一种新型低电荷共享电荷泵电路

最新更新时间:2007-11-05来源: 中国集成电路关键字:CMOS  锁相  逻辑 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

1、引言

目前,电荷泵锁相环是所有锁相环中最受关注的一种,例如它在射频的频率合成器、数字电路中的时钟产生以及时钟恢复电路中都被广泛采用,这主要是因为电荷泵锁相环具有良好的跟踪能力和捕获能力。研究开发性能良好的电荷泵锁相环有着重要的现实意义[1]。同时,CMOS工艺具有工作电压范围宽、静态功耗低、抗干扰能力强等优点,是当今集成电路制造业的主流工艺[2]。因此,使用CMOS工艺设计的锁相环路应用范围越来越广,而电荷泵是电荷泵锁相环里面除VCO外最重要的电路模块,而电流失配、电荷共享、过冲和时钟馈通等现象一直限制着电荷泵性能的提高[3],因此研究性能良好的电荷泵有非常重要的现实意义。

2、传统电荷泵

2.1基本原理

图l是典型的电荷泵结构。此处电荷泵为两个受鉴频鉴相器(PFD)输出信号控制的开关电流源,它与后面的环路滤波器共同作用,将PFD的逻辑信号转化为电压信号,该电压信号进而调节压控振荡器的振荡频率[4]。

当鉴频鉴相器输出电压信号UP为高时,电荷泵上端开关导通,电荷泵将以电流Ip对滤波器充电。

当鉴频鉴相器输出电压信号DN为高,打开电荷泵下端开关,电荷泵以电流Ip对滤波器放电。因为这种结构的鉴频鉴相器通过电流充、放电来改变低通滤波器的电压Vout所以对Vout电压幅值没有限制。因此电荷泵锁相环的捕获范围很宽,直接由压控振荡器能够工作的频率范围来决定。同时,当电荷泵上下的开关都关断时,低通滤波器的电压可以保持Vout不变,而且UP和DN信号表征的是输入与输出之间的相差,UP和DN均为低电平说明鉴频鉴相器的输出相差为0。所以,这种结构的电荷泵和鉴频鉴相器具有锁定时相差为0的优点。

当鉴频鉴相器和电荷泵一同使用时,电路结构如图2所示。电路有充电、放电和保持三种状态。当QA=QB=0时,K1和K2关断,保持Vout不变。如果QA为高,QB为低,电容Cp通过I1充电。反之,如果QA为低,QB为高,Cp通过I2放电。因此,如果A超前B,QA连续产生脉冲,Vout值逐渐升高,呈阶梯形。I1和I2就分别为上述的UP和DOWN电流,通常取一样的值[5]。虽然电路能正常工作,但也产生了下述的电荷共享问题。

2.2"电荷共享"问题

电荷泵的"电荷共享"是电荷泵的主要问题之一,问题来源于电流源漏端所存在的一定的电容间。其原理如图3所示,开关S1和S2都断开,那么M1使结点X放电到零电位,M2使结点Y充电到VDD。在下一个相位比较瞬间,开关S1和S2都导通,从而Vx的电压上升,Vy电压下降,如果忽略在开关S1和S2上的电压降,则有Vx一Vy一Vcont(图b),如果相位误差为零,而且且ID1=|ID2|,则在开关导通时,Vcont值将发生跳变。此时即使Cx=CY,VX和VY的变化量也不相等。例如,若Vcont比较高,则Vx变化量大而Vy变化量较小。这两者变化的差额必须由Cp来提供,从而导致Vcont跳动[7]。

3. 抑制"电荷共享"的方法

上述电荷共享现象可以通过"自举"(bootstrapping)的办法来消除[8]。

如图4所示,其思路就是在相位比较完后,将VX和VY的电位"固定"到Vcont。当S1和S2断开时,S3和S4导通,再用单位增益放大器将结点X和Y的电位保持在Vcont,在下一个相位比较瞬间,S1和S2导通,S3和S4断开,这时候VX和VY的电位都等于Vcont,所以在CP和X点、Y点的电容之间不会发生电荷共享。而新型低电荷共享的电荷泵就是这种结构的具体电路实现。

4、低电荷共享的新型电荷泵

图5是本文提出的新型电荷泵电路,它将单一晶体管的开关改为双向传输门,这使电流传输不受晶体管阈值电压的影响,并可扩大X、Y两点的电压跟随范围。用一个单端放大器构成负反馈,形成电压跟随器,偏置电流源同时为放大器提供尾电流。改进后的电荷泵同一般的电荷泵相比,多了一个跟随器,这个跟随器使得电流源在关断时,漏端电压能够跟随Vcont,这样当开关打开时,可以认为△v等于零,同时避免了两个电流源漏端寄生电容的电荷共享效应。否则会引起较大的上下电流不对称效应,增大锁相环的抖动。

5、传统电荷泵和新型电荷泵的对比

对比仿真采用GSMC0.18Dμm工艺库,在相同的尺寸和各种工艺角 TT、FF、SS,供电电压1.8v10%,温度0℃到125℃等仿真条件下进行,仿真软件为spectre和hspice。这里的传统电荷泵结构仅比上述的新型电荷泵少了右边的差动放大器。通过观察CPLL锁定时的压控振荡器的控制电压Vcont的波纹大小可初步比较得出电荷泵的性能,由于两者的抖动在本次中都很小(10ps数量级),所以肉眼不能从时钟信号观察出来。从图6和图7可以看出新型电荷泵的Vcont波纹的振幅约为4mV,仅为传统的电荷泵的振幅12mV的l/3,这减少的量主要是从抑制电荷共享而获得,另外两个波纹产生的原因是时钟馈通和电流过冲。更小的波纹将导致CPPLL的更小的抖动。

从表1的仿真结果可以知道,新型电荷泵由于结构上的改进,得到了比传统电荷泵更小的抖动和失配,由于增加了电压跟随电路,功耗会大一点.



我们阐述了一个低失配(mismatch2%)、低电荷共享的新型电荷泵,通过增加并不复杂的电路达到了加倍提高电荷泵性能的目的,这种电荷可广泛用于CPPLL中.

关键字:CMOS  锁相  逻辑 编辑:冀凯 引用地址:一种新型低电荷共享电荷泵电路

上一篇:如何选择合适的(变)电站用直流电源屏
下一篇:一种用于白光LED驱动的电荷泵电路设计

推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 14:39

美生产出印刷“CMOS”存储器,或改变人机交互方式
长期从事塑料存储研究的公司Thin Film Electronics ASA和Palo Alto研究中心(PARC)共同宣布自己生产出可用的印刷非易失性(non-volatile)铁电聚合存储器原型,通过p型或n型有机电路寻址,相当于CMOS电路。 两家公司称Thin Film的印刷存储器和PARC的有机寻址机制是生产卷到卷(roll-to-roll)印刷式存储器的关键,可以用于一切都有IP地址并通过智能标签连上互联网的物联网。这类智能标签需要低成本且能够与传感器等其它原件相整合的可擦写非易失性存储器,两家公司表示这正是新技术所支持的特性。 Thin Film没有详谈存储列阵的尺寸、单个存储单元的体积或存储器的性能参数。所有这些很
[手机便携]
力源产品目录--数字逻辑电路
数字电子技术是电类专业的一门专业基础课。
[模拟电子]
SRC推动后硅晶技术基准比较
美国半导体研究联盟(SRC)旗下拥有 纳米电子研究创新联盟 (Nanoelectronics Research Initiative;NRI)以及 半导体先进技术研发网路 (Semiconductor Technology Advanced Research Network;STARnet)等组织致力于开发后矽晶时代的下一代技术,这些技术成果还将与IBM、英特尔(Intel)、美光(Micron)与德州仪器(Texas Instruments;TI)等SRC的会员公司共享。 最近,SRC又在NRI与STARnet增加了一项结合并扩展研究基准的2年半计划, 目的在于衡量并比较所有研究途径的进展及其优缺点。乔治亚理工学院教
[半导体设计/制造]
SRC推动后硅晶技术基准比较
安森美半导体推出X-Class CMOS图像传感器平台
推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)宣布推出X-Class图像传感器平台,使单一摄像机设计不仅能支持多种产品分辨率,还能支持不同的像素功能。这个新平台的首两款器件是1200万像素(MP)XGS 12000和4k / 超高清(UHD)分辨率XGS 8000图像传感器,它们为机器视觉、智能交通系统和广播成像等应用提供高性能成像功能。 X-Class图像传感器平台通过在同一图像传感器框架内支持多种CMOS像素架构,实现摄像机设计的新维度。这让单一摄像机设计不仅能支持多种产品分辨率,还能支持不同的像素功能,例如在给定的光学格式以分辨率换取更高成像灵敏度的更大像素,以及优化设计
[汽车电子]
高性能锁相环PE3293及其应用
摘要:在无线通信中,降低频率合成器的相位噪声和抑制其相应的寄生输出,一直是设计者追求的目标。PE3293是Peregrine公司生产的高性能1.8GHz/550MHz双模整数分频集成锁相环电路,它具有超低的寄生输出。文中介绍了PE3293的特点功能和组成原理,给出了PE3293在频率综合器设计中的应用电路。 关键词:频率合成器;相位噪声;寄生输出;PLL;PE3293 1 引言 在无线应用中,相位噪声和寄生输出是频率合成器的关键参数。PHS、GSM和IS-54等相位调制蜂窝系统的RF系统设计均需要低噪声的频率合成模块, 同时频率切换时间和寄生输出的抑制对系统也很重要。频率合成器作为一种高质量的信号源,与电子系统的性能有
[应用]
亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计一
1 引言   ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一,其ESD结构与工艺技术、特征尺寸密切相关,随着IC工艺技术的进一步发展,特征尺寸越来越小,管子的栅氧层厚度越来越薄,芯片的面积规模越来越大,而外围的使用环境并未改变,因此ESD的失效问题面临越来越严峻的考验,在亚微米CMOS IC中,通常做LDD(Lightly-Doped Drain)注入,在深亚微米超大规模CMOS IC设计中,通常有Silicide 或Salicide技术,这些技术的使用有助于提高电路的速度、集成度、可靠性等,但这些技术对电路的抗ESD性能极为不利,降低了ESD可靠度。
[模拟电子]
亚微米<font color='red'>CMOS</font>电路中VDD-VSSESD保护结构设计一
小数N分频锁相环应用优缺点分析
小数N分频PLL从上世纪七十年代开始就已投入使用。小数N分频使PLL输出的分辨率可以降至PFD频率的一小部分(如图所示),其中PFD输入频率为1 MHz。可以产生分辨率为数百Hz的输出频率,同时维持较高的PFD频率。因此,小数N分频的N值显著小于整数N分频的N值。   Integer-N Compared to Fractional-N Synthesizer   由于电荷泵处的噪声以20 logN的比率累加到输出上,因此相位噪声可以得到显著改善。对于GSM900系统,小数N分频ADF4252的相位噪声性能为–103 dBc/Hz;相比之下,整数   N分频PLL ADF4106的相位噪声性能为–93 d
[模拟电子]
小数N分频<font color='red'>锁相</font>环应用优缺点分析
AGV电磁锁相制导系统
    摘 要: 制导技术是AGV控制的关键技术,本文提出了AGV电磁锁相制导方案,采用分时复频法产生电磁波信号,设计出AGV电磁锁相制导系统,并进行了功能性实验,实验证明这是一种经济可行的AGV制导方案,可适用于复杂路线多辆AGV的制导控制。     关键词: 分时复频选择法 锁相 制导 AGV         随着工厂生产的综合自动化,物流系统的发展也十分引人注目。以计算机和智能化技术相结合的AGV(Automated Gueded Vehicle,即自导输送车),已成为生产系统自动化的重要环节。它不仅在FA、FMS中有广泛的应用,而且在服务行业和流通领域,以及办公自动化方面也逐渐活跃起来。制导
[传感技术]
小广播
最新电源管理文章
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved