2017功率晶体管市场摆脱阴霾创136亿美元新高-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

据国外媒体报道，市场研究机构IC Insights，功率晶体管市场已摆脱五年来由于经济不确定性和价格因素带来的不景气。2017年，功率晶体管市场总规模将达到创纪录的136亿美元，上一次功率晶体管市场新高诞生在2011年，为135亿美元。

2017年晶体管市场增长率将达6%，历史数据显示，2016年该市场增长率为5%，2015年则下滑了7%，之前的五年中共计出现三次年营收下滑。

图片.png

IC Insight表示，现在的功率晶体管市场已经区域稳定增长态势。

功率晶体管在230亿美元的半导体分立元件市场中占有最大的市场份额。根据报告，近年来在全世界范围内，为了提高效率，功率晶体管在消费、商业和工业系统中的变得越来越重要。

预计2017年，所有类型的功率晶体管都将增长，其中MOSFET预计增长6%至近77亿美元，IGBT产品预计将增长6%美元至41亿，双极型晶体管预计将增长4%至8.75亿美元左右，射频/微波功率晶体管模块销售预测上升3%至9.6亿美元，根据营收报告，一个光电市场综合分析与预测，传感器/执行器和半导体分立器件。

关键字：功率晶体管编辑：冀凯引用地址：2017功率晶体管市场摆脱阴霾创136亿美元新高

上一篇：快充动力电池会走向没落吗
下一篇：中国动力电池格局：占比70% 或将主宰2400亿美元全球电池行业

推荐阅读最新更新时间：2023-10-12 22:59

Diodes稳压器晶体管提升48V电路系统功率密度

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为针对网络、电信和以太网供电 (Power over Ethernet，简称PoE) 设备内48V电路，推出有效节省空间的高压线性稳压器晶体管ZXTR2000系列。这些稳压器晶体管通过把几个分立元件单片式集成到超薄PowerDI5及较高功耗的TO252 (DPAK) 封装，使设计人员得以提高48V直流原边侧和风扇控制应用的功率密度。以TO252封装的高压ZXTR2005K、ZXTR2008K和ZXTR2012K器件，以及采用了PowerDI5封装的ZXTR2005P5、ZXTR2008P5和ZXTR2012P5器件，能够从一般线性稳压器没法操

[模拟电子]

ST第一批采用SO8尺寸的STripFET封装的IC

意法半导体推出了该公司第一批采用顶置金属片的PolarPAK 封装的功率IC，这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的功率密度。新的STK800和STK850分别是20A和30A的功率场效应MOS晶体管，占板面积与SO-8封装相同，仅为5mm x 6mm。因为顶部和底部都有散热通道，所以封装的高度更低，只有0.8mm高。　　 ST和Siliconix公司于2005年3月签订一项使用PolarPAK技术的许可协议。新封装的引线框架和塑料封装与大多数标准功率场效应MOS晶体管使用的封装相似，具有优良的裸片保护功能，在制造过程中拾放芯片十分容易。然而与标准的SO-8封装相比，PolarPAK的散热效率更加出色，在相同的占

[新品]

埃赋隆推出400W坚固耐用的Doherty射频功率晶体管

埃赋隆推出400W坚固耐用的Doherty射频功率晶体管，据此扩展LDMOS基站和多载波产品线荷兰奈梅亨，2021年10月27日 - 埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT 400W非对称Doherty射频功率晶体管。此Doherty晶体管专为在2.496GHz至2.690GHz频率范围内工作的基站多载波应用而设计，其采用了埃赋隆备受业界推崇的第9代28V LDMOS工艺技术。该Doherty晶体管采用气腔塑料（ACP）无耳SOT-1258-4封装制造，通常可提供45%的漏极效率。 BLC10G27XS-400AVT具有出色的坚固特性，VSWR高达10:1，这对于经常发生大功率

[物联网]

埃赋隆推出400W坚固耐用的Doherty射频<font color='red'>功率</font><font color='red'>晶体管</font>

恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶体管推动TD-LTE通讯变革

中国上海，2013年6月20日讯 – 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。随着中国开始铺设全球最大4G网络，Gen8+的推出将巩固恩智浦TD-LTE产品组合（目前最完善的TD-LTE LDMOS产品组合）的地位，并且显著提升性能、灵活性和经济性。BLC8G27LS-160AV是即将发布的第一款Gen8+器件，这全球最小也最经济的解决方案，用于有源天线户外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。该设备可同时支持多达5个TD-LTE载波，并提供覆盖

[网络通信]

MACOM推出用于无线基站的全新高性能氮化镓功率晶体管系列

新的MAGb系列氮化镓功率晶体管提供世界领先性能，LDMOS产品成本水平;MACOM可向客户提供样品中国上海，2016年2月24日- 领先的高性能模拟、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM日前宣布推出其备受瞩目、应用于宏基站的MAGb系列氮化镓（GaN）功率晶体管。借助于第四代氮化镓的技术优势，MACOM的MAGb系列是业界首批针对无线基站而优化并商用的氮化镓产品系列，在效率、带宽和增益上都已达到世界领先水平，成本水平与LDMOS产品相当。MACOM更有望在量产的情况下实现低于LDMOS产品的成本。 MAGb系列功率晶体管面向主流的1.8GHz到3.8GHz蜂窝应用频段。系列首批产品包

[电源管理]

45W晶体管电子管混合式功率放大器

EL34(6CA7)是飞利浦公司于1956年率先推出的音频功率五极电子管，当年，它的出现给音频放大器的声音质量带来了一场改良，其设计阳极耗散功率为25W(工作数据如附表)。如今，由中国曙光电子管厂生产的该管，畅销海内外。EL34再生的声音之美，是晶体管放大器还望尘莫及的。在晶体管放大器一统天下的今天，它宝刀不老、雄风犹在也正是因为这个原因。一，电子管特点电子管是人类历史上的第一种电子放大器件。说到电子管工作原理，对于现在的爱好者来说，是一个既古老而又时新的话题。由于某些导向上的偏见和能源关系的原因，我国在70年代以后一刀切地停止了电子管的介绍和应用，这无疑给现在的胆管发烧带来困难。在此，有必要对电子管的一些常识加以表述

[嵌入式]

45W<font color='red'>晶体管</font>电子管混合式<font color='red'>功率</font>放大器

功率场效应晶体管(MOSFET)原理

功率场效应管 (Power MOSFET ) 也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力 , 而且有驱动功率小 , 开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达 500kHz ，特别适于高频化电力电子装置，如应用于 DC/DC 变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。一、电力场效应管的结构和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中，主要应用 N 沟道增强

[模拟电子]

电子辐照对开关电源中功率双极晶体管损耗的影响

中心议题：开关电源中开关晶体管的损耗开关电源中开关晶体管的电子辐照实验电子辐照双极晶体管和钳位型双极晶体管的比较功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一，采用10M eV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时，以此来降低功率双极晶体管的关断损耗。在一个典型的充电器开关电源中， 85 V 交流输入电压下，功率双极晶体管总损耗最多降低了42%, 系统效率提高了2.1%. 开关电源具有功率转换效率高、稳压范围宽、功率体积比高、重量轻等特点，因此被广泛应用于手机充电器和笔记本电脑适配器等消费类电子产品中，如何降低开关电源的损耗受到越来越多的关注。而要在系统层面上

[电源管理]

电子辐照对开关电源中<font color='red'>功率</font>双极<font color='red'>晶体管</font>损耗的影响

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播

热门活动

换一批

Vishay线上图书馆

白皮书技术文章视频热门推荐

2017功率晶体管市场摆脱阴霾 创136亿美元新高

2017功率晶体管市场摆脱阴霾创136亿美元新高