单片机的扩展RAM读写时序实验-电子工程世界

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书上看到的毕竟是理论的东西，实际应用中总会碰上意外的或者说是不可预测的情况，与其在那瞎推理，还不如动手做点实际的工作。

　　　特权同学用的是11.0592MHz的STC89C52做测试，C代码也很简单：

　　#include

　　#define uchar unsigned char

　　#define uint unsigned int

　　uchar xdata LD _at_ 0x7fff;

　　void delay(uint cnt)

　　{

　　uint i;

　　for(i=0;i

　　}

　　void main(void)

　　{

　　uchar i;

　　delay(1000);

　　while(1)

　　{

　　LD = 0x00;

　　LD = 0xf0;

　　LD = 0x73;

　　// i = LD;

　　delay(1000);

　　LD = 0xff;

　　delay(1000);

　　}

　　LD就是扩展的外部RAM变量，地址是0x7fff，也就是说P2的最高位就是CS信号。示波器测试了P0口任意一个数据的变化、CS的变化、WRRD信号的变化。大体整理了一下，波形基本如下：

　　另外，除了第一次LD读操作需要5个指令周期外(1.085us*5)，以后每次LD读操作都只要3个指令周期(1.085*3)。这也是从汇编的代码里仿真后得出来的结论。而从上图也可以知道CS有效时间其实是一个指令周期(1.085us)。平均3个指令周期完成一次数据传输(所谓的RAM方式读写数据)，这应该是单片机和外部通信的最快速度了。

关键字：单片机扩展RAM 读写时序引用地址：单片机的扩展RAM读写时序实验

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