Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能-电子工程世界

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美国加州圣何塞 – 2016 年 3月22日 —全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能够使需要100V MOSFET的电源、电机驱动和其他应用极大地提升效率、降低电压振铃并减弱电磁干扰（EMI）。

近25年前，Fairchild曾率先在PowerTrench MOSFET上取得了成功。新一代PowerTrench产品将会让我们继续处于MOSFET技术研发的最前沿，领先于竞争对手，并满足客户严苛的要求。

Fairchild副总裁兼iFET业务部门总经理Suman Narayan表示：“相对于此前产品，我们的新型100V N沟道FET已取得巨大进步。从能效到可靠性，新一代PowerTrench MOSFET系列产品在各个性能类别的表现几乎都优于竞争对手，堪称行业领先。”

新型FDMS86181的主要优点分别为：Rdson减少了40%，从而降低了导通损耗；最大程度降低栅极电荷（Qg），从而减少了开关损耗。FDMS86181极低的反向恢复电荷（Qrr）几乎消除了产生振铃的电压过冲隐患，这就允许在产品设计时少用或者不用缓冲器并降低电磁干扰（EMI）。利用FDMS86181的这一独特优势，设计人员不但减小了产品的尺寸，同时还降低了物料（BOM）成本。

关键字：电压损耗电磁编辑：王凯引用地址：Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

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