英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容-电子工程世界

【2023年8月3日，德国慕尼黑讯】小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广泛适用于各种应用，如服务器、通信、便携式充电器和无线充电器中开关电源（SMPS）里的同步整流等。此外，新产品在无人机中还可应用于小型无刷电机的电子速度控制器等。

全新的OptiMOS 6 40V功率MOSFET以及OptiMOS 5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm²封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。这些新器件拥有业界极低的导通电阻和业界领先的性能指标（FOMs, QG和QOSS），能够实现出色的动态开关性能。因此，这些具有超低开关损耗和低导通损耗的 MOSFET器件能够保证极佳的能效和功率密度，同时简化散热管理。

OptiMOS功率开关采用紧凑的PQFN 2x2 mm2封装，能够缩小系统尺寸，让终端用户应用的几何外形变得更加小巧、灵活。通过减少并联需求，这些MOSFET器件提升了系统设计的可靠性，显著降低了占板空间和系统成本。

供货情况

全新OptiMOS 6 40V功率MOSFET（ISK057N04LM6）的导通电阻值为5.7 mΩ，OptiMOS 5 25V功率MOSFET（ISK024NE2LM5）和OptiMOS 5 30V功率MOSFET（ISK036N03LM5）的导通电阻值分别为2.4 mΩ和3.6 mΩ，这些MOSFET器件均采用改进的PQFN 2x2 mm2 封装，现已开放订购。

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