PIC16F917驱动段码液晶(内部集成驱动)程序-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

#include

//#define a 0b00000010

//#define b 0b00001000

#define a 0b01000000 //另一段

#define b 0b00100000 //另一段

#define c 0b01000000

#define d 0b10000000

#define e 0b00100000

#define f 0b00000100

#define g 0b00010000

#define none 0x00000000

#define LCD_MASK0 0xff

#define LCD_MASK1 0xff

#define LCD_MASK2 0xff

/*LCD取模:xDCEGFBA*/ /* 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9*/

//const unsigned char LCD_MODEL[11]={0x77,0x22,0x5b,0x6b,0x2e,0x6d,0x7d,0x23,0x7f,0x6f,0x00};

const unsigned int LCD_MODEL[10][2]={

{a,b+c+d+e+f}, //0

{b,c}, //1

{a+b,d+e+g}, //2

{a+b,c+d+g}, //3

{b,f+c+g}, //4

{a,f+c+d+g}, //5

{a,f+c+d+e+g}, //6

{a+b,c}, //7

{a+b,f+c+d+e+g}, //8

{a+b,f+c+d+g} //9

} ;

/*LCD初始化函数*/

void Init_LCD(void)

{

/*COM0*/

LCDDATA0=0x00;

LCDDATA1=0x00;

/*COM1*/

LCDDATA3=0x00;

LCDDATA4=0x00;

/*COM2*/

LCDDATA6=0x00;

LCDDATA7=0x00;

/*COM3*/

LCDDATA9=0x00;

LCDDATA10=0x00;

/*SEG0-SEG14使能*/

LCDSE0=0xff;

LCDSE1=0x7f;

/*使能LCD驱动模块,休眠模式下禁止LCD驱动模块,无LCD写错误,使能VLCD引脚*/

/*时钟选择FOSC/8192,公共端选择1/4(COM<3:0>)*/

LCDCON=0xd3;//0xd3;

/*B型波形,1/3偏置模式,使能LCD驱动模块,允许写入LCDDATAx寄存器*/

/*LCD预分频比选择位:LP<3:0>=0010=1:3,LCD帧频率=64Hz*/

LCDPS=0xb3;//0xb3;

}

void Lcd_Show0(char Data)

{

LCDDATA0=(LCDDATA0&~LCD_MASK0)|LCD_MODEL[Data][1];//<<3);

LCDDATA1=(LCDDATA1&~LCD_MASK0)|LCD_MODEL[Data][0];

LCDDATA2=0;

}

void Lcd_Show1(char Data)

{

LCDDATA3=(LCDDATA3&~LCD_MASK0)|LCD_MODEL[Data][1];//<<2);

LCDDATA4=(LCDDATA4&~LCD_MASK0)|LCD_MODEL[Data][0];

LCDDATA5=0;

}

void Lcd_Show2(char Data)

{

LCDDATA6=(LCDDATA6&~LCD_MASK0)|LCD_MODEL[Data][1];//<<1);

LCDDATA7=(LCDDATA7&~LCD_MASK0)|LCD_MODEL[Data][0];

LCDDATA8=0;

}

void Lcd_Show3(char Data)

{

LCDDATA9 =(LCDDATA9&~LCD_MASK0) |LCD_MODEL[Data][1];//<<0);

LCDDATA10=(LCDDATA10&~LCD_MASK0)|LCD_MODEL[Data][0];

LCDDATA11=0;

}

/*LCD显示函数,显示范围-1999~1999*/

void LCDNUMI(int num)

{

unsigned char ge,s,ba,q;//ge=0,s=0,ba=0;/*个位,十位,百位*/

q=num %10000/1000;

ba=num %1000/100;

s=num %100/10;

ge=num %10;

Lcd_Show3(ge);

Lcd_Show2(s);

Lcd_Show1(ba);

Lcd_Show0(q);

}

void delay(int i)

{

while(i>0)

{

i--;

}

void main(void)

{

int num=1234;//-1999;

OSCCON = 0b01110001; //8MHz内部晶振

while(!HTS); //等待主时钟稳定// while(!(OSCCON&0x04));

Init_LCD();

while(1)

{

LCDNUMI(num);//只能显示第一位

// num++;

delay(65000);

}

关键字：PIC16F917 段码液晶集成驱动引用地址：PIC16F917驱动段码液晶(内部集成驱动)程序

上一篇：PIC16F917 内部AD练习程序
下一篇：pic单片机AD查询法调试（无数字滤波）

推荐阅读最新更新时间：2024-03-16 13:49

电驱动与动力域研究：电驱总成向集成化、域控化演进

佐思汽研发布《2023年新能源汽车电驱动与动力域行业研究报告》。为迎合汽车电动化、轻量化的发展趋势，新能源汽车的电驱动总成也向着高度集成化的方向发展。目前，电驱系统的集成以三合一技术路线为主流，将电机、电控与减速器集成，整体技术已经较为成熟。从纯电驱动总成发展趋势来看，电控系统的集成在未来则更倾向于多合一深度集成，整体向着“3+3+X平台”演进（电驱三合一+充配电三合一+BMS/VCU/PTC/TMM等）。在“六合一”产品的基础上进一步与BMS、VCU等集成，形成“七合一”或“八合一”，再进一步与整车热管理系统联动融合，形成“九合一”或“十合一”产品，实现机械部件和功率部件的深度融合。电驱系统的集成思路

[汽车电子]

电<font color='red'>驱动</font>与动力域研究：电驱总成向<font color='red'>集成</font>化、域控化演进

IR2304半桥驱动集成电路的功能原理及应用

摘要：IR2304是美国IR公司生产的新一代半桥驱动集成芯片，该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路，可直接驱动两个中功率半导体器件如MOSFET或IGBT，动态响应快，驱动能力强，工作频率高，且具有多种保护功能。文中介绍了IR2304的功能特点、工作原理和典型应用电路。关键词：半桥驱动集成电路；IR2304；三相桥式逆变器１ＩＲ２３０４的功能特点ＩＲ２３０４是国际整流器公司（ＩＲ）新推出的多功能６００Ｖ高端及低端驱动集成电路，这种适于功率ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ驱动的自举式集成电路在照明镇流器、电源及电机等功率驱动领域中将获得广泛的应用。ＩＲ２３０４的性能特点如下：（１）芯片体积小（ＤＩＰ８），集成度高（可同

[电源管理]

Diodes推出集成30V MOSFET和肖特基二极管的可编程调光LED驱动器

Diodes公司推出AL3050电流模式升压型LED驱动器，为便携式设备的LED背光提供可编程亮度功能。这款产品具有先进的调光特点、小尺寸、低BOM成本和高效率的优点，非常适合带有小型LCD面板的单节锂离子电池设备，比如多功能/智能手机、便携式媒体播放器、GPS接收器以及其它超移动设备。通过集成30V 0.6 MOSFET和功率肖特基二极管，AL3050可以驱动多达8个串联LED，并且能够并联连接多个LED串。该器件具有深度调光比达到100:1的普通PWM调光模式，并提供32步可编程亮度调节能力的单线数字调光模式。升压转换器在750kHz固定开关频率工作，以降低输出纹波和改善转换效率，并允许使用小型外部组件。 A

[电源管理]

Diodes推出<font color='red'>集成</font>30V MOSFET和肖特基二极管的可编程调光LED<font color='red'>驱动</font>器

技术解读GKN、BOSCH和ZF三合一集成电驱动桥技术

电动汽车三合一电驱系统技术是指将电控、电机和减速器集成为一体的技术，随着电动汽车技术的不断演进，集成化设计将无可争辩地成为未来发展的趋势，在这一领域国内厂商也有涉及，国外的GKN、ZF和BOSCH相对走在前列，并已在部分车型上有所应用；本文通过解读具体产品向各位同学介绍技术参数和设计结构，了解其先进之处，更新我们的知识储备，以便日后应用到工作中。 1、GKN吉凯恩（纳铁福） GKN吉凯恩中国合资企业（纳铁福）将在上海工厂进行最新电驱动桥(eDrive) 技术的生产，将电动机、逆变器和eAxle减速箱置于同一封装空间。经过优化的电动轴驱动系统已装备于小型汽车，采用轻量化设计的传动部件实现了12.5:1的传动比，该设计可适

[汽车电子]

技术解读GKN、BOSCH和ZF三合一<font color='red'>集成</font>电<font color='red'>驱动</font>桥技术

意法半导体发布车用高集成度智能高边驱动器

中国，2021 年10月8日——意法半导体推出了新一代汽车智能开关模块VN9D30Q100F 和 VN9D5D20FN，这是市场上首款在片上全数字诊断功能中增加了数字电流检测回路的驱动芯片，为12V 电池供电汽车系统高边连接专门设计，可简化电控单元 (ECU) 的硬件和软件设计，并增强系统可靠性。新器件利用意法半导体新一代的 VIPower* M0-9 技术，在 6mm x 6mm QFN 封装中整合一个带3.3V 数字逻辑电路的高效 40V 沟槽垂直 MOSFET和高精度模拟电路，其紧凑尺寸和高集成度比市场上现有类似驱动器芯片节省电路板面积高达 40% 。 VN9D30Q100F 有两个 33 m W 和两个90

[电源管理]

意法半导体发布车用高<font color='red'>集成</font>度智能高边<font color='red'>驱动</font>器

一款可替代集成 MOSFET 驱动器的卓越解决方案

在电源设计小贴士#42中，我们讨论了MOSFET栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型SOT-23晶体管便可以实现2A范围的驱动电流。在本设计小贴士中，我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步整流器栅极免受过高电压带来的损坏。理想情况下，您可以利用电源变压器直接驱动同步整流器，但是由于宽泛的输入电压变量，变压器电压会变得很高以至于可能会损坏同步整流器。图1 显示的是用于控制同步反向拓扑中Q2 传导的分立器件。该电路可以让您控制开启栅极电流并保护整流器栅极免受高反向电压的损坏。该电路可以用变压器输出端的负电压进行驱动。12V 输入与5V 输出相比负电压值很大，从而引起Q1 传

[电源管理]

一款可替代<font color='red'>集成</font> MOSFET <font color='red'>驱动</font>器的卓越解决方案

驱动中国智造，NI以集成式软硬件平台应对工业物联网挑战

美国国家仪器有限公司（National Instruments, 简称NI）在上海嘉里大酒店举办了驱动中国智造走进工业物联网与大数据媒体见面会暨《工业大数据》新书发布会。此次会议旨在让用户了解工业物联网与大数据应用的最新发展趋势，分享NI模块化、集成式嵌入式软硬件平台的独特优势，同时见证《工业大数据》新书发布。现今工业4.0、智能硬件、物联网已经成为全球热门话题，并且伴随着《中国制造2025》规划的提出，传统制造业正在面临着物联网与智造转型的巨大挑战。NI作为全球领先的图形化系统设计平台提供商，通过软硬件平台与物联网系统的集成，为整个物联网范围内设备和系统的测试、可嵌入到工业物联网的智能控制与监测系统以及实

[物联网]

半导体产业专家柳滨：六大因素驱动我国集成电路设备发展

　　“我国集成电路年进口额近年来一直保持在2000亿美元以上，严重依赖进口，市场供需关系严重失衡。”中国电子科技集团公司第四十五研究所集团首席专家柳滨说。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。　　从制造技术来看，我国集成电路与国际先进工艺相差2~3代，设备严重依赖进口，国产化面临考验。　　目前，国际集成电路制造先进制造技术是14—10nm工艺节点，前端制造到达7nm工艺节点，2018年下半年将量产，5—3nm节点技术正在研发中。而国内方面，14nm制造技术预计2019年实现量产，与国际先进工艺存在代差。　　柳滨指出，我国集成电路制造装备与世界先进水平的差距，主要是由我国集成电路制造装备现状和固有发展特点所

[嵌入式]