STM8 存储FLASH、EEPROM、存储保护

STM8内部的FLASH程序存储器和数据EEPROM由一组通用寄存器来控制。用户可以使用这些寄存器来编程或擦除存储器的内容、设置写保护、或者配置特定的低功耗模式。用户也可以对器件的选项字节(Option byte)进行编程。

• STM8S EEPROM分为两个存储器阵列：
  • 最多至 128K字节的FLASH程序存储器，不同的器件容量有所不同。请参考4.4存储器组织结构了解更多细节。 
  • 最多至 2K字节的数据EEPROM(包括option byte－选择字节)，不同的器件容量有所不同。请参考4.4存储器组织结构了解更多细节。 
• 编程模式
  • 字节编程和自动快速字节编程(没有擦除操作) 
  • 字编程 
  • 块编程和快速块编程(没有擦除操作) 
  • 在编程/擦除操作结束时和发生非法编程操作时产生中断 
• 读同时写(RWW)功能。该特性并不是所有STM8S器件都拥有。请参考ATM8具体的数据手册了解更多细节。 
• 在应用编程(IAP)和在线编程(ICP)能力。 
• 保护特性
  • 存储器读保护(ROP) 
  • 基于存储器存取安全系统(MASS密钥)的程序存储器写保护 
  • 基于存储器存取安全系统(MASS密钥)的数据存储器写保护 
  • 可编程的用户启动代码区域(UBC)写保护 
• 在待机(Halt)模式和活跃待机(Active-halt)模式下，存储器可配置为运行状态和掉电状态。

存储器组织结构

STM8S的EEPROM以32位字长(每字4字节)为基础组织起来。根据不同的器件，存储器组织机 构有所不同：

• 小容量STM8S器件
  • 8K FLASH程序存储器，每页 64字节，共 128页 
  • 640字节数据 EEPROM，每页 64字节，共 10页。数据 EEPROM包括一页的选项字节(64字节)。 
• 中容量STM8S器件
  • 从 16K到 32K FLASH程序存储器，每页 512字节，最多 64页 
  • 1K字节数据EEPROM，每页 512字节，共 2页。数据 EEPROM包括一页的选项字节(512字节)。 
• 大容量STM8S器件
  • 从 64K到 128K FLASH程序存储器，每页 512字节，最多 256页 
  • 从 1K到 2K字节数据 EEPROM，每页 512字节，共 4页。数据 EEPROM包括一页的选项字节(512字节)。

页的大小定义了用户启动代码区域(UBC)大小的最小可调整值。请参考4.4.1用户启动区域 (UBC)。 图3和图4展示了STM8S系列FLASH存储器和数据EEPROM的组织机构。

 用户启动区域(UBC)

用户启动区域(UBC)包含有复位和中断向量表，它可用于存储IAP及通讯程序。UBC有一个两级保护结构可保护用户代码及数据在IAP编程中免于无意的擦除或修改。这意味着该区域总是写保护的，而且写保护不能通过使用MASS密钥来解锁。

在ICP模式下(使用SWIM接口)可以通过修改选项字节来配置UBC的大小。UBC选项字节指定了分配在UBC中的页的数量。UBC区域的起始地址是0x00 8000。 可以通过读取UBC选项字节来获得UBC区域的大小。请参考图6，图7和图8来了解UBC区域的存储器映射。对于选项字节部分，请参考相应的数据手册了解更多的UBC选项字节的细节。

 1. UBC[7:0]=0x00意味着没有定义用户启动区域。请参考相应的数据手册了解UBC选项字节的细节。 
2. 头两页(1K字节)包含中断向量表。中断向量表只占用128字节(32个中断向量)。