日本启动运用GaN及SiC的功率电子新研究

近日， 科锐 宣布与 德尔福科技 （Delphi Technologies PLC）开展汽车碳化硅（ SiC ）器件合作。 科锐 是碳化硅（ SiC ）半导体全球领先企业， 德尔福科技 是汽车动力推进技术全球供应商，双方的此次合作将通过采用碳化硅（ SiC ）半导体器件技术，为未来电动汽车（EV）提供更快、更小、更轻、更强劲的电子系统。 科锐 碳化硅（SiC）基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术与 德尔福科技 的牵引驱动逆变器、DC/DC转换器和充电器技术的结合，将助力电动汽车（EV）提高行驶里程和实现更快充电时间，同时还将减轻重量、节约空间、降低成本。科锐碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS

2011年 10月11日，北京讯—碳化硅功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 继续其在碳化硅功率器件向主流功率应用的推广。与硅功率器件相比，科锐先进的碳化硅技术可降低系统成本、提高可靠性，并为能源效率建立新的标准。科锐公司最新推出的1200V Z-Rec™ 碳化硅肖特基二极管产品均采用行业标准的TO-252 D-Pak表面贴装封装，提供额定电流分别为2A，5A，8A 和 10A的表面贴装器件。科锐公司是目前世界上首家提供使用D-Pak表面贴装封装的可应用于全范围额定电流的商用1200V碳化硅肖特基二极管制造商。如太阳能微型逆变器等系统设计人员现在能拥有更多的选择来研发出更小、更轻以及成本更低的电源转换电路。新型

据外媒报道，功率电子器件技术领导者Eggtronic宣布，推出混合无线交流电源专利技术E2WATT，可同时作为交流电源和高速无线传输系统中的发射器，从而确保能量效率和能量传输距离，但其成本低于传统无线技术。 （图片来源：eetimes） 传统Qi无线设备的传输距离通常为5mm，最大传输功率通常最高为30W。E2WATT技术可在超过其6倍的距离（可达40mm）内，提供高达300W的功率，这是电感标准的真正突破。 Eggtronic首席执行官兼创始人Igor Spinella表示，E2WATT专有技术由GaN半桥和dsPIC33微控制器支持，将传统电源适配器和Qi无线发射器结合在一起，从而提高效率。 E2WATTⓇ无

新产品能够为表面贴装型功率系统设计提供性能、可靠性和尺寸等优势 2021年5月20日，美国新泽西州普林斯顿 --- 全球领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布继续扩展FET产品组合，并推出六款全新的650V和1200V产品，所有这些器件均采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装。这些最新的SiC FET可提供30、40、80和150mΩ版本，表明碳化硅器件在加速向服务器和电信电源、工业电池充电器和电源、电动汽车车载充电器和DC-DC转换器等应用的扩展过程中又迈出了一大步。 D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高的开关速度，通过开尔文（Kelvin）源极连接改善

横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体被雷诺 － 日产 － 三菱联盟指定为高能效碳化硅（SiC）技术合作伙伴，为联盟即将推出的新一代电动汽车的先进车载充电器（OBC）提供功率电子器件。 雷诺 － 日产 － 三菱联盟计划利用新的SiC功率技术研制更高效、更紧凑的高功率车载充电器，通过缩短充电时间和提高续航里程，进一步提高电动汽车的吸引力。作为雷诺 － 日产 － 三菱联盟的先进SiC技术合作伙伴，意法半导体将提供设计集成支持，帮助联盟最大限度提升车载充电器的性能和可靠性。 意法半导体还将为雷诺 － 日产 － 三菱联盟提供充电器相关组件，包括标准硅器件。含有意法半导体碳化硅的车载充电器计划于2021年投入量产。

Dilder Chowdhury在半导体领域工作超过24年，开始他在Nexperia的创新团队，然后转向市场营销，并担任Power GaN技术的架构师。他目前的职位是Power GaN 技术战略营销总监。 他的工作涵盖了从器件物理到封装和最终产品的方方面面，Nexperia研究并结合了材料、封装、产品和模块的所有价值。 以下是来自Dilder的采访 Nexperia是GaN的开拓者，不仅在产品方面，而且在生产方面也是如此。你能告诉我们怎么做到的吗？ Dilder Chowdhury：我们的生产首先要确保可靠性；我们是一家专注汽车市场的公司，因此无论我们引进什么新技术，我们都需要保持最高水平的质量，绝不妥协。我们是一

EEWORLD据国外媒体报道，专注于开发和供应小型卫星（CubeSat）用功率放大器（基于金刚石衬底的GaN GaN-on-diamond）和射频收发器的Akash Systems公司，日前宣布完成其A轮融资，共1,450万美元。其中包括1000万美元的入股和另外450万美元的可转债。投资者包括Khosla Ventures，Founders Fund，ACME Capital，Sriram Krishnan和Correlation Ventures。Akash将部署新的资本，以扩大其无线电收发器模块和功率放大器业务。“我们的目标是为太空中的每颗卫星提供射频通信链路。”联合创始人，首席执行官兼GaN-on-diamond发明人Fe

功率双极晶体管由于其低廉的成本， 在开关电源中作为功率开关管得到了广泛的应用。应用电子辐照技术可以减小少子寿命， 降低功率 双极晶体管 的储存时间、下降时间， 提高开关速度， 且一致性、重复性好， 成品率高， 这是高反压功率开关晶体管传统制造工艺无法比拟的。为了降低功率双极晶体管的损耗， 本文采用了10 MeV 电子辐照来减小其关断延迟时间， 提高开关电源转换效率。 　　通过在功率双极晶体管中加入钳位电路使得晶体管不能达到深饱和也能降低关断延时和关断损耗，本文也对电子辐照双极晶体管和钳位型双极晶体管进行了比较。 　　本文实验中采用的开关电源为BCD 半导体公司研发的3765序列充电器， 采用的功率双极晶体管是BCD半导