专访Cree CEO Gregg Lowe：SiC的前景一片光明

本文编译自微波杂志

问：Cree最近宣布扩大其制造能力，并在纽约建立全球最大的SiC工厂，以在美国东海岸创建一条SiC产业链，市场的良好预期正在推动这种大胆的产能扩张。

Gregg Lowe：根据Canaccord Genuity的最新估算，到2030年，SiC的需求将增长至200亿美元以上，这主要是由于电动汽车的大规模扩张以及相关的充电需求所致。这些车辆以及许多其他依赖无线宽带的设备将被连接到超高速的5G网络，该网络能够传输大量数据并支持以前不可能实现的互连水平。Cree在过去30年中开创的SiC和GaN技术将为这些解决方案提供动力，作为SiC和GaN技术的先驱领导者，Cree拥有行业内最先进的产品组合之一，而市场强大的商机也增强了其对长期市场机会的信心。实际上，我们已经宣布了许多重要的合作伙伴关系，这些合作伙伴关系凸显了整个业务的增长机会，包括与Delphi，ZF，意法半导体和ABB等的合作。

为了进一步说明需求，全球汽车制造商已宣布超过3000亿美元的电动汽车投资，其中包括福特宣布的110亿美元投资，在2023年之前推出40种电动汽车，以及大众宣布的250亿美元投资，宣布在2030年之前制造所有300种汽车的电动车版本。

问：这些产品针对的主要市场/应用有哪些？

Gregg Lowe：Cree的SiC器件主要用于电动汽车，快速充电基础设施，逆变器和电源，电信，军事和航空航天领域。

问：SiC上的GaN已成为许多以效率为关键指标的大功率RF应用的首选产品–这些器件是否能够满足市场需求的成本和散热要求？

Gregg Lowe：SiC的热导率是硅的三倍，这使得SiC衬底上的GaN器件比硅衬底上的GaN器件具有更高的功率密度。如果射频设备每平方厘米输出高功率，则每平方厘米必须散发大量热量，这是SiC的主要优势。SiC衬底在高工作温度下也保持半绝缘，所以相比硅衬底损耗最小化。作为当今SiC的市场领导者，Cree生产世界上大约60％的SiC材料。由于具有这样的规模，在定价方面，我们和竞争对手相比具有明显的优势，随着制造工艺的进步，价格将继续下降，也会进一步提升SiC的普及速度。

问：虽然GaN适合5G基础设施和国防及航空航天领域，但您认为该技术还可以解决其他哪些市场（是否会在移动设备中看到RF GaN）？

Gregg Lowe：Cree涉及许多其他市场，包括RF功率加热和天气雷达，在目前的架构下，我们认为移动设备中的GaN不会在近期内使用。

问：功率开关在SiC上的GaN预计将比RF成为更大的市场，那里的主要驱动因素是什么？

Gregg Lowe：对于宽带隙功率器件，GaN可以在特定细分市场中服务于市场；但是，Cree专注于600V或更高的电压，在此SiC功率器件为应用提供了明显的优势和价值。该领域目前的商业活动也支持这种观点。

问：GaN在电源开关中的渗透似乎很慢，鉴于其性能优势，它为何无法被广泛采用？

Gregg Lowe：Cree并不专注于用于功率开关的GaN。但是，SiC功率器件的应用领域远非如此，并且发展迅速。这就是我们关注的重点。

问：SiC器件主要针对哪些市场？

Gregg Lowe：SiC在电力电子领域比硅更好。根据所使用的电压和工作频率，其开关损耗为硅的1/2至1/10，并提供三倍的功率密度，因此SiC使高压功率电子系统更轻便，更小，更高效且更便宜。出色的性能为新兴行业提供了动力，并复兴了成熟的行业。我们看到SiC在许多不同的终端设备中的应用，Cree主要专注于汽车，RF，工业和能源基础设施市场，而汽车行业向电动汽车的转向是重点，汽车应用用于逆变器，车载和非车载充电以及充电基础设施。在RF中，随着5G的推出加速，GaN的SiC是基站的理想选择。我们也看到了在工业应用中对SiC的浓厚兴趣。随着我们扩大地位并降低成本，它使更多的终端设备细分市场可以利用SiC的卓越性能。

问：行业中似乎缺少相关的电子工程师和技术人员，Cree如何以足够快的速度配置这些设施以满足预期的需求？

Gregg Lowe：Cree正在与北卡罗莱纳州和纽约州的当地社区以及大学合作，开发培训和实习计划，以为我们的扩张计划提出高科技就业和长期增长机会做准备。我们也意识到在学生进入大学之前与他们互动的重要性。因此，我们正在与当地学校合作，以激发年轻学生参与STEM职业。例如，Cree员工目前担任北卡罗来纳州当地STEM学生的指导，我们最近向纽约州立大学理工学院基金会及其FIRST计划捐款25000美元，该计划致力于向纽约莫霍克山谷地区的学生扩大STEM机会。

问：Cree如何应对中国市场，您对此有何展望？

Gregg Lowe：我们对即将到来的未来充满信心，但认识到成功之路不是一条直线，我们必须应对市场挑战。 Cree专注于继续巩固我们最近的势头，并保持SiC的全球领先地位。尽管存在短期不利因素，但我们仍在市场中取胜，并为长期增长做好了准备。

问：看来Cree在SiC技术上押注很大，竞争技术或市场预测的大规模扩张所带来的主要风险是什么？

Gregg Lowe：从历史上看，SiC的需求长期以来一直超过可用的供应，但是Cree的产能公告解决了与此相关的主要问题，并改变了游戏规则。此次扩展使我们能够将SiC晶片的制造和材料产量提高30倍以上。鉴于当前的市场需求以及汽车和通信基础设施等行业的迅速采用，很明显，全球范围内的从硅到SiC的过渡正在如火如荼地进行。但是，SiC不容易复制或产生。作为SiC和GaN技术的先驱领导者，Cree拥有业内最先进的产品组合之一，没有其他公司能够比照我们30年的SiC经验以及创建或管理开发周期。基于这些因素，我们拥有正确的战略，正确的技术和长期的专业知识，这些知识使Cree成为加速行业从硅向SiC的过渡并致力于服务市场的领导者。 Cree的整个团队对未来充满信心，并相信我们已经开发出对客户成功至关重要的差异化技术。