STM32F0（10）片内 FLASH 操作

void Flash_Init(void)

{

// 调整flash与时钟速率之间的关系

FLASH->ACR |= FLASH_ACR_LATENCY;

}

void Flash_Unlock(void)

{

// FLASH->CR 的第7位为解锁的标志位或者上锁的操作位

while(FLASH->CR & FLASH_CR_LOCK)

{

FLASH->KEYR = FLASH_FKEY1;

FLASH->KEYR = FLASH_FKEY2;

}

}

void Flash_Lock(void)

{

FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK;

}

void Flash_Clear_All_Flag(void)

{

unsigned long flag_temp;

flag_temp = FLASH->SR;

FLASH->SR = flag_temp & 0x34;

}

// 因为flash是从0x08000000开始的，总共64k，每1k就是1页

// which_page_temp -- 你所清空页包含的地址（该地址在哪一页的范围就清空哪一页）

void Flash_Earse_Page(unsigned long which_page_temp)

{

    FLASH->CR |= FLASH_CR_PER;

    FLASH->AR  = which_page_temp;

    FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT; 

    while(FLASH->SR & FLASH_SR_BSY); // 等待BSY清零 

    FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PER;

}

// 因为flash是从0x08000000开始的，总共64k，每1k就是1页

// 我们直接将最后一页当做一个储存空间，即储存的首地址为 (0x08000000 + 1024 * 63)

// 所以 write_dat_temp 的范围 0 -- （1024 / 4 - 1）

// Flash数据长度必须是半字节，其它长度会引起中断

// 为了配合读取的时候是整个一个字，写入的时候也写入一个字

void Flash_Write_Dat(unsigned long write_num_temp,unsigned long write_dat_temp)

{

Flash_Clear_All_Flag();

Flash_Unlock();

Flash_Earse_Page(0x08000000 + 1024 * 63);

FLASH->CR |= FLASH_CR_PG;

*(__IO uint16_t*)(0x08000000 + 1024 * 63 + write_num_temp * 4 + 0) = (write_dat_temp & 0xffff);

*(__IO uint16_t*)(0x08000000 + 1024 * 63 + write_num_temp * 4 + 2) = ((write_dat_temp & 0xffff0000) >> 16);

while(FLASH->SR & FLASH_SR_BSY); // 等待BSY清零

FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG;

Flash_Lock();

}

// 因为flash是从0x08000000开始的，总共64k，每1k就是1页

// 我们直接将最后一页当做一个储存空间，即储存的首地址为 (0x08000000 + 1024 * 63)

// 所以 read_num_temp 的范围 0 -- （1024 / 4 - 1）

// 读取一个地址的时候，读取的是一个字，4个字节,所以一次需要跳过四个字节

unsigned long Flash_Read(unsigned long read_num_temp)

{

unsigned long read_dat_temp;

read_dat_temp = *(__IO uint32_t *)(0x08000000 + 1024 * 63 + read_num_temp * 4);

while(FLASH->SR & FLASH_SR_BSY); // 等待BSY清零

return read_dat_temp;

}