Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET-电子工程世界

第四代器件，提高额定功率和功率密度，降低导通和开关损耗，从而提升能效

美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2023年9月4日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。

Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHP054N65E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求，包括功率因数校正（PFC）和后面的DC/DC转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算和数据存储；UPS；高强度放电（HID）灯和荧光镇流器；太阳能逆变器；焊接设备；感应加热；电机驱动；以及电池充电器。

SiHP054N65E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术，10V下典型导通电阻仅为0.051 Ω，从而提高额定功率支持 2 kW以上的各种应用，器件满足符合开放计算项目Open Rack V3（ORV3）标准的需求。此外，这款MOSFET超低栅极电荷下降到 72nC。器件的FOM 为3.67 Ω*nC，比同类接近的竞品MOSFET 低1.1 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而达到节能效果，提高能效。器件满足服务器电源钛效应的特殊要求，或通信电源达到96%的峰值效率。

日前发布的MOSFET有效输出电容 Co(er) 和Co(tr) 典型值分别仅为115 pF和 772 pF，可改善硬开关拓扑结构开关性能，如PFC、半桥和双开关顺向设计。器件的电阻与 Co(tr) 乘积FOM低至5.87 *pF达到业内先进水平。SiHP054N65E采用TO-220AB封装，提高了dv/dt耐用性，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，耐受雪崩模式下电压瞬变，并保证极限值100 %通过UIS测试。

SiHP054N65E现可提供样品并已实现量产，关于供货周期的信息，请与当地销售部联系。

关键字：Vishay MOSFET 引用地址：Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

上一篇：聊聊功率模块面临的高压挑战
下一篇：意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效

推荐阅读最新更新时间：2024-11-02 08:01

Vishay发布业界用于无线充电的接收线圈

宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 9 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款商用基于铁粉材料、符合WPC (无线电源联盟)规范的无线充电接收线圈--- IWAS-4832FF-50，适用于有或没有取向磁铁的情况。新的IWAS-4832FF-50采用非常耐用的结构和高磁导屏蔽，在对小于5W的便携式电子产品进行无线充电时的效率大于70%。今天发布的接收线圈已经被一个主要的无线电源开发商所采用。对于无线电源基站和接收器，IWAS-4832FF-50的高饱和铁粉不会受到永磁定位磁铁的影响，器件可以阻断来自敏感元件或电池的充电通量

[电源管理]

完全自保护MOSFET功率器件分析

　　为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现，但是在更多情况下，设计人员使用完全自保护的MOSFET功率器件来完成。随着技术的发展，MOSFET功率器件能够以更低的系统成本提供优异的故障保护。　　图1显示了完全自保护MOSFET的一般拓扑结构。这些器件常见的其他特性包括状态指示、数字输入、差分输入和过压及欠压切断。高端配置包括片上电荷泵功能。但是，大多数器件都具备三个电路模块，即电流限制、温度限制和漏-源过压箝制，为器件提供大部分的保护。　　　　图1：完全自保护MOSFET的一般拓扑结构

[电源管理]

完全自保护<font color='red'>MOSFET</font>功率器件分析

Vishay的新款NTC热敏电阻管芯为用户提供与IGBT相同的安装方式

高稳定性器件采用金、银金属层，支持导线键合、焊接和纳米银膏烧结; 宾夕法尼亚、MALVERN 2015 年 4 月10 日日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布两个新的无引线NTC热敏电阻裸片---NTCC300E4和NTCC200E4，在上表面和下表面实现接触，为设计者提供与IGBT半导体相同的安装方式。Vishay BCcomponents NTCC300E4使用金金属层，支持金线键合和导电胶胶合；NTCC200E4使用银金属层，支持铝线键合，可采用回流焊和纳米银膏烧结。今天发布的器件适用于温度检测、控制，汽车

[传感器]

<font color='red'>Vishay</font>的新款NTC热敏电阻管芯为用户提供与IGBT相同的安装方式

6A N沟道 MOSFET 栅极驱动器【凌力尔特】

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2011 年 4 月 6 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 级) 版本，该器件是一款 6A N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，在 -55°C 至 125°C 的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加 DC/DC 控制器的输出功率及效率，从而使其能够驱动高功率 N 沟道 MOSFET 或多个并联的 MOSFET。其栅极驱动电压从 5V 至 8V 是可调的，从而允许设计师选择标准门限或逻辑电平 MOSFET。 LTC4441 在 5V 至 25V 的宽输入电源电压范

[电源管理]

6A N沟道 <font color='red'>MOSFET</font> 栅极驱动器【凌力尔特】

Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性

器件具有37.8A的连续漏极电流，导通电阻低至8.4mΩ，采用小尺寸PowerPAK® SC-70封装据eeworld网消息，宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK® SC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm x 2mm塑料封装的30V器件。今天发布的MOS

[半导体设计/制造]

车用MOSFET：寻求性能与保护的最佳组合

工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在极端环境下(如引擎盖下面的汽车电子应用)，温度的迅速上升会使MOSFET意外导通，致使阈值电压接近零伏。此外，MOSFET还必须能够承受开关关闭瞬间和负载突降故障所导致的高压尖脉冲。电气配线中大量的接头(位于适当位置以方便装配和维修接线)也大幅增加了与器件的电气连接中断的可能性。汽车工业非常关注质量和可靠性，因此MOSFET必须符合国际公认的AEC Q101标准。上述每个方面都非常重要。但还有另外一个挑战，即提供

[嵌入式]

ST扩大碳化硅MOSFET产品系列

中国，2015年2月10日意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。意法半导体是业界少数具有高可靠性、高能效碳化硅功率半导体研发的领导厂商之一，并始终致力于技术的研发与升级。这次推出的1200V SCT20N120进一步扩大了碳化硅MOSFET产品系列，具有小于290mΩ的通态电阻 (RDS(ON)) 及高达200 C的最大工作结温等诸多特性

[模拟电子]

ST扩大碳化硅<font color='red'>MOSFET</font>产品系列

Vishay发布业界新款厚膜矩形贴片电阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款绿色、符合RoHS标准（无任何例外）的厚膜矩形贴片电阻--- RCG e3。3种外形尺寸的RCG e3采用完全无铅的电阻体和纯锡焊料触点，并在高质量陶瓷上涂了金属釉面，通过AEC-Q200认证，在+70℃下经过1000小时后的稳定率为1%。目前，在符合RoHS标准的工序中，第5项工序允许在电阻体中使用铅。然而，要实现比目前RoHS要求更高的环境保护水平，设计者需要使用绿色、符合RoHS标准的产品，而不能有任何例外。RCG e3使设计者能够满足在消费、计算机、汽车、工业和通信设备中使用完全无铅的厚膜电阻的苛刻要求

[电源管理]

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播