STM32——FLASH(掉电保存)-电子工程世界

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今天使用STM32的FLASH进行保存数据，实现掉电保存的功能。

掉电保存：使用FLASH存储时，在每一次数据刷新后，进行一次存储即可。

PS：重新下载时，会刷新保存的数据。

FLASH编程思路：

写入：先执行擦除数据（页擦除||全片擦除），再进行写入操作

写入范围：0x08000000 +程序大小 < 写入地址 + 写入字节 <= flash大小（根据芯片的数据手册可以查看）

flash写入过程：

1，读FLASH_CR的LOCK

2，FLASH_SR的BSY位，是否有其他编程正在操作

3，设置FLASH_CR的PG位为1

4，指定的地址写入要编程的半字

5，等待BSY位变为0

6，读出写入的地址并验证数据

flash页擦除过程

1，读FLASH_CR的LOCK

2，检查FLASH_SR的BSY位，是否有其他编程正在操作

3，置FLASH_CR的PER = 1;

4，用FLASH_AR选择要擦除的页

5，置FLASH_CR的STRT = 1

5, 等待BSY位变为0

6，读出验证擦除页的数据

附上程序源码：

链接：http://pan.baidu.com/s/1eSDu7Fs 密码：ksf0

关键字：STM32 FLASH 掉电保存引用地址：STM32——FLASH(掉电保存)

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