东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率

发布者:RainbowMelody最新更新时间:2023-03-09 关键字:东芝  IGBT  空调  工业设备 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率


中国上海,2023年3月9日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路[1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。该产品于今日开始支持批量出货。


 image.png


功率半导体器件经过业界验证,对于节能工作意义重大,其中包括助力实现碳中和目标。由于在高功率的工业设备和家用电器中,例如变频器在空调中的应用越来越普遍,以及工业设备的大型电源需要降低功耗,因此对高效率开关器件的需求也在增长。这催生了对于PFC电路中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。


东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ(典型值)[3]的低开关损耗(关断损耗),与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外,新款IGBT还包含一个内置的二极管,其正向电压为1.2V(典型值)[5],比GT50JR22降低了大约43%[5]。这些改进有助于显著提高设备效率。


对于使用东芝当前产品GT50JR22的空调PFC电路,其工作频率低于40kHz[6]。而GT30J65MRB是东芝首款用于60kHz[6]以下PFC的IGBT,其可通过降低开关损耗(关断损耗)来确保更高的工作频率。


东芝将继续扩大产品线,以充分适应市场趋势,并不断提高设备效率。


 image.png

图1 关断损耗Eoff


 image.png

图2 效率与壳温


应用:


-家用电器(空调等)

-工业设备(工厂自动化设备、多功能打印机等)


特性:


-行业领先[2]的低开关损耗(关断损耗):由最新工艺实现的Eoff=0.35mJ[3](典型值)

-采用反向导通(RC)结构的内置续流二极管(FWD)

-快速开关时间(下降时间):tf=40ns(典型值)(TC=25℃、IC=15A、RG=56Ω)

-低二极管正向电压:VF=1.2V(典型值)(TC=25℃、IF=15A、VGE=0V)


主要规格:


image.png



注:


[1] 功率因数校正(PFC)电路:该电路可减小电压和电流之间的相位差,使功率因数接近于1,以抑制开关电源中产生的谐波分量。

[2] 根据东芝截至2023年3月的调研。

[3] 测试条件:电感负载、VCE=400V、IC=15A、VGE=15V、RG=56Ω、TC=175℃

[4] 截至2023年3月,东芝测量值(测试条件:VCC=400V、IC=15A、VGG=+15V/0、RG=56Ω、TC=175℃)。

[5] 测试条件:IF=15A、VGE=0V、TC=25℃

[6] 截至2023年3月,由东芝使用其PFC评估板测试得到的测量值。


关键字:东芝  IGBT  空调  工业设备 引用地址:东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率

上一篇:Cincoze 德承强势登场Embedded World 2023
下一篇:关于日本电产三协研发出冰箱专用新型风道风门的通知 

推荐阅读最新更新时间:2024-10-26 09:49

东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调工业设备的效率
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率 中国上海,2023年3月9日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路 的650V分立IGBT---“GT30J65MRB” 。该产品于今日开始支持批量出货。 功率半导体器件经过业界验证,对于节能工作意义重大,其中包括助力实现碳中和目标。由于在高功率的工业设备和家用电器中,例如变频器在空调中的应用越来越普遍,以及工业设备的大型电源需要降低功耗,因此对高效率开关器件的需求也在增长。这催生了对于PFC电路中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。 东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。 优化
[工业控制]
<font color='red'>东芝</font>最新款分立<font color='red'>IGBT</font>将大幅提高<font color='red'>空调</font>和<font color='red'>工业</font><font color='red'>设备</font>的效率
东芝新款分立IGBT有助于降低功耗并简化设备设计
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出“GT20N135SRA”,这是一款用于桌面电磁炉、电饭煲、微波炉等家用电器电压谐振电路的1350V分立IGBT。该产品于今日起开始出货。 GT20N135SRA产品图 GT20N135SRA的集电极-发射极的饱和电压 为1.75V,二极管正向电压 为1.8V,分别比东芝当前产品 低10%和21%。IGBT和二极管都针对高温(TC=100℃)条件下的导通损耗特性进行了改进,而且新款IGBT还有助于降低设备功耗。该产品的结壳热阻为0.48℃/W(最大值),比当前产品 低26%,有助于简化热设计。 新款IGBT在设备开机时能抑制通过谐振电容的短路电流。其电路电流
[半导体设计/制造]
<font color='red'>东芝</font>新款分立<font color='red'>IGBT</font>有助于降低功耗并简化<font color='red'>设备</font>设计
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力工业电源设备实现高效率
中国上海,2024年9月25日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品,为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。 东芝现已开始提供该系列的十款新产品,其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。 最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品,其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基(JBS)结构 。在结势垒中使用新型金属,有助于这些新产品实现业界领先的 1.27 V(典型值)低正向电压、低总电容电荷和低反
[电源管理]
<font color='red'>东芝</font>第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力<font color='red'>工业</font>电源<font color='red'>设备</font>实现高效率
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装
中国上海,2023年8月31日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的 第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。 该系列中五款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,十款产品于今日开始批量出货。 新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品,其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,有助于减少封装内源极线电感的影响,从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N1
[电源管理]
<font color='red'>东芝</font>推出用于<font color='red'>工业</font><font color='red'>设备</font>的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化
中国上海,2023年8月29日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款 2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。 类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多为1200V或1700V产品。然而,预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用,因此东芝发布了业界首款2200V产品。 MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V(典型值)的低漏极-源极导通电压
[电源管理]
<font color='red'>东芝</font>开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力<font color='red'>工业</font><font color='red'>设备</font>的高效率和小型化
东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管,助力提高工业设备效率
中国上海,2023年7月13日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出最新一代 用于工业设备的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBDs)——“TRSxxx65H系列” 。首批12款产品(均为650V)中有7款产品采用TO-220-2L封装,其余5款采用DFN8×8封装,于今日开始支持批量出货。 新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属,优化了第2代产品的结势垒肖特基(JBS)结构 。它们实现业界领先 的1.2V(典型值)低正向电压,比上一代的1.45V(典型值)低17%。此外,新产品还在正向电压与总电容电荷之间以及正向电压与反向电流之间取得了平衡,从而在降低了功耗的同时提高了设备效率。
[电源管理]
<font color='red'>东芝</font>推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管,助力提高<font color='red'>工业</font><font color='red'>设备</font>效率
东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET
东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET -该系列产品包含1200V和650V两种规格- 中国上海,2022年8月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET “TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,已于今日开始出货。 新产品的单位面积导通电阻(RDS(ON)A)下降了大约43% ,从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大约80% ,这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20% ,
[电源管理]
<font color='red'>东芝</font>推出面向更高效<font color='red'>工业</font><font color='red'>设备</font>的第三代SiC MOSFET
东芝面向汽车信息通信系统与工业设备应用以太网桥接产品
东芝面向汽车信息通信系统与工业设备应用的以太网桥接IC产品线拓展 —配备两个10Gbps以太网AVB/TSN端口和三个PCIe® Gen3 Switch端口— 中国上海,2022年1月12日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出以太网桥接IC产品线新产品---“TC9563XBG”,旨在支持汽车信息通信系统和工业设备中的10Gbps通信。该产品样品出货现已开始,将于2022年8月开始量产。 车载网络 正在向区域架构 发展,基于1Gbps及以上速率的以太网,采用实时多千兆 传输方式实现各区域之间的通信。东芝首次为这款新推出的桥接IC配置了双端口10Gbps以太网,支持USXGMII、XFI、S
[汽车电子]
<font color='red'>东芝</font>面向汽车信息通信系统与<font color='red'>工业</font><font color='red'>设备</font>应用以太网桥接产品
小广播
最新工业控制文章
换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved