借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小工业元件占位面积-电子工程世界

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近日在中国深圳，我遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“您碰巧在设计中用过60V的负载开关吗？”我问。他说用过，并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形晶体管(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，您有遇到过空间受限的问题吗？”我问。他确实碰到过，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面积仅为1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) （参见图1），是专为诸如信息娱乐系统等空间受限的应用情况设计的。

图1：CSD18541F5l平面网格数组封装

相比您的那些家用电器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封装（参见图2），新型MOSFET的尺寸约有其六分之一。这意味着，新型MOSFET不仅RDS(ON)导通电阻更小，其封装尺寸也比传统MOSFET小75%。

图2：传统SOT-23封装，旁边是CSD18541F5LGA封装

与这位工程师做了一些快速计算，我们的结论是如果每个电路板用10个元件，他就能节省大约55mm2占位面积——大多数的工程师通常事后才会想到这节省的是不小的空间。那么焊盘间距情况如何呢？幸运的是，这个微型LGA封装在设计中同样考虑了工业客户的需求，他们一致认为0.5mm是两个焊盘之间的首选最小间距。

如今，我在工业市场遇见的每个人，无论是从事生产电源、电池保护装置还是电动工具的，几乎都对更小尺寸或更高性能（或兼具两个特点）的负载开关颇有兴趣。

因此，如果您的工业设计需要使用不少SOT-23或更大的负载开关，请考虑选择TI新型的CSD18541F5 MOSFET。相信我，您的PCB占位面积会也会对您感激不尽。

关键字：晶体管电阻编辑：王凯引用地址：借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小工业元件占位面积

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