戴尔采用Navitas的GaNFast IC作为笔记本适配器快充-电子工程世界

Navitas半导体公司表示，戴尔首次使用其GaNFast氮化镓（GaN）技术的功率IC。

Navitas成立于2014年，推出了据称是首款商用GaN功率IC。该公司表示，其专有的“AllGaN”工艺设计套件（PDK）将GaN功率场效应晶体管（FET）与GaN模拟和逻辑电路单片集成，从而为移动，消费类，企业级，电动汽车和新能源市场应用提供了更快的充电速度，更高的功率密度和更多的能耗节省。

戴尔USB-C增强型电源适配器PA901是一款双输出快速充电器，可通过USB-C电缆提供90W功率，可为笔记本电脑进行大功率充电；另外，通过USB-A还可提供10W功率，可同时为智能手机充电。该适配器采用Dell Express Charge技术，在短短15分钟内将电源快速提升35％，并将在一小时内为Dell Latitude充到80％电量。

Navitas表示，GaNFast电源IC集成了具有驱动，控制和保护功能的GaN FET，与基于硅的解决方案相比，其功率密度为原来的三倍。值得注意的是，在已交付的超过900万颗GaNFast电源IC中，故障数量为零。

Navitas首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示，GaNFast技术可实现小尺寸，轻便和散热等愿景，这对于移动快速充电至关重要。他补充说：“戴尔采用快速充电的GaN对旧的，进步缓慢的硅技术是一次冲击。Navitas的设计，应用程序和质量团队与Dell进行了一系列严格的技术，性能和可靠性审查，以确保安全、成功地启动适配器。”

Dell适配器中使用了两种NV6117 GaNFast电源IC：一种用于临界传导模式（CrCM）升压功率因数校正电路（PFC），另一种用于DC-DC准谐振（QR）反激。该适配器是由Chicony Power Technology为Dell设计和制造的，并得到当地Navitas应用工程的支持。

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