存储器扩展连接理解(S3C2410为例)—NandFlash-电子工程世界

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1. NandFlash接口电路

[ARM笔记]存储器扩展连接理解(S3C2410为例)—NandFlash - Fantity Wei - Footprint

2. NandFlash接口信号

* NandFlash接口信号较少

* 数据宽度只有8Bit，没有地址总线。地址和数据总线复用，串行读取

信号名称	信号描述
IO[7..0]	数据总线
CE#	片选信号(Chip Select)，低电平有效
WE#	写有效(Write Enable)，低电平表示当前总线操作是写操作
RE#	读有效(Read Enable)，低电平表示当前总线操作是读操作
CLE	命令锁存(Command Latch Enable)信号，写操作时给出此信号表示写命令
ALE	地址/数据锁存(Address Latch Enable)信号，写操作时给出此信号表示写地址或数据
WP#	写保护(Write Protect)信号
R/B	忙(Read/Busy)信号

3. NandFlash地址结构

* NandFlash设备的存储容量是以页(Page)和块(Block)为单位的。

* Page=528Byte (512Byte用于存放数据，其余16Byte用于存放其他信息，如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等)。

* Block=32Page

* 容量为64MB的NandFlash存储结构为：512Byte×32Page×4096Block

* NandFlash以页为单位进行读和编程（写）操作，一页为512Byte；以块为单位进行擦除操作，一块为512Byte*32page=16KB

* 对于64MB的NAND设备，需要26根地址线，由于NAND设备数据总线宽度是8位的，因此必须经过4个时钟周期才能把全部地址信息接收下来

	I/O7	I/O6	I/O5	I/O4	I/O3	I/O2	I/O1	I/O0
第一个周期	A7	A6	A5	A4	A3	A2	A1	A0
第二个周期	A15	A14	A13	A12	A11	A10	A9	A8
第三个周期	A23	A22	A21	A20	A19	A18	A17	A16
第四个周期							A25	A24

* 可以这么说，第一个时钟周期给出的是目标地址在一个page内的偏移量，而后三个时钟周期给出的是页地址。

* 由于一个页内有512Byte，需要9bit的地址寻址，而第一个时钟周期只给出了低8bit，最高位A8由不同的读命令(Read Mode2)来区分的。

4. NandFlash的命令

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