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寻找异类sot23封装的LDO
本帖最后由 Qiafa 于 2026-3-23 16:14 编辑 板子上有个简单的12V转3V3的LDO,sot23封装。但是layout ...
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瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关, 标志着功率转换设计规范的重大变革
瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关,  标志着功率转换设计规范的重大变革 首款具备直流阻断功能的双向GaN技术,可大幅减少功率转换拓扑结构所需的开关数量兼容标准栅极驱动器支持软切换与硬切换模式,实现快速、干 ...
关键字: 瑞萨电子 GaN开关 功率转换 设计规范 碳化硅
发布时间:2026-03-23
从封装看功率芯片:碳化硅T2PAK封装的优势
从封装看功率芯片:碳化硅T2PAK封装的优势 电动汽车(EV)、可再生能源系统和人工智能(AI)数据中心等领域电气化进程的持续提速,正不断给电源系统带来更大压力,对电源系统的效率、 ...
关键字: 电动汽车 功率芯片 碳化硅 封装
发布时间:2026-03-19
意法半导体新MasterGaN功率芯片整合设计灵活性和先进GaN技术
意法半导体新MasterGaN功率芯片整合设计灵活性和先进GaN技术 面向消费电子充电器和电源适配器、工业照明电源、太阳能微逆变器2026年3月17日,中国——意法半导体推出了MasterGaN系列氮化镓功率开关管半 ...
关键字: 意法半导体 MasterGaN 功率芯片 GaN
发布时间:2026-03-17
ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计!
ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计! 中国上海,2026年3月5日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP ...
关键字: ROHM SiC 三相逆变器
发布时间:2026-03-05
英飞凌推出集成式半桥解决方案CoolGaN™ Drive HB 600 V G5,进一步提升氮化镓的易用性
英飞凌推出集成式半桥解决方案CoolGaN™ Drive HB 600 V G5,进一步提升氮化镓的易用性 英飞凌推出集成式半桥解决方案CoolGaN™ Drive HB 600 V G5,进一步提升氮化镓的易用性【2026年3月4日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统 ...
关键字: 英飞凌 半桥 CoolGaN 氮化镓 栅极驱动器
发布时间:2026-03-04
罗姆加强GaN功率器件供应能力
~融合台积公司工艺技术,在集团内部建立一体化生产体系~中国上海,2026年3月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣 ...
关键字: 罗姆 GaN 功率器件
发布时间:2026-03-02
ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售!
ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售! 中国上海,2026年2月26日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20” ...
关键字: ROHM SiC 塑封型模块 栅极驱动器 导通电阻
发布时间:2026-02-26
英飞凌发布《2026年GaN技术展望》:技术创新引领功率半导体领域氮化镓高速增长
英飞凌发布《2026年GaN技术展望》:技术创新引领功率半导体领域氮化镓高速增长 至2030年,氮化镓(GaN)市场规模预计将达到30亿美元,年复合增长率高达44%英飞凌高压GaN双向开关采用变革性的共漏极设计与双栅极结构GaN功 ...
关键字: 英飞凌 GaN 功率半导体 氮化镓
发布时间:2026-02-10
氮化镓上车进行时:从器件特性到系统效率的全面验证
氮化镓上车进行时:从器件特性到系统效率的全面验证 2025年12月,汇川联合动力与英诺赛科共同宣布,采用650V氮化镓的新一代6 6kW车载充电系统在长安汽车成功装车。这标志着氮化镓技术在中国新 ...
关键字: 氮化镓 车载充电 长安汽车 新能源汽车
发布时间:2026-01-08
安森美携手格罗方德开发下一代氮化镓功率器件
安森美携手格罗方德开发下一代氮化镓功率器件 此次合作拓展了安森美功率产品组合,涵盖面向AI数据中心、汽车、航空航天及其他关键市场的高性能650V横向氮化镓(GaN)解决方案。概要:安 ...
关键字: 安森美 格罗方德 氮化镓 功率器件
发布时间:2025-12-19
英飞凌高功率碳化硅技术升级优化 助力 Electreon 动态无线充电道路系统升级
英飞凌高功率碳化硅技术升级优化 助力 Electreon 动态无线充电道路系统升级 动态无线充电道路系统可在客车与卡车行驶于道路及高速公路上时为其充电英飞凌定制碳化硅模块可大幅提高功率密度,使电动汽车搭载更小的电池 ...
关键字: 英飞凌 碳化硅 Electreon 无线充电
发布时间:2025-12-15
在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项
在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项 摘要本文详细讨论了GaN技术,解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关,介绍了电路示例,并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。 ...
关键字: 开关模式 电源 氮化镓 宽禁带半导体
发布时间:2025-12-15
意法半导体新电机控制GaN芯片平台提升家电能效等级
意法半导体新电机控制GaN芯片平台提升家电能效等级 高能效GaN功率晶体管集成技术,为白色家电和工厂自动化电机驱动器量身定制2025年12月9日,中国– 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半 ...
关键字: 意法半导体 电机控制 GaN 芯片 家电 能效等级
发布时间:2025-12-09
英飞凌氮化镓技术赋能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆变器
英飞凌氮化镓技术赋能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆变器 【2025年11月21日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司近日宣布将为Enphase Energy, Inc (ENPH)新一代光伏微型逆变器提供其突破性的氮 ...
关键字: 英飞凌 氮化镓 Enphase 光伏 逆变器
发布时间:2025-11-21
栅极驱动器也不难,原理和应用一文全部搞清楚
在新能源汽车、光伏逆变器、工业电机控制等 “高效能源转换” 场景中,如果说功率器件是能量传输的核心载体,那么驱动技术则是决定功率器 ...
关键字: 功率器件 栅极驱动
发布时间:2025-11-20
意法半导体集成化GaN反激式转换器,简化应用设计,消除可听噪声
意法半导体集成化GaN反激式转换器,简化应用设计,消除可听噪声 2025年11月17日,瑞士日内瓦——意法半导体推出一系列GaN反激式转换器,帮助开发者轻松研发和生产体积紧凑的高能效USB-PD充电器、快充和辅 ...
关键字: 意法半导体 GaN 反激式转换器 噪声
发布时间:2025-11-17
英飞凌推出首款100V车规级晶体管,推动汽车领域氮化镓(GaN)技术创新
英飞凌推出首款100V车规级晶体管,推动汽车领域氮化镓(GaN)技术创新 【2025年11月5日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽车电子委员会(AEC)汽车应用标准的氮化镓(GaN)晶体管系列,继 ...
关键字: 英飞凌 车规级 晶体管 汽车 氮化镓 GaN
发布时间:2025-11-05
安森美发布垂直氮化镓(GaN)半导体:为人工智能(AI)与电气化领域 带来突破性技术
安森美发布垂直氮化镓(GaN)半导体:为人工智能(AI)与电气化领域  带来突破性技术 安森美基于全新GaN-on-GaN技术,其垂直GaN架构为功率密度、能效和耐用性树立新标杆随着全球能源需求因 AI 数据中心、电动汽车以及其他高 ...
关键字: 安森美 氮化镓 GaN 半导体 人工智能 电气化
发布时间:2025-10-31
意法半导体半桥栅极驱动器简化低压系统中的GaN电路设计
意法半导体半桥栅极驱动器简化低压系统中的GaN电路设计 目标应用瞄准工业设备和计算机外围设备的电源转换2025年10月21日,中国——意法半导体的STDRIVEG210和STDRIVEG211半桥氮化镓(GaN)栅极驱动 ...
关键字: 意法半导体 半桥 栅极驱动器 低压系统 GaN 电路设计
发布时间:2025-10-21
体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET 中国上海,2025年10月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET ...
关键字: ROHM 量产 TOLL封装 SiC MOSFET
发布时间:2025-10-16
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