ROHM成为首家量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

导通电阻大大降低，有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化

半导体制造商ROHM近日于世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。

另外，此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品，目前已建立起了完备的功率模块产品的量产体制。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县），后期工序的生产基地为ROHM总部工厂（日本京都市）。今后计划还将逐步扩充产品阵容。

＜背景＞

近年来，在全球范围寻求解决供电问题的大背景下，涉及到如何有效地输送并利用所发电力的“功率转换”备受关注。SiC功率器件作为可显著减少这种功率转换时的损耗的关键器件而备受瞩目。ROHM一直在进行领先行业的相关产品研发，于2010年成功实现SiC MOSFET的量产，并在持续推进可进一步降低功率损耗的元器件开发。

京都大学工学研究科电子工学专业木本恒畅教授表示：“Si（硅）材料已经接近其理论性能极限。对此，ROHM公司率先发力采用可实现高耐压、低损耗（高效率）的SiC（碳化硅：Silicon carbide）材料的SiC功率器件，一直在推进领先全球的开发与量产。

此次，采用可最大限度发挥SiC特性的沟槽结构的SiC-MOSFET在全球率先实现量产，其成功意义非常巨大，是划时代的里程碑。该SiC-MOSFET是兼备极其优异的低损耗特性与高速开关特性的最高性能的功率晶体管，功率转换时的效率更高，可“毫无浪费”地用电，其量产将为太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源等所有设备进一步实现节能化、小型化、轻量化做出贡献。”

＜特点＞

1.采用沟槽结构，实现低导通电阻功率器件

到目前为止，沟槽结构因在SiC-MOSFET中采用可有效降低导通电阻而备受关注，但为了确保元器件的长期可靠性，需要设计能够缓和Gate Trench部分产生的电场的结构。

此次，ROHM通过采用独创的结构，成功地解决了该课题，并世界首家实现了采用沟槽结构的SiC-MOSFET的量产。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，导通电阻可降低约50%，同时还提高了开关性能（输入电容降低约35%）。

2.“全SiC”功率模块拓展

ROHM又开发出采用此次开发的沟槽结构SiC-MOSFET的“全SiC”功率模块。

该产品内部电路为2in1结构，采用SiC-MOSFET及SiC-SBD，额定电压1200V，额定电流180A。

与同等水平额定电流的Si-IGBT模块产品相比，其显著优势当然不必言说，即使与使用平面型SiC-MOSFET的“全SiC”模块相比，其开关损耗也降低了约42%。

＜产品阵容＞

・“全SiC”功率模块

・分立产品

ROHM将依次展开额定电压650V、1200V各3款产品的开发。额定电流将继续开发118A（650V）、95A（1200V）的产品。

＜术语解说＞

・MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的简称)

金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最被普遍使用的结构。

作为开关元件使用。

・沟槽式结构

沟槽（Trench）意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽，在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻，比平面结构更容易实现微细化，因此有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。

关键字：ROHM MOSFET SiC 编辑：冀凯引用地址：ROHM成为首家量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

上一篇：意法半导体新款1200V IGBT是业内性能最好的低频晶体管
下一篇：GaN Systems首次于中国亮相市场上电流能力最高的器件60A GaN

推荐阅读最新更新时间：2023-10-12 22:54

业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ

SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直流母线电压。且领先于900V超结Si基MOSFET技术，扩大了终端系统的功率范围，在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on)，大大减小了热管理系统的尺寸，很好地解决了散热及显著降额的问题。与目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平台为电源转换设计者提供了更多的创新空间，方便实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源设计方案。这也是新一代电力转换系统与硅成本平价的解决方案。世强代理的

[电源管理]

Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs 中国北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。这也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 产品 TOLL 封装系列中的首发产品，其导通电阻范围从 5.4 mΩ 到 60 mΩ。这些器件非常适用于空间极其有限的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达 100A 的固态继电器和断路器。有助于帮助客户减小体积尺寸，

[电源管理]

Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V <font color='red'>SiC</font> FETs

罗姆：用半导体技术引领物联网时代向前

一年一度的CEATEC JAPAN 2018近期在日本幕张国际会议中心盛大开幕，来自全球600余家企业围绕物联网、AI两大热门主题同台竞技，秀出了当今最先进的技术及最热门的应用。全球知名半导体制造商罗姆此次CEATEC上以“Move Forward！WITH OUR SEMICONDUCTORS”为主题，重点展示了其在车载及工业领域的尖端技术及应用，同时其产品 “小型化、轻量化、节能、高效化”的优异性能也成为展会一大亮点。请随我一同去饱眼福吧！罗姆站台前人头攒动模拟驾驶舱中的罗姆汽车电子技术随着EV化、自动驾驶、动力系统电动化进程的日益加速，人们对汽车安全性、

[物联网]

东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块

东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备中国上海，2022年1月27日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅（Si）IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备

[电源管理]

东芝推出全新1200V和1700V<font color='red'>碳化硅</font><font color='red'>MOSFET</font>模块

ST主导的LAST POWER项目：确立SiC二极管和GaN HEMT量产技术

由意法半导体（ST）担任协调者的欧洲SiC/GaN功率半导体开发项目“LAST POWER（Large Area silicon-carbide Substrates and heTeroepitaxial GaN for POWER device applications）”公布了自2010年4月启动以来3年内取得的开发成果。 LAST POWER是由欧洲纳米科技倡议咨询委员会联合工作组(European Nanoelectronics Initiative Advisory Council Joint Undertaking，UENIAC JU）于2010年4月启动的功率电子开发项目，由从事SiC及GaN等宽禁带半

[半导体设计/制造]

国产碳化硅新军诞生—露笑科技

8月4日晚间，露笑科技发布公告称，全资子公司内蒙古露笑蓝宝石近日与国宏中宇科技发展有限公司签订了《碳化硅长晶成套设备定制合同》，内蒙古露笑蓝宝石将为国宏中宇提供80套碳化硅长晶炉成套设备，该合同总金额约1.26亿元人民币。根据合同显示，此次内蒙古露笑蓝宝石为国宏中宇提供的碳化硅长晶炉成套设备将分批制造。露笑科技董秘李陈涛在接收《证券日报》记者采访时表示，露笑科技在研发蓝宝石长晶炉时的经验以及相关技术和人才储备，能够为公司研发和生产碳化硅长晶炉提供巨大的帮助和技术支持，这将是公司产业升级转型的大好时机。盈利能力回升产业转型新蓝海中寻突破数据显示，2018年露笑科技共实现营业收入

[半导体设计/制造]

ROHM旗下蓝碧石半导体开发出1Mbit FeRAM“MR45V100A / MR44V100A”

＜概要＞ ROHM集团旗下蓝碧石半导体面向需要高速高频率的日志数据获取和紧急时高速数据备份的智能仪表/计量设备/医疗设备/金融终端等，开发出1Mbit铁电存储器（以下简称“FeRAM”注1）“MR45V100A / MR44V100A”，并即将于2017年12月开始量产销售。 “MR45V100A”作为SPI注2总线产品，在1.8V～3.6V的宽电源电压范围内均实现40MHz的高速工作。这使得该款产品作为大容量的1Mbit FeRAM，在诸如不稳定的电源环境下的电压急剧下降时也可高速稳定工作，其高速数据备份功能有助于提高配套应用的可靠性。而“MR44V100A”作为不同的串行总线I2C注3总线产品，则非常适用于不需要

[半导体设计/制造]

IR推出IRF6718 DirectFET MOSFET

IR 25V IRF6718采用新款大罐式DirectFET封装，为动态ORing和热插拔应用提供最低通态电阻。全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on))，并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。 IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，提供极低的通态电阻（在10V Vgs时典型为0.5mΩ），同时比D2PAK的占位面积缩小60%，高度缩小85%。新器件大幅减少了

[模拟电子]

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播

热门活动

换一批

■报名直播赢【双肩包、京东卡、水杯】| 高可靠性IGBT的新选择——安世半导体650V IGBT

■免费申请 | 上百份MPS MIE模块，免费试用还有礼！

■PI 电源小课堂|无 DC-DC 变换实现多路高精度输出反激电源

■2024 瑞萨电子MCU/MPU工业技术研讨会——深圳、上海站，火热报名中

Vishay线上图书馆

白皮书技术文章视频热门推荐