推荐阅读最新更新时间:2024-03-16 13:19
一种电模拟流场实验仪的设计
在采油过程中,分支井之间的相互干扰,成为影响分支井产能的主要因素。为了更好的研究分支井的相互干扰对产能的影响,本文根据水流和电流现象之间的相似性,设计了一种研究在采油过程中流压的实验仪。 针对采油过程中可能出现的对称式多分支井,任意夹角的双分支井和鱼骨型分支井,本文进行了一系列的模拟实验,实践证明实验仪操作简单,实验结果快速、准确,对油层流动的研究起到很好的辅助作用。 1.引言 为了更好的研究在采油过程中油气层在地层的流动情况,电模拟作为一种最广泛的实验模拟手段得到越来越多的应用。为了更好的研究,提高实验精度,本文在研究现有的实验装置的基础上,将实验电路进行改进,设计出一种新型的电模拟流场试验仪,目前该试验仪在长江大学石油工程学院
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51单片机RS232串口通信代码分析
一、串口初始化 void usart_init() { SCON = 0x50; //REN=1允许串行接受状态,串口工作模式1 TMOD = 0x20; //定时器工作方式2 PCON = 0x00; TH1 = 0xFD; //波特率9600、数据位8、停止位1。效验位无 (11.0592M) TL1 = 0xFD; ES = 1; //开串口中断 EA = 1; //开总中断 TR1 = 1; //启动定时器 } SCON寄存器 1.SM0、SM1:串行口工作方式控制位 2.SM2:多机通信控制位 3.REN:允许接收位 4.TB8:发送接收数据位8 5.RB8:接收数据位8 6.TI:发送中断标志位 TI=1表
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单片机(AT89C51)定时/计数器实验案例
案例分析 总结了经常遇到的三种类型: 已知8051单片机的fosc=12MHz用T1定时,试编程由P1.0引脚分别输出周期为2ms的方波。 已知8051单片机的fosc=12MHz用T1定时。试编程由P1.0引脚分别输出周期为2s的方波。 使用定时器1, 以定时方法在P1.0输出周期为20ms,占空比为20%的矩形脉冲,设单片机晶振频率fosc为12MHz,编程实现。 为了方便分析我们先把实验图给出来(示波器是为了让我们的实验结果更加的明显): 实验一(已知8051单片机的fosc=12MHz用T1定时,试编程由P1.0引脚分别输出周期为2ms的方波) 先计算我们的初值(结果可以不用详细的计算,直接在代码中表示
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51单片机-实践操作
上一讲的代码中,我们只需重点关注“UART_E2Write();”和“UART_E2Read();”,其他代码都与前几讲的“液晶屏与串口”的代码思路一样。 1.写函数分析 首先先分析“UART_E2Write();”。 判断字符串的前部分是否为“E2Write:”然后读取出要在EEPROM哪个地址开始写入数据,k则是记录了要写多少了字节进去,RXDBUF 之后的数据就是代表真正要写进去的数据。 比如我们在电脑端窗口发送如下字符串:E2Write:084,I love learning SCM 前面的字符串判断通过,然后是确定要写入的起始地址,地址是84(全部地址是0~255), 记住不能只单单写“E2Write:84,I
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PIC单片机流水灯程序
#INCLUDE P16F877.inc ; org 00h ; goto a1; org 0ch; ;****************************************** ; 主程序段 ;****************************************** a1 movlw 8;循环次数 movwf 40h; movlw B'01111111';初显示值 movwf 41h; a2 bsf STATUS,RP0;选择体1 bcf STATUS,RP1; movlw 00h; movwf TRISD;设置RD口为输出口 bcf STATUS,RP0
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MCS-51单片机地址指针及其应用介绍
MCS-51单片机外部RAM的地址空间为64K,地址总线为16位,访问外接RAM可执行如下4条指令: MOVX A,@DPTR MOVX @DPTR,A MOVX A,@RI MOVX @RI,A 其中DPTR为16位地址寄存器,地址高8位存于DPH,地址低8位存于DPL;Ri(I=0,1)是8位寄存器,作为地址指针时仅存低8位地址。 MCS-51执行上述指令时分为两个阶段:首先,是从外接程序存储器中取出指令代码,并进行分析。然后,执行对外接RAM的数据读/写操作。在这两个阶段,P0口、P1口上的地址选通是有区别的。 执行“MOVX A,@DPTR”和“MOVX @DPTR,A”指令时,在读指令代码阶段,由程序计数器
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C51编程中对单片机绝对地址访问的两种方法
在进行8051单片机应用系统程序设计时,编程都往往少不了要直接操作系统的各个存储器地址空间。C51程序经过编译之后产生的目标代码具有浮动地址,其绝对地址必须经过BL51连接定位后才能确定。为了能够在C51程序中直接对任意指定的存储器地址进行操作,可以采用扩展关键字 at 、指针、预定义以及连接定位控制命令。 在这些方法中,本人认为最简单而有效的方法是用 _at_ 关键字来对指定变量存储器空间绝对地址来指定。一般格式如下: 数据类型 标识符 _at_ 地址常数 其中: 存储器类型 为idata、data、xdata等C51能够识别的所有类型,最好不要省略。 数据类型 可以用int、long、floa
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使用电容器降低MCU的电源噪声
STM32是广泛应用的MCU,涵盖Cortex-M0、M3、M4和M7内核,共有1236多个系列,包含STM32主流MCU、STM32高性能MCU、STM32超低功耗MCU、STM32无线MCU、STM32 Arm Cortex MPUs等门类。 STM32 MCU内置高级12位ADC(取决于器件),提供自校准功能。在涉及模数转换的应用中,ADC精度会影响整体的系统质量和效率。而ADC精度不仅取决于ADC性能和功能,还取决于ADC周围的整体应用设计,例如电源噪声,这些恰恰可以能通过电容器过滤掉。 在电源线和地线之间,建议连接具有优良高频特性的电容。也就是说,应在靠近电源的位置安装一个0.1μF和一个1至10μF的电容,这些
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