英飞凌推出1700V SiC MOSFET，继续补充高压产品组合-电子工程世界

英飞凌日前宣布推出1700V SiC MOSFET，今年早些时候公司曾宣布推出通过其沟槽半导体技术提供1700电压等级，从而增加了CoolSiC™MOSFET产品组合。该公司此前曾在今年早些时候推出了650V低压产品，如今1700V产品推出，标志着公司进一步拓展其高压SiC市场。

1700V表面贴装器件（SMD）的SiC产品，拥有更低的开关损耗和传导损耗。据该公司称，它的英勇目标是三相转换系统中的辅助电源，例如电机驱动器，可再生能源，充电基础设施和高压DC系统。

在低功率应用工作于100W以下的情况下，许多设计人员更喜欢单端反激式拓扑。采用SMD封装的CoolSiC MOSFET 1700 V中的拓扑结构可用于直流链路连接的辅助电路，最高输入电压为1000V DC。

此外，其阻断电压消除了对过压裕度和电源可靠性的担忧。

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