EPC eGaN®技术在性能及成本上实现质的飞跃

EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET），对比前一代的产品，这些晶体管的尺寸减半，而且性能显著提升。

全球增强型氮化镓晶体管供应商，致力于开发创新的硅基功率场效应晶体管（eGaN FET）及集成电路的宜普电源转换公司（EPC）宣布推出全新的EPC2045（7  mΩ、100 V）及EPC2047（10 mΩ、200 V）晶体管，在提升产品性能之同时也可以降低成本。100 V的EPC2045应用于开放式伺服器架构以实现48 V至负载的单级电源转换、负载点（POL）转换器、USB-C及激光雷达（LiDAR）等应用。200 V 的EPC2047的应用例子包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器。

100 V、7 mΩ的EPC2045在性能/成本上继续扩大与等效硅基功率MOSFET的绩效差距。与前一代EPC2001C eGaN FET相比， EPC2045的芯片尺寸减半。而200 V、10 mΩ的EPC2047eGaN FET的尺寸也是减半，如果与等效硅基MOSFET相比，它的尺寸减小达15倍。

设计师现在可以同时实现更小型化和性能更高的器件！ eGaN产品采用芯片级封装，比MOSFET使用塑胶封装可以更有效地散热，这是由于使用芯片级封装的器件可以直接把热量传递至环境，而MOSFET芯片的热量则聚集在塑胶封装内。

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow称：「我们非常高兴利用创新的氮化镓技术，开发出这些正在改变半导体行业发展的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。」Alex继续说道:「面向目前采用MOSFET技术的各种应用，这些全新eGaN产品展示出EPC及其氮化镓晶体管技术如何提升产品的性能之同时能够降价。此外，我们将继续发展氮化镓技术以推动全新硅基器件所不能够支持的最终用户应用的出现。这些全新晶体管也印证了氮化镓与MOSFET技术在性能及成本方面的绩效差距正在逐渐扩大。」 

此外，我们也为工程师提供3块开发板以帮助工程师易于对EPC2045及EPC2047的性能进行评估，包括内含100 V的EPC2045晶体管的开发板（EPC9078及EPC9080）和内含200 V的EPC2047的开发板（EPC9081）。

eGaN产品的发展进入“良性循环”（virtuous cycle）的轨度

氮化镓工艺所具备的优势是氮化镓器件比等效硅基器件具备低很多的电容，因此可以在更高频、相同的阻抗及额定电压下，实现更低的栅极驱动损耗及更低的开关损耗。与最好的等效MOSFET相比，EPC2045工作在48 V–5 V电源转换、500 kHz开关频率时，功耗降低30%及效率提升2.5%。

与硅基MOSFET相反的是，eGaN FET虽然小型很多，但它的开关性能更高，代表eGaN产品的前景是该技术进入“良性循环”的轨度，预期氮化镓器件将会继续小型化而其性能可以更高。

我们看到这些全新产品在性能、尺寸及成本上的改进是由于利用了创新的方法，当击穿时在漏极区域减弱电场并且同时大大减少陷阱，使之所俘获的电子减少。