凌力尔特发布150V高压侧N信道MOSFET驱动器-电子工程世界

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亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear)日前推出高速、高压侧N信道MOSFET驱动器--LTC7001，该组件以高达150V电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N信道MOSFET开关，使其能保持无限期导通。该驱动器为强大的1Ω闸极驱动器，可凭借非常短的转换时间和35ns传播延迟，方便地驱动闸极电容很大的MOSFET，因此相当适于高频开关和静态开关应用。

该驱动器用来接收以地为基准的低压数字输入讯号，并快速驱动一个漏极电压可能在0V至135V(绝对最大值为150V)之间的高压侧N信道功率MOSFET。该驱动器在3.5V至15V的驱动器偏置电源范围内运行，具可调欠压闭锁。当驱动一个1000pF负载时，快速13ns上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调导通转换率和可调过压锁住。

LTC7001采用MSOP-10封装，其接脚配置提供高压间隔。该组件具备3种操作接面温度版本，延展型和工业等级版本的温度范围为–40°C至125°C，高温汽车级版本则为–40°C至150°C，军用级版本为–55°C至150°C。

关键字：凌力尔 MOSFET 编辑：王磊引用地址：凌力尔特发布150V高压侧N信道MOSFET驱动器

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