由于项目需要大量的图片字库还有音频文件,所以外挂了NOR flash和NAND flash,需要用到烧写算法STLDR(就是包含几段在SRAM里面运行的代码),调试的时候遇到了几个问题,都是大意造成的,所以写出来记录一下
首先烧写用到PC端软件是STM32 STLINK Utility,在安装目录下附带了一些常用的flash的烧写算法,但没有我用到的那种,所以只能参考ST-LINK Utility UM手册在…\ST-LINK Utility\ExternalLoader目录下的工程模板上修改,修改需要用到对FLASH的初始化、读写、擦除函数,这个要提前调试好,填到对应的函数内就可以了,后面由上位机自己调用
问题来了,主要是三方面的问题,第一个是编译出错,第二个是延时,第三个是地址
1)编译出错:在修改完模板第一次编译的时候可能会报错.\xxx.axf: Error: L6265E: Non-PI Section loader_src.o(.data) cannot be assigned to PI Exec region PrgData.,这个问题需要修改target.sct文件,添加ABSOLUTE,这个是偶然在一个论坛上看到的,在此表示感谢
2)延时问题:工程用的cubemx的HAL库开发,所有延时部分都是用的HAL_Delay()函数,但是在模板中并没有使用中断,一直卡死在延时函数里面出不来,所以最终改为常用的自减法来达到延时的目的
3)地址问题:flash接在OSPI2接口上,起始基地址是0x70000000,但是OSPI的库函数使用的地址是不包括基地址的,而在模板中读写函数传入的地址参数是带着基地址的,所以需要与0x0FFFFFFF相与再使用
这三个问题解决好就可以正常读写了,就是感觉速度不快,带校验也就50k/s,可能是HAL库函数注重稳定性和兼容性,代码冗余多,直接操作寄存器可能会快点
关键字:STM32 STLINK 烧写外置FLASH
引用地址:
STM32用STLINK烧写外置FLASH遇到的问题
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