摘要:一摸电源模块的表面,热乎乎的,模块坏了?!且慢,有一点发热,仅仅只是因为它正努力地工作着。但高温对电源模块的可靠性影响极其大!我们须致力于做好热设计,减小电源表面和内部器件的温升。这一次,我们扒一扒电源模块的热设计。
高温对功率密度高的电源模块的可靠性影响极其大。高温会导致电解电容的寿命降低,变压器漆包线的绝缘特性降低,晶体管损坏,材料热老化,焊点脱落等现象。有统计资料表明,电子元件温度每升高2℃,可靠性下降10%。
对于电源模块的热设计,它包括两个层面:降低损耗和改善散热条件。
一、元器件的损耗
损耗是产生热量的直接原因,降低损耗是降低发热的根本。市面上有些厂家把发热元件包在模块内部,使得热量散不出去,这种方法有点自欺欺人。降低内部发热元件的损耗和温升才是硬道理。
电源模块热设计的关键器件一般有:MOS管、二极管、变压器、功率电感、限流电阻等。其损耗如下:
1、 MOS管的损耗:导通损耗、开关损耗(开通损耗和关断损耗);
2、 整流二极管的损耗:正向导通损耗;
3、 变压器、功率电感:铁损和铜损;
4、 无源器件(电阻、电容等):欧姆热损耗。
二、热设计
在设计的初期,方案选择、元器件选择、PCB设计等方面都要考虑到热设计。
1、方案的选择
方案会直接影响到整体损耗和整体温升的程度。
2、元器件的选择
元器件的选择不仅需要考虑电应力,还要考虑热应力,并留有一定降额余量。降额等级可以参考《国家军用标准——元器件降额准则GJB/Z35-93》,该标准对各类元器件的各等级降额余量作了规定。设计一个稳定可靠的电源,实在不能任性,必须好好照着各元件的性子,设计、降额、验证。图 1为一些元件降额曲线,随着表面温度增加,其额定功率会有所降低。
图1 降额曲线
元器件的封装对器件的温升有很大的影响。如由于工艺的差异,DFN封装的MOS管比DPAK(TO252)封装的MOS管更容易散热。前者在同样的损耗条件下,温升会比较小。一般封装越大的电阻,其额定功率也会越大,在同样的损耗的条件下,表面温升会比较小。
设计中,要评估的电阻一般有MOS管的限流检测电阻、MOS管的驱动电阻等。限流电阻一般使用1206或更大的封装,多个并联使用。驱动电阻的损耗也需要考虑,否则可能导致温升过高。
有时,电路参数和性能看似正常,但实际上隐藏很大的问题。如图 2所示,某电路基本性能没有问题,但在常温下,用红外热成像仪一测,不得了了,MOS管的驱动电阻表面温度居然达到95.2℃。长期工作或高温环境下,极易出现电阻烧坏、模块损坏的问题。可见,研发过程中使用热成像仪测试元器件的温度尤其重要,可及时发现并定位问题点。通过调整电路参数,降低电阻的欧姆热损耗,且将电阻封装由0603改成0805,大大降低了表面温度。
图2驱动电阻表面温度
3、PCB设计
PCB的铜皮面积、铜皮厚度、板材材质、PCB层数都影响到模块的散热。常用的板材FR4(环氧树脂)是很好的导热材料,PCB上元器件的热量可以通过PCB散热。特殊应用情况下,也有采用铝基板或陶瓷基板等热阻更小的板材。
PCB的布局布线也要考虑到模块的散热:
(1) 发热量大的元件要避免扎堆布局,不要哪里“热”闹,就往哪里凑,尽量保持板面热量均匀分布;
(2) 热敏感的元件尤其应该“哪边凉快哪边去”;
(3) 必要时采用多层PCB;
(4) 功率元件背面敷铜平面散热,并用“热孔”将热量从PCB的一面传到另一面。热孔的孔径应很小,大约0.3mm左右,热孔的间距一般为1mm~1.2mm。功率元件背面敷铜平面加热孔的方法,可以起到很好的散热效果,降低功率元件的表面温升。如图 3所示,上面两图为没有采用此方法时,MOS管表面温度和背面PCB的温度;下面两图为采用“背面敷铜平面加热孔”方法后,MOS管表面温度和背面铜平面的温度。可以看出:
a) MOS管表面温度由98.0℃降低了22.5℃;
b) MOS管与背面的铜平面的温差大大减小,热孔的传热性能良好。
图3 背面敷铜加热孔的散热效果
热设计时,还须注意:
1、 对于宽压输入的电源模块,高压输入和低压输入的发热点和热量分布完全不同,需全面评估。短路保护时的发热点和热量分布也要评估。
2、 在灌封类电源模块中,灌封胶是一种良好的导热的材料。模块内部元件的表面温升会进一步降低。即便如此,我们仍要测试高温环境下内部元件的表面温升,来确保模块的可靠性。那怎么才能测试准确地测试内部元件的温升呢?请查阅《ZLG是如何测试电源模块内部的温升的!》一文,文中有详细的描述。
上一篇:电源外围保外围应用电路
下一篇:RS推71mm高固态继电器提升空间受限应用场景的信道容量
推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 22:55
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- 非常见问题解答第223期:如何在没有软启动方程的情况下测量和确定软启动时序?
- Vicor高性能电源模块助力低空航空电子设备和 EVTOL的发展
- Bourns 推出两款厚膜电阻系列,具备高功率耗散能力, 采用紧凑型 TO-220 和 DPAK 封装设计
- Bourns 全新高脉冲制动电阻系列问世,展现卓越能量消散能力
- Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器,进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率
- 英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
- Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
- 强茂SGT MOSFET第一代系列:创新槽沟技术 车规级60 V N通道 突破车用电子的高效表现
- 面向车载应用的 DC/DC 电源
- 非常见问题解答第223期:如何在没有软启动方程的情况下测量和确定软启动时序?
- 兆易创新GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash荣获ISO 26262 ASIL D功能安全认证证书
- 新型IsoVu™ 隔离电流探头:为电流测量带来全新维度
- 英飞凌推出简化电机控制开发的ModusToolbox™电机套件
- 意法半导体IO-Link执行器电路板为工业监控和设备厂商带来一站式参考设计
- Melexis采用无磁芯技术缩小电流感测装置尺寸
- 千丘智能侍淳博:用数字疗法,点亮“孤独症”儿童的光
- 数药智能冯尚:ADHD数字疗法正为儿童“多动症”提供更有效便捷服务
- Vicor高性能电源模块助力低空航空电子设备和 EVTOL的发展
- 创实技术electronica 2024首秀:加速国内分销商海外拓展之路