推荐阅读最新更新时间:2024-03-30 22:02
东芝推出650V系统超结MOSFET “DTMOS Ⅳ”系列
东京—东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布推出第四代超级结MOSFET “DTMOS IV”系列650V器件。作为该系列的首款产品,“TK14A65W”已经推出,并计划于2013年8月全面投入量产。 该系列采用最新的单外延工艺打造,其每单位面积导通电阻(Ron•A)较现有的650V “DTMOS II”系列产品约降低了50%,这就使之能够采用紧凑封装,有助于提高功效,缩小产品的集成尺寸。 主要规格
[电源管理]
东芝推出使用15nm TLC NAND闪存的客户端SSD
东京 东芝公司(TOKYO:6502)旗下半导体与存储产品公司今日宣布推出 SG5系列 客户端SSD,该SSD集成有采用15nm TLC工艺技术制造的NAND芯片。包括大容量1024GB型号在内的新产品将提供2.5-型和M.2 2280型(单面和双面)两种外形,以满足不断扩张的SSD应用领域的各种封装要求。样品发货即日启动。 SG5系列配备东芝专有的QSBC (Quadruple Swing-By Code) 错误修正技术,这种高效率错误修正码(ECC)有助于保障客户的数据免于损毁并提高可靠性。 东芝将继续加强其SSD阵容,以满足用户的不同需求并引领不断扩大的SSD市场。 新产品概述
[嵌入式]
SanDisk-东芝联盟凭借三位元技术扭转战局
最近NAND闪存芯片产业内部的竞争激烈程度已经到了白热化的阶段,今年一月份,Intel-镁光联盟刚刚宣布将在今年量产25nm制程NAND闪存芯 片,其对手SanDisk-东芝联盟便随后以牙还牙,宣布将于今年下半年推出基于24nm制程的NAND闪存芯片产品。 据SanDisk公司展示的产品发展路线图显示,SanDisk-东芝联盟推出的24nm制程NAND闪存芯片将可适用于两位元存储单元设计和三位元存储单元设计。而Intel-镁光联盟的25nm制程则仅可适用于两位元存储单元设计。 Avian Securities市调公司的分析师Dunham Winoto根据SanDisk公司上周举办的财报会议内容总结称:
[半导体设计/制造]
西部数据CEO信中求原谅,为收购东芝存储器业务妥协?
据路透社9月1日报道,在 西部数据 公司起诉 东芝 公司,以阻止存储芯片合资公司被出售给竞购方后,两家公司的关系陷入紧张。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 一封落款日期为8月11日的信件显示,在 西部数据 试图通过起诉 东芝 避免双方的合资存储芯片公司被出售给另外一家竞购方后, 西部数据 CEO斯蒂芬·米利根(StephenMilligan)曾向 东芝 CEO岗川智(SatoshiTsunakawa)道歉。 “我理解,这一诉讼和悬而未决的争执让东芝公司的一些人感到了极大恶意。这令人遗憾,我对于公司造成的这种感觉深感抱歉,”米利根在信中表示。 米利根试图在信中打消东芝CEOSatoshiTsunaka
[网络通信]
东芝面向快速充电器推出100V N沟道功率MOSFET
东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向快速充电器推出支持4.5V逻辑电平驱动的100V N沟道功率MOSFET,以此扩大其低电压N沟道功率MOSFET的产品阵容。“U-MOS VIII-H系列”的两款新MOSFET分别是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”,产品出货即日启动。 随着快速充电器的普及和发展,市场需要更高性能的用于次级侧整流器的功率MOSFET。这些新的MOSFET利用东芝低电压沟槽结构工艺,实现了业界领先的 低导通电阻和高速性能。该结构降低了“RDS(ON) * Qsw” 的性能指标,改善了开关应用。通过减小输出电荷,实现输出损耗改善,有助于提高装置效率。而且,
[手机便携]
东芝面向Web应用开发推出集成套件
全球唯一一款能够实现28 Gbit/s数据传输速率的TO管座/肖特尽享TO管座领 域50年专业经验 德国兰茨胡特(Landshut) 和中国深圳,2014年9月2日 – 高科技跨国公司德国特种玻璃制造商肖特(S C HOT T)是全球唯一一家提供高达2 8 GB i t / s数据传输速率的TO管座的公司。目前,肖特2 8 G TO P LU S ®管座可提供多种设计方案,用于支持各种不同的差分和单端高频应用。肖特开发TO管座的专业知识是建立在其长达5 0年的丰富经验之上的:早在1 9 6 4年,公司就开始采用玻璃-金属密封技术生产TO管座。此外,肖特还提供一系列采用玻璃-金属密封和陶瓷-金属密封技术的微电子混合封装产品
[手机便携]
东芝闪存子公司拟发优先股融资27亿美元 拯救母公司
腾讯科技讯 据共同社引述消息人士报道,日本东芝公司计划通过发行优先股的方式,融资27亿美元,摆脱美国核电资产减记带来的危机。 之前,东芝已经决定将其优质资产闪存业务分拆为独立公司。东芝将利用这家公司发行不具有投票权的优先股,总额为3000亿日元,相当于26.6亿美元。 据报道,东芝公司目前已经陷入困境,如果利用母公司发行股权,预期没有外部公司有兴趣购买。 之前,东芝公司旗下的美国核电业务出现了资产高估问题,将面临几十亿美元的重大资产减记,具体金额将会在二月份出台。为了避免陷入资不抵债,东芝急需要引入外部资金。 据悉,愿意入股东芝闪存公司的外部企业包括日本佳能公司,西部数据公司。 东芝闪存业务仅次于三星电子,是全球第二大闪存芯片
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东芝闪存业务备受追捧: 到日本买技术?
关于东芝闪存业务的买家和竞价消息仍在持续流出,市场都在密切关注这个百年老店的“金蛋”会落入谁家。 闪存是如今包括手机、笔记本电脑、平板电脑等便携式移动设备必不可少的组件。以集邦咨询2016年第三季度NAND闪存市场的数据为参考,东芝闪存芯片以19.8%的市场份额仅次于三星电子的36.6%,市场地位不容小觑。且闪存芯片自去年以来出现了供应紧张状况,价格正在不断上涨。而为了挽救财务危机,东芝不得不忍痛割肉。 根据IC Insights此前公布的2016年全球前20半导体企业预测,营收方面,美国有8家企业进入前20,日本、欧洲与中国台湾地区各有3家,东芝位列第9,索尼和瑞萨分列第15和17。 综合开发研究院(中国
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