东芝推出具备50V额定输出和8通道漏型输出的晶体管阵列-电子工程世界

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东京—东芝公司（TOKYO：6502）旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布，将启动新一代晶体管阵列“TBD62183AFNG”和“TBD62183AFWG”的样品出货，该系列产品搭载适用于多种应用的DMOS FET[1] 型漏型输出[2]，包括光电耦合器控制、LED照明、继电器驱动和电平位移器。

批量生产计划于2016年9月底启动。

这些新产品实现30V额定输入和50V额定输出的高压驱动，适用于各种电平位移器，并且可通过高压控制信号直接控制光电耦合器、LED和继电器。其将8通道漏型输出集成到小型表面贴装型封装（SSOP18和SOL18）中，在实现多电路控制的同时节省了空间。

新产品采用DMOS FET型输出，输入引脚无需基极电流，可实现低输入电流操作（0.1mA（最大值））[3]和低功耗。它们还具有与达林顿双极型晶体管饱和电压（Vce （sat））属性类似的输出特性，因此可用于替代东芝TD62083A系列的现有双极型晶体管。

新产品的主要特性

高压驱动

绝对最大额定输入为30V，额定输出为50V。通过电平位移器和高压控制信号实现直接控制。

输入电流减少

实现低输入电流（0.1mA（最大值））操作和低功耗。

满足各种需求的封装

该系列产品包括支持表面贴装的SOL型封装以及节省空间的小型SSOP（0.65mm脚距）封装。

应用场合

游乐设备（弹球盘和老虎机）、家用电器（空调和冰箱）及工业设备（自动售货机、ATM等银行终端、办公室自动设备和工厂自动化设备）

与现有产品相比

	现有产品 TD62083AFNG/FG ULN2803AFWG	新一代产品 TBD62083AFNG/FWG	新一代产品 TBD62183AFNG/FWG
工艺	双极工艺	130nm BiCD工艺未来标准技术
引脚分配	相同引脚分配
功能	相同功能
额定输入	30V	30V
输入电流	1.35mA（最大值）@V_IN=3.85V	0.1mA（最大值）@V_IN=3V
输出结构	双极型晶体管	DMOS FET
额定输出	50V/0.5A	50V/0.5A	50V/0.05A
输出特性	V_ce_（sat）=0.8V@I_OUT=45mA 达林顿双极型晶体管特性	V_OUT=0.1V@I_OUT=45mA 高效驱动	V_OUT=1.0V@I_OUT=45mA 类似于达林顿双极型晶体管V_ce_（sat）的特性
封装	FNG型： SSOP18 FG型： SOP18 FWG型： SOL18	FNG型： SSOP18 FWG型： SOL18

产品阵容

产品名称		输出类型	输出通道	额定输出	普通二极管	封装	批量生产	对应的现有产品
TBD62183A	FNG	漏型输出	8通道	50V 50mA	内置	SSOP18	2016年9月底	TD62083AFNG
	FWG					SOL18		TD62083AFG ULN2803AFWG

注1：DMOS FET：双扩散型MOSFET

关键字：东芝晶体管编辑：刘燚引用地址：东芝推出具备50V额定输出和8通道漏型输出的晶体管阵列

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