JLink烧写Nor Flash出错的解决方案

发布者:和谐的24号最新更新时间:2018-07-23 来源: eefocus关键字:JLink  烧写Nor  Flash 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

最近在看国嵌的教学视频,在国嵌体验入门班-2-1(开发板系统安装-Jlink方式)一集中,直接烧写nor flash,不进行任何配置的方法,能够成功纯属偶然!在视频中烧写时也出现了两次错误,误认为是JLink不稳定,先将此文贴出,纠正其错误方法。


如果出现上述错误,可以参考下面的方法进行重新配置。

我的开发板是mini2440,如果是其它类型,也可以根据具体情况参考。


一、解决方案一

1、在网上搜索S3C2440 JLink配置文件下载。

2、点击file -> open project,选中下载好的初始化工程文件。

3、点击option -> project settings选择Flash,点击select flash device。选中开发板对应的nor flash芯片型号,我的板子采用得是SST39VF1601 ,这里我选择SST39VF1601。具体情况参考用户手册可以查找到Nor Flash芯片型号。

配置文件的内容如下所示:


设置好前面这些之后,就可以进行下面的烧写工作了,通过这种方式一次烧写成功。


二、解决方案二

1、选择Options -> Project Settings -> CPU -> 'Use following init sequence:'中,默认只有一行:
0 reset  0 0ms reset and Halt target
然后选中该行,点击Edit,修改Delay为2ms,确定即可。



三、解决方案三

1、点击options-->project settings-->CPU,选择Use following init sequence 中的Action,把 Reset 改成 Halt 也可以。


但是建议大家最好使用第一种方案。擦除Nor Flash成功的现象如下所示:


关键字:JLink  烧写Nor  Flash 引用地址:JLink烧写Nor Flash出错的解决方案

上一篇:基于STM32与NOR FLASH的SPI通信
下一篇:使用J-link+J-Flash给STM32芯片烧写序列号

推荐阅读最新更新时间:2024-03-16 16:09

尺寸有限性能无线,FORESEE SPI NAND Flash问市
随着5G时代即将带来的数据狂潮,万物互联对存储芯片也提出了更高的要求。电子产品的功能越来越丰富且复杂,但尺寸却越来越小,存储芯片小型化的趋势愈加明显。凭借20多年的技术深化与经验的积累,江波龙电子旗下嵌入式存储品牌FORESEE推出SPI(Serial Peripheral Interface)NAND Flash产品,契合了移动电子产品小型化发展需求和便携的特点。经过全方位的测试与验证,其在容量及性能方面均已达到行业前列。 背景 以往电子产品的功能少而简单,所需要编写的程序代码不多,一般用NOR Flash来存储程序即可满足需要。而现在电子产品的功能越来越丰富、复杂,所需要运行的程序越来越大,代码越来越多
[嵌入式]
尺寸有限性能无线,FORESEE SPI NAND <font color='red'>Flash</font>问市
stm32---SPI与外部FLASH
stm32外部flash是EN25QXX 芯片 使用 STM32F1 的 SPI 和外部 FLASH(EN25QXX)进行通信,实现数据的读写 操作。本章要实现的功能是:首先检测外部 FLASH 是否正常,然后使用 K__UP 和 K_DOWN 键控制 FLASH 的写入和读取,并将 数据显示在 串口助手上,同时控制 D1 指示灯不断闪烁,提示系统正常 运行 W25Q128 将 16M 的容量分为 256 个块( Block),每个块大小为 64K 字 节,每个块又分为 16 个扇区( Sector),每个扇区 4K 个字节。 W25Q128 的最小擦除单位为一个扇区,也就是每次必须擦除 4K 个字节。这样我们需要给 W2
[单片机]
高性能FLASH存储器在DSP电机智能保护中的应用
摘要:DSP芯片以其高速、实时性等优点逐步被用到电机保护中,利用高性能外围器件尤其是外围存储器与DSP的硬件匹配是充分发挥其优点的必要条件。文中以基于TMS320C32高速CPU为核心芯片的智能型电机保护装置为模型,介绍了高性能FLASH芯片Am29F010B与DSP芯片的硬件接口电路、软件编程技术以及应注意的问题和设计技巧。 关键词:Flash存储器 DSP 嵌入式算法 Am29F010B 国内的电动机保护装置种类繁多,但随着现代大中型电动机对保护要求的不断提高和VLSI技术的不断进步,传统的基于热敏电阻、机械式继电器和电子式等保护模式均因可靠性不高,容易出现误操作等缺点已不能满足需要;而以单片机为核心的数字或保护装置的运
[缓冲存储]
STM32 Nor Flash DFU
这次要讲讲怎么实现Nor Flash的升级。 Nor Flash的DFU工程还是基于之前的flash DFU的工程上修改而来。工程的目录如下: 我使用的Nor Flash芯片是M29W128F,该芯片共有128Mb的空间,通过FSMC挂接在BANK0。正好在UBS的官方程序里也有使用芯片的例子,所以也就是说管方的Nor Flash的驱动代码是使用M29W128F这款芯片的。所以我们需要从拷贝fsmc_nor.c和fsmc_nor,h这两个文件添加到我们的USB_User这个组中。还要讲我们之前的flash_if文件修改为nor_if名。这样工程的文件就算齐了,下面就讲讲怎么修改个文件。 首先hw_config、usb_ist
[单片机]
STM32 <font color='red'>Nor</font> <font color='red'>Flash</font> DFU
NOR Flash市场依然供不应求,旺宏要“盘满钵满”了
NOR Flash是一种非易失闪存技术,是Intel在1988年创建。是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 旺宏总经理卢志远表示,2018年品牌NOR Flash市场需求还会增加,要不缺货还有点困难,旺宏第1季全球NOR Flash市占率达26%,全年目标30%,中长期看50%市占,同时董事会也追加新台币17.85亿元的资本支出
[嵌入式]
STM32中flash的读写详解
一:对STM32内部FLASH写进行编程操作,需要遵循以下流程:   1.FLASH解锁   2.清除相关标志位   3.擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便)   4.写入FLASH   5.锁定FLASH (1)获取状态:FLASH_Status FLASH_GetStatus(void); 返回值是通过枚举类型定义的。 typedef enum { FLASH_BUSY = 1, //忙 FLASH_ERROR_PG, //编程错误 FLASH_ERROR_WRP, //写保护错误 FLASH_COMPLETE, //操作完成 FLASH_TIMEOUT /
[单片机]
利用 Platform Flash PROM 实现多重启动功能
提要 一些应用利用 Xilinx FPGA 在每次启动时可改变配置的能力,根据所需来改变 FPGA 的功能。Xilinx Platform Flash XCFxxP PROM 的设计修订 (Design Revisioning) 功能,允许用户在单个PROM 中将多种配置存储为不同的修订版本,从而简化了 FPGA 配置更改。在 FPGA 内部加入少量的逻辑,用户就能在 PROM 中存储的多达四个不同的修订版本之间进行动态切换。多重启动或从多个设计修订进行动态重新配置的能力,与 Spartan-3E FPGA 和第三方并行 flash PROM 一起使用时所提供的 MultiBoot 选项相似。 本应用指南将进一步说明 Platf
[嵌入式]
FLASH存储器的测试方法研究
1.引言 随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大,FLASH型存储器的用量迅速增长。FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点,在移动产品中非常适用。市场的需求催生了一大批FLASH芯片研发、生产、应用企业。为保证芯片长期可靠的工作,这些企业需要在产品出厂前对FLASH存储器进行高速和细致地测试,因此,高效FLASH存储器测试算法的研究就显得十分必要。 不论哪种类型存储器的测试,都不是一个十分简单的问题,不能只将存储器内部每个存储单元依次测试一遍就得出结论,这是因为每一个存储单元的改变都有可能影响存储器内部其他单元的变化(这种情况又是常常发生的)。这种相关性产生了巨大的测试工作量[1]。另外,FLAS
[测试测量]
<font color='red'>FLASH</font>存储器的测试方法研究
小广播
添点儿料...
无论热点新闻、行业分析、技术干货……
设计资源 培训 开发板 精华推荐

最新单片机文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved