2SD315A在驱动大功率IGBT中的应用

最新更新时间:2007-12-13来源: 电子产品技术关键字:自检  反馈  偏压  电阻 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

引言

IGBT常用的驱动模块有TLP250,以及EXB841/840系列的驱动模块。但在燃料电池城市客车DC/DC变换器的研制过程中发现,由于车载DC/DC变换器常常工作在大功率或超大功率的状态中,而处在这种状态下的IGBT瞬时驱动电流大,要求可靠性要高,使得传统的驱动电路已经不能满足其使用要求,经过研究分析,选用瑞士CONCEPT公司生产的用于驱动和保护IGBT或功率MOSFET的专用集成驱动模块2SD315A作为大功率IGBT(800A/1200V)的驱动器件,该驱动器集成了智能驱动、自检、状态反馈、DC/DC电源及控制部分与功率部分完全隔离等功能于一体。经过车载90kW DC/DC变换器实际道路工况运行实验表明,效果良好。

IGBT的驱动要求

IGBT的驱动要求与其静态和动态特性密切相关,即栅极的正偏压、负偏压和栅极电阻的大小,对IGBT的通态电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力、开关管C、E极问电压的变换率等都有不同程度的影响。其开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向栅极电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT关断。根据这样的特性,针对它的驱动电路应该满足:

·IGBT是电压型驱动,具有2.5~5V的阈值电压,有一个容性输入阻抗,因此,IGBT对栅极电荷非常敏感,需要有一条低阻抗值的放电回路,即驱动电路与IGBT的连线要尽量短。

·用内阻小的驱动源对栅极电容充放电,以保证栅极控制电压Vge有足够陡的前后沿,使IGBT的开关损耗尽量小。另外,IGBT开通后,栅极驱动源应能够提供足够的功率使IGBT处于饱和状态,否则IGBT容易遭到损坏。

·当驱动电平+Vge增大时,IGBT通态压降和开关损耗均下降,但负载短路时的Ic增
大,IGBT能承受短路电流的时间减小,对其安全不利。

·在关断过程中,为尽快抽取PNP管的存储电荷,须施加一负偏Vge,但它受IGBT的G、
E间最大反向耐压限制。

·IGBT的栅极驱动电路应简单实用,最好自身带有对IGBT的保护功能,有较强的抗干
扰能力。

·由于IGBT在电力电子设备中多用于高压场合,故驱动电路与控制电路在电位上应严
格隔离。

2SD315A驱动模块

2SD315A模块能够驱动1200A/1200V的IGBT,DC的开关频率高于100kHz,可通过±15A的门极电流,实现0-100%的占空比调节。此外,具有完善的对于电源、电流的状态监测从而实现对于模块以及功率开关管的保护;该驱动模块分为接口单元、电气隔离、驱动单元等几个部分,每个驱动通道都把控制回路和主功率回路进行了电气隔离,如图1所示。

驱动模块的驱动能力及保护性能是人们较为关心的问题,以下是应用当中的几点体会:

·由于IGBT的栅极有很高的输入阻抗,因此在无栅极放电回路的情况下,其栅极易积累电荷,并且栅极氧化层很脆弱,仅能承受±20V的耐压,容易造成栅源极问的击穿,使IGBT损坏,在实际电路中采用了±15V的栅源偏压,从而提高了IGBT的短路耐量。

·为改善控制脉冲的前后沿陡度和防止振荡,减小IGBT集电极大的电压尖脉冲,根据该模块的使用手册合理选择栅极的串联电阻,既可获得良好的驱动脉冲,又控制了IGBT通断状态变化的过渡时间。

·用外接的电阻Rth来定义功率管导通时的管压降,当大于定义的最大管压降时,监测电路便输出故障报警信号,并关断功率管,从而保护了IGBT。

·当给驱动模块供电的电源电压过低时,则会影响驱动电路的可靠性,监控电路便向模块
内部发送故障信号,使整个模块处于封锁状态,保护了系统的安全。这里,模块的工作状态是由模块上的两路SO输出引脚的电平所表示,并经过逻辑关系接入到保护电路中实现状态检测。

应用实例

该驱动模块有两种工作方式:直接方式和半桥方式。当驱动器工作在直接方式时,驱动器的驱动通道之间没有联系,两个通道总是同时被驱动。而在半桥方式下,MOD输入端接GND,InA输入PWM信号,InB输入使能信号(高电平有效,低电平将所有通道封锁)。由于两个状态输出端SO1和SO2接在一起,所以两个驱动通道输出同一故障信号。死区时间是由模块上RC1和RC2的外接电路来确定,使驱动的两路输出信号不会同时为高电平。

利用2SD315A驱动高功率密度IGBT需要注意以下几点:

·工作模式MOD的设置和参考电阻Rth的选择是正确使用该驱动模块的前提,需要注意
在半桥工作模式下死区时间的设置以及Rth大小与功率开关管型号的匹配关系。

·合适的栅极电阻Rg对与IGBT的驱动非常重要。Rg太大,会使IGBT通断状态变化的过渡过程时间延长,能耗增加;但Rg太小,会使di/dt增大,可能引起门极电压振荡,造成触
发误导通,严重时可能会损坏IGBT。通过以下公式确定Rg可选择的最小值:



其中△U为栅极正反向偏置电压之差;Ig(max)为驱动电路所能提供的最大电流。

·注意驱动模块与主功率开关管之间的布线。栅极驱动布线对防止潜在的振荡、减慢门极电压的上升、减少噪声损耗、降低门极电源电压或减少门极保护电路的动作次数有很大的影响。因此,应尽量减小驱动器的输出级和IGBT之间的距离,并用绞线传递驱动信号。

2SD315A驱动模块设定在直接模式下,引脚MOD直接接+15V电源;参考电阻选用47kΩ;栅极驱动电阻选用2Ω;得到该驱动模块应用电路如图2所示。

图中S1、S2表示EUPEC的两只800A/1200V IGBT,图3为试验中得到的主功率开关管的驱动波形。由波形的形状和幅度可以判断出,IGBT工作正常。

由图3可以看出,波形的上升、下降沿均较陡峭,从IGBT关断到开通不到1个微秒,极大的减小了开关损耗;该模块能向IGBT提供合适的正向栅源电压,并可靠关断;这些对IGBT的正常工作均提供了重要的保证。此外,在实验中发现,为了得到更平直的正负向波形,可在模块的COMx和Visox引脚两端并联适当电容进行调整。

燃料电池城市客车行驶在诸如启动、变速、刹车等多种路况下时,其车用大功率DC/DC内的IGBT(800A/1200V)常常处在300~400V高压,或在极短时间内(≤200ms)承受近300A大电流的场合下,功率输出达几十千瓦到上百千瓦不等,与之配合使用的2SD315A隔离式驱动模块,在实际的城市道路工况进行运行试验中,完全满足了不同路况下对于功率需求的驱动要求,已经安全无故障行驶总里程超过四万公里,是一款性能优良的大功率驱动模块。

关键字:自检  反馈  偏压  电阻 编辑: 引用地址:2SD315A在驱动大功率IGBT中的应用

上一篇:电动汽车镍氢充电器的设计
下一篇:基于MOSFET控制的PWM型直流可调电源的研制

推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 14:40

基于AT89C52单片机模糊PID的电阻炉温度控制系统
电阻炉是热处理工业中常用的设备,具有大滞后、参数时变、非线性等特点。各个领域对电阻炉温度控制的精度、稳定性、可靠性要求越来越高。提高该类对象的控制品质具有广泛的应用价值。常规PID控制算法简单、易于实现,适用于可建立精确数学模型的确定性控制系统。而实际工业生产过程往往具有非线性和时变性,难以建立精确的数学模型,因此常规PID控制器不能达到理想的控制效果。模糊控制不需要被控对象的精确数学模型,而且控制灵活、鲁棒性强,但模糊控制器的积分作用较弱,导致系统的动态品质较差。将模糊控制和PID控制两者结合起来的复合型控制器,对复杂控制系统具有良好的控制效果。 文中在深入研究先进PID控制理论及其智能优化控制策略的基础上,以电阻炉为被
[单片机]
基于AT89C52单片机模糊PID的<font color='red'>电阻</font>炉温度控制系统
技术文章—生物电阻抗分析在疾病临床监测和诊断分析
生物组织的电特性按照电信号来源可分为主动和被动两类。如果生物组织的电流由细胞内部的离子产生,我们称之为主动响应。这些电信号称为生物电位,最为人所熟知的例子就是心电图和脑电图信号。如果生物组织对外部电刺激(例如电流或电压发生器)做出响应,则该响应为被动的。在这种情况下,我们需要考虑生物电阻抗。 生物电阻抗分析 生物电阻抗分析是一种用来测量人体组成和评估临床状况的低成本、非侵入技术。生物阻抗是一个由电阻值R(实数部分)和电抗值Xc(虚数部分)组成的复数,前者主要由人体内的水分总量所致,后者主要是由细胞膜产生的电容所致。该阻抗也可以用模为| Z |、相位角为φ的矢量来表示。相位角在确定人体组成方面起主要作用。 (1) (
[模拟电子]
技术文章—生物<font color='red'>电阻</font>抗分析在疾病临床监测和诊断分析
国巨陈泰铭:MLCC、芯片电阻缺货到2019年无解
被动元件龙头厂商国巨今(5)日召开股东常会,董事长陈泰铭表示,去(2017)年是国巨转型爆发的一年,公司营收、毛利、营业净利、税前/税后净利,及EPS均创下历史新高纪录,这与国巨前瞻布局和专注本业、扩增利基产品、优化客户组合有关;展望今年,他表示,国巨目前MLCC的订单出货比(BB值)为2倍、芯片电阻有3倍,目前对客户仍是配货状况,预计缺货的状况到2019年都无解;至于外界关注的并购,他则表示,并购普思后,未来有机会从产品源头就design in,未来也希望多结合这样的公司,以及在台湾结合更多厂商一起打世界杯。 陈泰铭今天准时9点亲自主持股东会,面对小股东针对每个议案发言,陈泰铭则强硬请小股东参考议事手册,并进行逐案表决,承认
[半导体设计/制造]
Vishay新电阻可节省系统空间,减少系统所需器件数量和成本
器件的功率密度是0805占位的标准电阻的2.5倍以上 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列厚膜表面贴装的卷包片式电阻---RCWH,电阻的功率等级达到0.33W,外形尺寸为0805。Vishay Dale RCWH系列电阻的功率密度是相同占位的标准电阻的2.5倍以上,在通信、计算机、工业和消费应用中能够节省空间,并减少元器件数量。 今天发布的这些电阻功率密度高,可以替换新设计或现有设计方案中较大尺寸的高功率器件或多个功率较低的电阻。这样就能减少所需的电路板空间和组装成本,同时实现更小、更轻的最终产品。另外,RCWH系列电阻降低了与PCB板的热膨胀
[半导体设计/制造]
Vishay新<font color='red'>电阻</font>可节省系统空间,减少系统所需器件数量和成本
ROHM开发出以1220尺寸达到1W业界超高额定功率的分流电阻器“LTR10L”
有助于各种应用产品的小型化! ROHM开发出以1220尺寸达到1W业界超高额定功率的分流电阻器“LTR10L” “MCR系列”通用型分流电阻器的两款机型也已更新,产品阵容更强大全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备和消费电子设备等广泛的应用领域,开发出“LTR系列”的长边电极型分流电阻器“LTR10L”,同时,“MCR系列”通用型分流电阻器中的两款机型也已更新为“MCR10L”和“MCR18L”,产品阵容得到进一步强化。 近年来,不仅在移动设备和电动汽车等电池驱动的应用领域,即使是在插座电源供电的消费电子和工业设备领域,都为了节能而要求产品高效率工作。而应用产品要实现高效率工作,很
[电源管理]
ROHM开发出以1220尺寸达到1W业界超高额定功率的分流<font color='red'>电阻</font>器“LTR10L”
浅谈MOSFET驱动电路
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。 当电源IC与MOS管选定之后, 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。 一个好的MOSFET驱动电路
[电源管理]
浅谈MOSFET驱动电路
汽车电子系统中的电流传感:选择合适的电阻
在最小的空间实现最佳的检测结果是汽车行业对汽车电子系统最常见的要求之一。这正是分流器技术的优势。但是,由于电阻本身结构和电阻材料会导致电阻在实际应用中产生完全不同的效果,仅仅通过比较数据表还无法找到合适的电阻。以下将通过计算示例描述一些实现最佳设计的重要参数。 电流检测电阻,也称为分流器,为人所知已有数十年之久。但是,目前电阻的应用已不局限于以往的狭窄范围,阻值极低并几乎没有误差的电阻和非常精确的检测数据采集系统。为研发人员开辟了十年前无法想象的应用领域。 车辆驱动的控制和调节大多要求工作电流在1-100A之间,在特殊情况下(例如,氧 传感器 预热),短时间内要求2-300A的电流,车辆启动时电流可达到1500A。在电池和
[嵌入式]
TDK开发出带EMI滤波器功能的BGA压敏电阻
      TDK株式会社开发出带EMI滤波器功能的BGA压敏电阻器“AVF26BA12A400R201(2.6×2.6×0.65mm)”,并计划于10月开始量产。       近年来,手机所等便携式电子设备进一步向小型化、高性能化发展,所搭载的电子零部件也同样朝着小型化、高度集成化发展。另外,为了控制电力消耗、确保并延长设备的运行时间的IC驱动电压也加速向低电压化发展。结果,电子设备便处于更容易受到来自带有高电压的静电所带来的影响的环境中,从而导致设备故障和元件损坏。因此,需要采取更为合适的防静电措施(ESD防护措施)。       TDK为满足这样的市场需求,开发出适用于安装在小型便携设备上的压敏电阻器,将端子形状
[模拟电子]
小广播
最新电源管理文章
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved