结合固件库探讨STM32读写FLASH步骤、HardFault问题

在单片机系统中，程序的存储一般放在flash中，不易丢失的数据一般存放在EEROM中（比如说我们经常使用的AT24C02,、AT24C256），一般情况不建议将频繁读写的数据存放在Flash中，一方面FLASH在单片机中都是1K或2K为一页，在执行擦除指令时，一次最少要擦除一页的数据。FLASH支持单字节读写，但每次在更新数据前都必须先擦除原数据，然后才能重新写入数据，而不能在原数据基础上更新内容。另一方面，频繁读写Flash会缩短Flash的使用时间。

flash的读写一般用作两种情况，第一种是通过程序下载或仿真将程序下载到单片机Flash，另一种是在单片机运行过程中实现在线升级(IAP)。对于初学者，参照编程手册做一次编程练习以便进一步加深理解是有必要的。

flash的读写要注意两点：

1、注意读写Flash的地址是否数据对齐或者可读写，特别注意区分读写半字或字、读写的地址是否在Flash区 （0x800，0000-64K）。

2、注意当前Flash是否处于读写保护模式。

当遇到HardFault时，当然就是这两点有其一出错了。一般是Flash读写的地址错误！

这些内容都可以从相应正在使用的芯片编程手册中获得，这里也做了截图如下：

Flash的读操作非常简单，其操作与读取特殊功能寄存器完全一致，举例如下：

         test_r=*(__IO uint16_t*)0x8003000;

Flash的写操作就有点复杂了，其中包括，解锁、擦除、写、上锁4步。当然编程手册中也给出了具体的步骤如图所示：

由于有了固件库的使用，实际上编程操作非常简单，当然通过分析这些固件库函数可以更加深入的理解Flash读写步骤。程序如下：

         FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_1);       //设置延迟

         FLASH_Unlock();                          //解锁

FLASH_ErasePage(0x8003000);              //擦除

         FLASH_ProgramHalfWord(0x8003000,test16); //写半字

FLASH_Lock();                            //上锁

         test_r=*(__IO uint16_t*)0x8003000;        //验证

解锁、擦除、写、上锁4步是必须的，一般频率在24MHZ以上的为了Flash读写正确需要设置延迟，当然不设置也并不会出错，将写入Flash的内容读出一般是为了验证写入的是否正确，写错了当然要重头再写一遍了，对于可靠性要求不高的话，只有解锁、擦除、写、上锁4步就可以了。