱动300A、600V以内的功率IGBT模块。
1 引脚排列及功能
GH-038采用8脚封装,对外引出6个引
[半导体设计/制造]
英飞凌推出“Sharkey”智能腕表和腕带提供增强型NFC安全元件
我们在安全和非接触式领域的技术专长。30多年来,英飞凌一直在提供安全解决方案,用以保护用户的数字化数据。不仅如此,我们坚定地致力于将这些技术专长应用于物联网中的智能应用,以支持可持续的新的沟通和生活方式。”
除提供安全和智能卡功能之外,英飞凌增强型NFC安全元件已针对超小NFC天线而改良,比之常规解决方案,其占板空间缩小了至少80%,因而是适用于智能穿戴设备的完美解决方案。
Watchdata Technologies分管国际业务的副总裁Jack Pan指出:“英飞凌提供的安全元件可以被无缝集成到我们的智能穿戴设备中,同时提供尖端的安全功能和卓越的非接触式性能。”Watchdata Technologies在50多个国家为
[嵌入式]
IGBT在客车系统逆变器中的应用与保护
核心内容:
IGBT在DC600V中的应用
过压和欠压保护
过热保护 应用方法:
减小主电路的布线电感
增加的缓冲二极管的缓冲电阻
在散热器上安装温度开关,过热保护
IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(InsulatedGateBipolarTransistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。 图1所示为N沟道增强型垂直式IGBT单元结构,IGBT采用沟槽结构,以减少通态压降,改善其频率特性。并采用NFT技术实现IGBT的大功率。I
[模拟电子]
英飞凌 EiceDRIVERTM 系列新增 Compact 类别
2013 年6月13日,德国Neubiberg 讯——在下周举行的 PCIM 2013 功率电子贸易展中,英飞凌科技股份有限公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 将展示全新的2EDL EiceDRIVERTMCompact半桥闸极驱动器,该产品适用于阻断电压为600伏的应用。由于配备了极快速的阴极负载二极管和电阻器,元件可在极其紧凑的结构中实现高效率。因此,它是节省装置空间的理想元件,适用于消费类电子产品以及家电。它还适用于风机、泵、发动机和叉车。这一全新的驱动器集成电路系列专为与最新的CoolMOSTM 世代产品等功率半导体一同使用而设计,它可以改进开关特性,从而降低多种功率应用中的能量损失。
“Compac
[电源管理]
英飞凌推出新款高能效IPOL DC-DC降压稳压电源模块
这些电源模块配备有集成的电感元件,将助力客户实现更精简的设计同时节省系统空间 【2022年7月20日,德国慕尼黑讯】当前,服务器、通信和网络存储应用都在尽最大努力降低功耗和缩减解决方案的尺寸。与此同时,瞬息万变的市场也要求系统解决方案提供商比以往更快地满足市场需求。有鉴于此,英飞凌科技股份公司推出了高效、可靠的DC-DC降压转换器模块,进一步壮大其POL(负载电源)模块的产品阵容。这些模块对于希望借助紧凑、完全集成和易于设计的POL产品来帮助他们加快新产品上市的系统设计师而言,是理想的选择。它们主要面向空间和散热条件受限的应用,例如电信和数据通信应用、服务器以及网络存储等应用。 3D IPOL TDM3883 TD
[电源管理]
英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET
【2022年2月15日,德国慕尼黑讯】高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此,英飞凌科技股份公司 推出了新一代OptiMOS™ 源极底置(Source-Down,简称SD)功率MOSFET,为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。该功率MOSFET采用PQFN 封装,尺寸为3.3 x 3.3 mm2,支持从25 V到100 V的宽电压范围。此种封装可实现更高的效率、更高的功率密度以及业内领先的热性能指标,并降低BOM成本,在功率MOSFET的性能方面树立了新的行业标杆。该器件的应用领域十分广泛,涵盖电机驱动,适用于服务器、电信和OR-ing的SMPS,以及电池管理系统等。 与传统的漏极
[电源管理]
英飞凌HUD方案设计显示技术分析
这是 英飞凌 做的一份HUD介绍,拿过来给大家做一些 科普 。 在不断演进的汽车科技领域,抬头显示(HUD)和增强现实抬头显示(AR HUD)已经成为引人瞩目的创新。英飞凌为未来汽车的HUD技术提供了先进的解决方案,本文根据英飞凌的HUD方案来做一些梳理。 ● 什么是HUD/AR HUD? AR HUD,或增强现实抬头显示器,是一种先进的汽车显示技术,关键特征: ◎ 视场角(FOV)大于10°x4° ◎ 视觉 信息 距离(VID)大于10米。 目标是将重要的信息以非干扰的方式投影到驾驶员的视野中,以提高驾驶安全性和便捷性。 传统HUD(Classic HUD)(目前): ◎ 基于 TF T/LCD
[汽车电子]