ST新的MOSFET晶体管技术/封装解决方案重新定义功率能效-电子工程世界

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中国，2016年5月11日 —— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET为低压电源设计人员提高计算机、电信网络、工业、消费电子产品的能效创造新的机会。

全世界的人都在获取、保存、分享大量的电子书、视频、相片和音乐文件，数据使用量连续快速增长，运行云计算技术的服务器集群、互联互通的电信网络、数据用户终端设备的耗电量也随之越来越高，人们对这些设备能耗最小化的需求越来越多。为应对这一挑战，意法半导体整合最先进的功率晶体结构和尺寸紧凑且高热效率的PowerFLAT 8x8 HV封装技术，推出世界上功率密度最好的功率晶体管解决方案。

意法半导体的新系列功率晶体管产品包括集成快速恢复二极管、击穿电压650V的各种超结功率MOSFET。包括低栅电荷量、低输入电容、低输入电阻、内部二极管的快速恢复、极低的恢复电荷量(Qrr)、极短的恢复时间(Trr)和业内最好的软开关性能在内的技术参数让新产品领先于竞争对手。

意法半导体的新MDmeshTM DM2 功率MOSFET目前有多种封装/击穿电压组合。

关键字：功率能耗二极管编辑：王凯引用地址：ST新的MOSFET晶体管技术/封装解决方案重新定义功率能效

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