stm32的flash如何写数据和当做eerom使用

STM32 本身没有自带 EEPROM，但是 STM32 具有 IAP（在应用编程）功能，所以我们可以把它的 FLASH 当成 EEPROM 来使用，同时，开发者为了维护后期的版本升级，应该考虑到升级的可能和可行性，总不能让用户拿着仿真器在线升级或现场调试吧很尴尬的，其次建议串口升级是目前较为被大众接受的方式，stm32的串口升级时BOOT0在上啦的情况下升级只需要硬件设计时考虑到就ok。程序一般烧写在flash里边，地址0x8000000开始，升级的原理就是就是有一个写好的bootloader引导程序，它占用一定的空间比如0x800000-0x80002000这是这段代码的空间，那么用户程序就是实现功能的程序就要从0x80002001k开始执行了，在这里设置的时候还要注意嵌套中断的NVIC是有区别的。
在bootloader里NVIC_configuration()
是这样的
void NVIC_Configuration(void)
{
    NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;
              
#ifdef  VECT_TAB_RAM 
       /* Set the Vector Table base location at 0x20000000 */
       NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_RAM, 0x0);
#else  /* VECT_TAB_FLASH  */
       /* Set the Vector Table base location at 0x08000000 */
       NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH  , 0);  
#endif
       /* Configure one bit for preemption priority */
       NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_1);      
}

在功能程序里边就要将0X8000000改成0x8000001l了。在keil编译软件里要设置一下。在general options里。那么FLASH 可以存放程序，当然也可以当EEROM用了就是这个道理。
STM32 FLASH 简介
不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字节，最大的则达到了1024K 字节。战舰 STM32 开发板选择的 STM32F103ZET6 的 FLASH 容量为 512K 字节，属于大容量产品（另外还有中容量和小容量产品），
STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。
主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是 0X08000000，  B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。
信息块，该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。另一部分用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，
闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
闪存的读取
内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何 32 位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个 AHB 接口与 CPU 衔接。这个接口的主要工作是产生读闪存的控制信号并预取 CPU 要求的指令块，预取指令块仅用于在 I-Code 总线上的取指操作，数据常量是通过 D-Code 总线访问的。这两条总线的访问目标是相同的闪存模块，访问 D-Code 将比预取指令优先级高
这里要特别留意一个闪存等待时间，因为 CPU 运行速度比 FLASH 快得多，STM32F103的 FLASH 最快访问速度≤24Mhz，如果 CPU 频率超过这个速度，那么必须加入等待时间，比如我们一般使用 72Mhz 的主频，那么 FLASH 等待周期就必须设置为 2，该设置通过 FLASH_ACR寄存器设置,具体代码体现在RCC_Configuration（）内部这句话
 /* 设置FLASH延时周期数为2 */
           FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2);        。
使用 STM32 的官方固件库操作 FLASH 的几个常用函数。这些函数和定义分布在文件 stm32f10x_flash.c 以及 stm32f10x_flash.h 文件中。
1.  锁定解锁函数
在对 FLASH 进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列（KEY1 和 KEY2）,固件库函数实现很简单：
void FLASH_Unlock(void)；
同样的道理，在对 FLASH 写操作完成之后，我们要锁定 FLASH，使用的库函数是：
void FLASH_Lock(void)；
2.  写操作函数
固件库提供了三个 FLASH 写函数：
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);
顾名思义分别为：FLASH_ProgramWord 为  32 位字写入函数，其他分别为 16 位半字写入和用户选择字节写入函数。这里需要说明，32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。
3.  擦除函数
固件库提供三个 FLASH 擦除函数：
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
这三个函数可以顾名思义了，非常简单。
4.  获取 FLASH 状态
主要是用的函数是：
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void)；
返回值是通过枚举类型定义的：
typedef enum
{ 
　　FLASH_BUSY = 1,//忙
　　FLASH_ERROR_PG,//编程错误
　　FLASH_ERROR_WRP,//写保护错误
　　FLASH_COMPLETE,//操作完成
　　FLASH_TIMEOUT//操作超时
}FLASH_Status;
从这里面我们可以看到 FLASH 操作的 5 个状态，每个代表的意思我们在后面注释了。
5.  等待操作完成函数
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是：
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout)
入口参数为等待时间，返回值是 FLASH 的状态，这个很容易理解，这个函数本身我们在固件库中使用得不多，但是在固件库函数体中间可以多次看到。
6.  读 FLASH 特定地址数据函数
有写就必定有读，而读取 FLASH 指定地址的半字的函数固件库并没有给出来，这里我们自己写的一个函数：
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
return *(vu16*)faddr; 
}


而流程就是 

触发条件----àFlashunlockà serialdown--à flashlock
看了半天，原来只要几句就可以解决，当然是不考虑其他功能，只是简单的读写操作。
其中写操作如下：
     FLASH_Unlock();  //解锁FLASH编程擦除控制器
     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
     /*********************************************************************************
          //               FLASH_FLAG_BSY            FLASH忙标志位
          //               FLASH_FLAG_EOP            FLASH操作结束标志位
          //               FLASH_FLAG_PGERR            FLASH编写错误标志位
          //               FLASH_FLAG_WRPRTERR       FLASH页面写保护错误标净         
     **********************************************************************************/
     FLASH_ErasePage(FLASH_START_ADDR);     //擦除指定地址页
     FLASH_ProgramHalfWord(FLASH_START_ADDR+(addr+i)*2,dat); //从指定页的addr地址开始写
     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
     FLASH_Lock();    //锁定FLASH编程擦除控制器

从上面可以看出基本顺序是：解锁-》清除标志位（可以不要）-》擦除-》写半字16位-》清楚标志位（也可以不要）-》上锁。其中FLASH_START_ADDR是宏定义的0x8000000+2048*255,0x8000000是Flash的起始地址，2048是因为我用的是大容量芯片，根据上一笔记Flash地址可以看出芯片每页容量2K，即2048字节，255表示芯片的最后一页，这个根据不同芯片而定。之所以从后面页写起可以防止储存数据破坏用户程序。addr*2是因为每个数据占用2字节（半字），虽然写入的是1字节数据，但是编程是2字节为单位，也就是说一个字节的数据也会占用两个字节地址。
用YMODEM 协议(ymodem协议自己脑补)烧写会用到flasheraser,剩下的就是要写的数据地址，数据包大小处理，怎么写到每一页去，以后更新!