伴随着中国移动为TD-LTE数据卡联合研发项目启动招标,迈出了向4G升级的步伐。大唐电信、华为、中兴等公司之前也已先后公布了对于4G研究的进展,跟据市场调研公司Infonetic Research提供的报告,4G LTE的部署将会加快,该机构预测2013年4G基础设施的规模将达到50亿美元。
实际上半导体厂商早已跃跃欲试,意图抓住通讯网络发展所带来的机遇,ADI作为RFIC(射频集成电路)领域的领军者之一,显然不会错过这次的。
部门调整顺应4G发展
ADI射频网络通讯部业务拓展经理Justin Littlefield日前在接受EEWORLD记者采访时透露,ADI内部最近有了一些“小小的变化”。
“十年来的业务拓展经验令我们相信,中国需要不一样的支持方式。”Justin表示相比产品支持,中国工程师更需要系统支持与服务。
因此,ADI综合考虑产品应用以及所涉及的工艺两方面因素,将高速放大器、射频放大器、低频放大器以及他所在的射频网络通讯部等整合在一起,成立新的名为Linear RF部门,充分体现出ADI希望更好的服务于客户的决心。整合之后的部门可以更方便系统地解决工程师所遇到的困难,对于工艺而言,Justin表示“不管是高频放大器还是低频放大器,实质上都是放大器,遇到的挑战也基本相似。”
Justin透露,之前射频网络通讯部收入大概占到ADI总收入15%左右,而新成立Linear RF部门将占到ADI整个营收的40%以上,从而一跃成为ADI最大部门之一。不过他强调道:“未来产品线并没有改变,我们只是希望有针对性的协助客户开发定制化方案以及更合适的系统。”[page]
集成射频电路为4G铺路搭桥
基站等设施的快速增长,对于无线板卡设计工程师而言则需要更高密度、更小封装、性能更优异的混频器与调制器。Justin补充道:“用户还需要考虑BOM成本、散热、以及外加匹配电容电感等多方面因素。”
为此,ADI推出了一系列宽幅的高度集成的射频电路,包括ADRF 660系列以及ADRF670系列。该系列器件集成了ADI特有的PLL、VCO以及混频器/调制器,可显著外部分立元件以及额外的LDO稳压器。Justin解释,该系列器件是复用ADI之前调制器/混频器与锁相环IP,并且均为双极型制造工艺,因此可以在较短时间内设计出该产品。ADI产品经理Philips Halford也表示,“通过初期的评估,该系列产品可以缩小60%的PCB面积并且能有效地节约BOM成本。”
ADI 公司线性 RF 产品部副总裁 Peter Real 强调,“尽管将射频转换功能整合到一个集成电路中,但该系列产品并不牺牲任何性能。”Justin则详细解释了新系列产品的技术指标,ADRF670x系列I/Q调制器+合成器的OIP3为+30dBm,OP1dB为+15dBm,噪声为-158dBm/Hz,载波泄露小于-40dBm,边带抑制也低于-45dBc。他说:“较高的OP1dB可以保证发射出很干净的信号,而较小的载波泄露可以明显的区分开本振信号与接收信号。”
ADRF660系列RF下变频器+合成器混频器输入IP3为-26dBm,P1dB为+12dBm,电压转换增益为+6dB,本振至RF泄露为-40dBm,在5Mhz下,PLL信噪比为-150dBc/Hz。“由于混频器接收信号比较小但动态范围会有很大变化,因此我们需要更高值的IP3。但是随着IP3的提高,RF泄露也将变差,而ADI这款产品泄露较少,可以简化客户后端滤波器的设计。”Justin谈到。
Justin表示,尽管此前市面上已出现将混频器锁相环等芯片集成方案,但由于性能较差,并不能用在基站应用中,因此他强调,该系列产品为业界第一代适用于4G应用的集成RF混频器/调制器与锁相环的单芯片产品。
ADRF660与670系列个分为四款产品,本振范围从750Mhz至2900Mhz,40管脚可兼容封装,可以方便的覆盖从2G至4G频率范围内。Justin说:“几年前的所说的软件无线电技术现在看来并不方便,在修改软件之后每个频段还需要不同的滤波器之类的器件,而管脚兼容芯片推出之后,客户甚至不需要更换PCB板,只需更换芯片就可以选择不同的载波。
“我们的目的只是为了方便客户进行设计。”Justin总结道。
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