存储、NAND FLASH控制器实验(S3C2410)

       本实验介绍如何使用SDRAM，这需要设置13个寄存器。呵呵，别担心，这些寄存器很多是类似的，并且由于我们只使用了BANK6，大部分的寄存器我们不必理会：
1．BWSCON：对应BANK0-BANK7，每BANK使用4位。这4位分别表示：
       a．STx：启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚，对于SDRAM，此位为0；对于SRAM，此位为1。
       b．WSx：是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0
       c．DWx：使用两位来设置存储器的位宽：00-8位，01-16位，10-32位，11-保留。
       d．比较特殊的是BANK0对应的4位，它们由硬件跳线决定，只读。
       对于本开发板，使用两片容量为32Mbyte、位宽为16的SDRAM组成容量为64Mbyte、位宽为32的存储器，所以其BWSCON相应位为：0010。对于本开发板，BWSCON可设为0x22111110：其实我们只需要将BANK6对应的4位设为0010即可，其它的是什么值没什么影响，这个值是参考手册上给出的。
2．BANKCON0-BANKCON5：我们没用到，使用默认值0x00000700即可
3．BANKCON6-BANKCON7：设为0x00018005
      在8个BANK中，只有BANK6和BANK7可以使用SRAM或SDRAM，所以BANKCON6-7与BANKCON0-5有点不同：
     a．MT([16:15])：用于设置本BANK外接的是SRAM还是SDRAM：SRAM-0b00，SDRAM-0b11
     b．当MT=0b11时，还需要设置两个参数：
        Trcd([3:2 R A S to CAS delay，设为推荐值0b01
 SCAN([1:0])：SDRAM的列地址位数， 对于本开发板使用的SDRAM HY57V561620CT-H，列地址位数为9，所以SCAN=0b01。如果使用其他型号的SDRAM，您需要查看它的数据手册来决定SCAN的取值：00-8位，01-9位，10-10位
       4．REFRESH(SDRAM refresh control register)：设为0x008e0000+ R_CNT其中R_CNT用于控制SDRAM的刷新周期，占用REFRESH寄存器的[10:0]位，它的取值可如下计算(SDRAM时钟频率就是HCLK)：
       R_CNT = 2^11 + 1 – SDRAM时钟频率(MHz) *SDRAM刷新周期(uS)
在未使用PLL时，SDRAM 时钟频率等于晶振频率12MHz；SDRAM的刷新周期在SDRAM的数据手册上有标明，在本开发板使用的SDRAM HY57V561620CT-H的数据手册上，可看见这么一行“8192 refresh cycles /64ms”：所以，刷新周期=64ms/8192 = 7.8125 uS。
对于本实验，R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125 =1955,
REFRESH=0x008e0000 + 1955 = 0x008e07a3
  5．BANKSIZE：0x000000b2
位[7]=1：Enable burst operation
位[5]=1：SDRAM power down mode enable
位[4]=1：SCLK is active only during the access(recommended)
位[2:1]=010：BANK6、BANK7对应的地址空间与BANK0-5不同。BANK0-5的地址空间都是固定的128M，地址范围是(x*128M)到(x+1)*128M-1，x表示0到5。但是BANK7的起始地址是可变的，您可以从S3C2410数据手册第5章“Table5-1. Bank 6/7 Addresses”中了解到BANK6、7的地址范围与地址空间的关系。本开发板仅使用BANK6的64M空间，我们可以令位[2:1]=010(128M/128M)或001(64M/64M)：这没关系，多出来的空间程序会检测出来，不会发生使用不存在的内存的情况——后面介绍到的bootloader和linux内核都会作内存检测。
位[6]、位[3]没有使用

6．MRSRB6、MRSRB7：0x00000030
         能让我们修改的只有位[6:4](CL)，SDRAM HY57V561620CT-H不支持CL=1的情况，所以位[6:4]取值为010(CL=2)或011(CL=3)。
          只要我们设置好了上述13个寄存器，往后SDRAM的使用就很简单了。本实验先使用汇编语言设置好SDRAM，然后把程序本身从Steppingstone(还记得吗？本节开始的时候提到过，复位之后NAND
Flash开头的4k代码会被自动地复制到这里)复制到SDRAM处，然后跳到SDRAM中执行。
本实验源代码在SDRAM目录中，
head.s开头的代码如下：
1 bl disable_watch_dog
2 bl memsetup
3 bl copy_steppingstone_to_sdram
4 ldr pc, =set_sp @跳到SDRAM中继续执行
5 set_sp:
6 ldr sp, =0x34000000 @设置堆栈
7 bl main @跳转到C程序main函数
8 halt_loop:
9 b halt_loop
       为了让程序结构简单一点，我都使用函数调用的方式。第一条指令是禁止WATCH DOG，往WTCON寄存器(地址0x53000000)写入0即可禁止WATCH DOG。第二条指令设置本节开头所描述的13个寄存器，以便使用SDRAM。往下程序做的事情就是：将Steppingstone中的代码复制到SDRAM中(起始地址为 0x30000000)，然后向pc寄存器直接赋值跳到SDRAM中执行下一条指令“ldr sp, =0x34000000”。