SkyWater与AND联合开发超快速功率MOSFET

发布者:EEWorld资讯最新更新时间:2022-01-27 来源: EEWORLD关键字:MOSFET 手机看文章 扫描二维码
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SkyWater和 Applied Novel Devices宣布了一项重大的行业突破,开发新晶体管技术为快速开关电源转换应用提供了显着优势。功率 MOSFET 提供 2 倍的低输出电荷、接近零的反向恢复和由 AND 工程技术实现的超低 Qoss。此外,这些功率 MOSFET 在低至 2.5V 的栅极驱动下提供卓越的特定导通电阻 (< 5 mOhm-mm2 @ 30V BVDSS),以及通过 AND 的器件架构实现的低漏电流和接近理想的亚阈值斜率.这些特性可以显着降低电源管理系统中的寄生损耗。这将提高众多应用中的电源管理和转换效率,包括数据中心、汽车、电动机驱动器、可再生能源系统的微型逆变器,以及工业和消费市场中的许多其他应用。


在 DC-DC 电源转换等应用中,AND 的技术凭借其新颖的器件架构提供了独特的优势。接近零的反向恢复和低输出电容消除了对集成或独立肖特基钳位二极管的需求。这些提高效率的特性使Si MOSFET可以实现高频电压转换应用。这些高频功率 MOSFET 反过来又推动了无源元件尺寸的减小,以实现支持进一步提高系统级效率的小尺寸功率模块。


AND 将为工业和消费应用提供 15-80V 的晶圆级和标准封装产品。AND 计划通过 SkyWater 为电动汽车、可再生能源和各种工业应用生产的一系列产品,将产品范围扩展到 200-1000V 范围。此外,通过技术许可协议,SkyWater可向代工客户提供这种功率 MOSFET 技术流程。


AND 目前正在对新的功率 MOSFET 进行样片生产,并将在 SkyWater 量产。晶圆级封装中的器件将根据现有电路板和系统的特定外形尺寸进行定制。这些产品可从 AND 获得,该技术也可立即作为代工产品直接从 SkyWater 获得。

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