基于AT89C2051单片机的智能化快速充电系统设计

发布者:Whisper123最新更新时间:2018-04-07 来源: eefocus关键字:AT89C2051  单片机  快速充电系统 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

    1.前 言

  自1859年法国物理学家普兰特(Plante)发明了铅酸蓄电池至今已有140年的历史。铅酸蓄电池有着成本低,适用性宽,可逆性好,大电流放电性能良好,单体电池电压高,并可制成密封免维护结构等优点,而被广泛地应用于车辆启动、邮电、电力、铁路、矿山、采掘、计算机UPS等各个领域中。蓄电池也是国民经济以及国防建设的重要能源,在许多行业的发展中,也迫切需要容量大、循环寿命长、充电时间短、价格低的蓄电池。而快速充电技术也成为了其中的关键技术,它对电池的使用有着非常重要的影响。目前,国内外都在不断地研究这一技术,而在快速充电技术中引入计算机控制,是非常有效的,且有着非常明显的经济效益。而单片机又以其低廉的成本,灵活的控制方式而得到业界的青睐,本系统就是以AT89C2051单片机为核心,集测量与控制为一体的智能化快速充电系统。

2.快速充电的机理

  铅酸蓄电池快速充电技术是在常规充电技术的基础上发展起来的,不论采用何种充电制度进行充电,铅酸蓄电池充电的成流过程都要遵守双极硫酸盐化理论,即其化学反应方程式为:

  按常规充电法,充电电流安培数,不应超过蓄电池待充电的安时数。这样,才可保证在整个充电过程中,产生气体和温升的状况符合要求。因此,常规的蓄电池其充电方法都采用小电流的恒压或恒流充电,充电时间长达10至20多个小时,给实际使用带来许多的不便。为了缩短电池的充电时间,国内外一直都在不断地研究和开发快速充电方法和技术。
  1967年美国人麦斯(J. A. Mas)提出了蓄电池充电的三个定律后,这些理论就成为了我们研究快速充电技术的基础。蓄电池有着如下的充电特性:
  (1)蓄电池充电接受能力随放电深度而变化。如果以相同大小的电流放电,则,放出电量越多,充电接受率α越高,充电接受电流越大。即有如下关系:

  又因   
     故有  

  I0——开始充电时的最大初始电流值。
  C——放电容量。
  K——常数,可由实验求出。
  (2)对于任何给定的放电深度,充电接受率:

  又因I0=αC,所以 

  Id——放电电流。
  常数K和k可由实验得出。
  上式表明,蓄电池的充电接受率取决于它的放电历史,以小电流长时间放电的蓄电池,充电接受率低,相反,以大电流短时间放电的蓄电池,充电接受率高。
  (3)一个蓄电池经几种放电率放电,其充电接受电流是各个放电率下接受电流之和。即:  It = I1+I2+I3+……
  同时服从:
                                        
  It——总接受电流。
  Ct——放出的总电量。
  αt——总的充电接受率。
  放电可使全部放掉的电量Ct增加,同时也使总的充电接受电流It增加。因此,蓄电池在充电前或充电过程中适当地放电,将会增加充电接受率αt。
  按照麦斯理论,我们对充电过程中的充电电流进行实时控制,即用大电流充电,并在充电过程中,短暂地停止充电,在停充期间加入放电脉冲,打破蓄电池充电指数曲线自然接受特性的限制。但是,理论和实践证明,蓄电池的充放电是一个非常复杂的电化学过程,由快速充电的电化机理可知,影响快速充电的重要因素是蓄电池的电极极化现象,这是一切二次电池所共有的,包括有欧姆极化、浓差极化和电化学极化。而蓄电池的电极极化现象,又可以通过在充电过程中适时加入放电脉冲来消除。因此,要实现快速充电,就需要多方面的控制,其控制特点为:
  (1) 多变量——诸如要控制蓄电池内的温度、充电电流的大小、充电的间隔时间、去极化脉冲的设置等。
  (2) 非线性——充电电流应随充电的进行而逐渐降低,否则,会造成出气和温升的增加。
  (3) 离散性——随着蓄电池的放电状态、使用和保存历史的不同,即使是相同型号、相同容量的同类蓄电池的充电情况也不一样。
  对于如此复杂的充电过程,使用传统的充电电路显然难以控制,因此,也影响了快速充电的效果。为了能更有效地实现快速充电,必须使用先进的控制手段,我们利用单片机构造了一个具有自动检测功能的蓄电池充电实时控制系统。根据蓄电池快速充电的机理,对充电的电池进行实时的动态检测,适时发出去极化脉冲及调整充电电流,力求以较高的充电平均电流进行充电,而且还能有效地抑制气体的析出。从而达到快速充电的目的。

3.智能充电系统的构成

  本系统以AT89C2051单片机为核心,它是高性能的8位CMOS单片微型计算机。片内带有2K可重编程的Flash EPROM,足够存放一般的控制程序;具有丰富的I/O控制功能;片内带有2个16位定时器/计数器;多个中断源;一个精密模拟比较器。它对许多嵌入式控制应用提供了一种高度灵活和低成本的解决办法。
  根据系统功能的需要,组成的硬件结构如图1所示。
该系统包括几个主要部分:
  (1) 以AT89C2051单片机作为整个智能充电系统的控制核心,用于数据的处理、计算及输入输出控制。
  (2) 电压检测电路
由RC电路与AT89C2051单片机的内置积分模拟比较器组成,用于电池电压的实时检测,该电路同时将检测到的模拟电压转换成数字量提供给计算机处理。
  (3) 去极化放电电路
由RC放电回路与MOSFET电子开关组成,电池的充电状态信息经单片机处理后,根据需要经由AT89C2051的I/O口适时发出去极化脉冲,控制开关闭合接通放电回路,以消除电池的极化现象,也可以消除某些电池的不良记忆,提高它的充电接受率。
  (4) 充电控制电路
采用输出电压在一定范围内可调节的高频开关式充电电源。并且加入适度的电流负反馈,使输出特性变软,避免充电器在加载瞬间的电流冲击,并具有一定的恒流作用。
  (5) 状态显示电路
状态显示电路由不同的指示灯组成,根据不同的工作状态由单片机控制显示充电中或充电结束状态。


   4.系统软件设计

  本系统软件使用MCS-51汇编指令编写,并固化于片内的程序存储器中,使用极为方便。程序的流程图如图2所示。

 

整个系统的控制过程为:蓄电池组开始充电一段时间后,检测电池电压,当达到电池出气点电压(约2.4V/单体)时,停止充电,然后进行大电流(约2C)放电去极化,时间为1ms,充放电曲线如图3所示。放电后,再检测电池状态,进行去极化效果检测,达到去极化效果则回转充电,否则,再次进行去极化放电,直至达到去极化要求的效果才回转充电。如果连续放电n次(n=3),电池电压变化很小,则充电完成并结束充电状态。

5.系统的工作与性能评估

  我们用本系统对24V12AH免维护铅酸电池组进行快速充电试验,首先以1安培放电,放电终止电压为20V。充电电流取8A(0.66C),充电50分钟后,蓄电池组端电压达到24.5V,在充电至40分钟左右,去极化周期逐步缩短,充电电流下降到6.2A,经过2小时10分后,充电自动结束,蓄电池组终止电压为28.8V,5分钟后测试电池组端电压为27.6V。外壳温升15.6℃。
  放电试验是用1安培放电(负载用可调电阻)放电终止电压为20V时,放电时间为11小时25分,即充满率达到95﹪。通过充、放电试验,证明本充电控制系统是可行的。

  6.讨论

  1) 快速充电的唯一办法是遵照麦斯定律,利用充电-放电去极化的方式提高充电速度。
  2)充电速度越高,充电器的容量要相应增大。但是充电器的成本不成比例增加。如果进一步加大充电电流,充电的速度还可以进一步提高。但是,充电速度过高可能会带来一些新的问题,必须通过实验和设计的改进来实现。有专家认为,在快速充电过程中,只要温升能控制得合理,对电池的寿命和电池内部单体电池电压均衡都有好处。
  3) 本快速充电系统与传统的充电器相比,可以较大范围地提高充电速度,缩短充电时间。但是,充电器复杂系数略有增加。仅仅是增加了一个单片机实时检测控制环节和一个MOSFET电子开关及RC放电电路。因此,不失为一个简单实用的快速充电电路。

    7.结论

  绿色革命的一个重要体现是绿色交通。因此,很多国家都在致力于电动车的开发和研究。然而,蓄电池的快速充电依然是一个必不可少的课题。目前,市场上已出现了不少电动车和电动助力车、电动滑板车。根据专家的市场预测,2004年美国市场的需求量是500万辆,中国的产品因为价廉物美而成为了主导产品。因此,肯定对快速充电器有一定的需求。随着电动交通工具研究的深入和发展,可以预言,今后大、中、小各种容量的快速充电器将是商机无限。

参考文献

(1) 张占松,蔡宣三,开关电源的原理与设计,电子工业出版社,1999
(2) 余永权 ATMEL89系列单片机应用技术, 北京航空航天大学出版社 ,2002
(3) 朱松然 张勃然, 铅蓄电池技术,机械工业出版社 1988

关键字:AT89C2051  单片机  快速充电系统 引用地址:基于AT89C2051单片机的智能化快速充电系统设计

上一篇:单片机实验开发板测试程序解析
下一篇:基于C8051F313单片机的一种无刷直流电机调速控制系统

推荐阅读最新更新时间:2024-03-16 15:59

单片机执行程序的全过程介绍
单片机执行程序的过程,实际上就是执行我们所编制程序的过程。即逐条指令的过程。计算机每执行一条指令都可分为三个阶段进行。即取指令-----分析指令-----执行指令。 取指令的任务是:根据程序计数器PC中的值从程序存储器读出现行指令,送到指令寄存器。 分析指令阶段的任务是:将指令寄存器中的指令操作码取出后进行译码,分析其指令性质。如指令要求操作数,则寻找操作数地址。 计算机执行程序的过程实际上就是逐条指令地重复上述操作过程,直至遇到停机指令可循环等待指令 一般计算机进行工作时,首先要通过外部设备把程序和数据通过输入接口电路和数据总线送入到存储器,然后逐条取出执行。但单片机中的程序一般事先我们都已通过写入器固化在片内或
[单片机]
<font color='red'>单片机</font>执行程序的全过程介绍
51单片机数码管交通灯程序
本程序的pdf格式的原理图下载: http://www.51hei.com/f/ks51.pdf ,是在51hei单片机开发板上面做的,只需要看数码管部分的原理图即可 其他的可以忽略. /** *********************************************************************************** * @file : main.c * @author : xr * @date : 2014年4月16日10:04:27 - 2014年4月16日11:09:50 * @version : V1.2.3 * @brief : 数码管交通灯 TrafficLight 单片机S
[单片机]
“性能+安全”天花板,芯驰科技发布车规MCU E3系列产品
全球领先的车规芯片企业芯驰科技发布高性能高可靠车规MCU E3“控之芯”系列产品,可全面应用于线控底盘、制动控制、BMS、ADAS/自动驾驶运动控制、液晶仪表、HUD、流媒体视觉系统CMS等对安全性和可靠性要求极高的应用。 芯驰科技E3系列产品基于ARM Cortex-R5F,CPU主频高达800MHz。E3具有高达6个CPU内核,其中4个内核可配置成双核锁步或独立运行,填补国内高端高安全级别车规MCU市场的空白。 在尚未正式面世时,就有近20个客户基于E3提前设计产品。目前E3的全系列产品都已经向客户开放样品和开发板申请,预计在今年第三季度实现量产。芯驰将提供从芯片到开发套件、设计方案等完整工具链支持,并致力于为用户打造
[汽车电子]
“性能+安全”天花板,芯驰科技发布车规<font color='red'>MCU</font> E3系列产品
关于两块51单片机之间的串口通信(排队叫号系统)
一、项目要求 叫号:按下按键叫号,数码管显示叫号的号数,蜂鸣器响。 取号:按下按键取号,两个数码管分别显示取到的号数和等待的人数。 (PS:推荐使用串口调试助手进行调试) 二、可能使用到的工具 1.串口调试助手(百度网盘自行下载) 链接:https://pan.baidu.com/s/1XmCBUDD7kF8a5393fh_bBg 提取码:znv3 三、串口通信原理 1.由51单片机引脚图可看出,P3.1(TXD)和P3.0(RXD)为串行通信口, P3.0为串行接收口,P3.1为串行发送口。要使两块单片机板可以进行串口通信,则将两块板之间的RXD/TXD交叉连接。 四、设计流程图 五、硬件设计 六、界面实现
[单片机]
关于两块51<font color='red'>单片机</font>之间的串口通信(排队叫号系统)
HOLTEK推出HT56RU25 e-Banking智能卡读卡器MCU
Holtek推出e-Banking智能卡读卡器MCU -- HT56RU25,继HT56RB27、HT56RB688 USB接口单片机之后,推出全新UART接口单片机。HT56RU25内建ISO7816-3接口,并整合DC/DC与LDO至单片机内,同时支持1.8V/ 3V/ 5V三种卡片电压规格,ISO7816-3可符合国际EMV 4.3与中国PBOC 3.0 Contact Level 1规范认证,可应用于各种智能卡读卡器产品。其内建的高精准度32.768kHz LXT振荡器,LXT工作时MCU低待机电流,更适合电池产品的应用。 HT56RU25的特点在于工业规格(-40~85℃)、工作电压2.2V ~ 5.5V、具有1
[单片机]
PIC单片机快速入门指南
  PIC16F616是一款14引脚、8位的CMOS单片机。采用精简指令集,仅有35条指令,由于采用了数据总线和指令总线分离的哈佛总线结构,使得除少量指令不是单周期之外,大部分的指令都是单周期指令。这样有利于提高单片机的运行速度和执行效率。   PIC16F616这款单片机供电电压可以在2V到5.5V之间,内部集成了一个RC振荡器,频率可以配置成8MHZ或者4MHZ,也可以用外部晶振提供时钟。内部集成有AD转换、比较器等硬件模块,还具有上电复位、欠压复位、看门狗、代码保护等功能。三个定时器、PWM发生器等可以由用户编程。下面我来一一介绍关于PIC单片机的这些模块和功能。   1.存储器   PIC16F616分为程序存储其
[单片机]
盛群发布全新系列具RF发射功能的MCU
盛群 (Holtek)推出全新系列具RF发射功能的MCU,有I/O型的HT48R01T3/HT68F03T3及A/D型的HT46R01T3/HT66F03T3,都是16-NSOP封装。全系列符合工业上-40℃~85℃工作温度与高抗噪声之性能要求。 新组件的RF部份可支持300MHz~450MHz的发射频率,以ASK方式调变,data rate可达10Kbps以上。在3.5V工作电压下,发射功率最高可达安规范围上限10dBm。由于附加data tracking功能,仅在有data out时才发射不需MCU额外控制,使得整个系统功耗非常低。 HT6xF03T3 Flash MCU系列,具有1Kx16 Flash程序内存、S
[工业控制]
基于C8051f020单片机和UDP/IP协议实现地震勘测传感器网络的设计
随着地震勘测技术向着精细测量方向发展,有必要对频带宽、灵敏度高、失真度小的地震检波技术进行深入的研究。同时,在勘测现场要按一定方式放置一组检波器,将这一组检波器的数据进行综合分析,从而得出相应的勘测结果。 本文根据地震勘测原理,提出一种构建地震勘测传感器网络的方案:将各节点信息传输到监控PC机,采用虚拟仪器技术,使用Labview编写运行在PC机上的测控软件,进行相应的数据分析和处理;基于全光纤迈克尔逊干涉系统,采用交流相位跟踪零差检测技术(PTAC),实现对待测信号的精确检测和误差信号的补偿,减小信号漂移对系统的影响;采用C8051f020单片机对解调后的信号进行采样,并将相关数据通过UDP/IP协议进行网络传输。方案实现了
[单片机]
基于C8051f020<font color='red'>单片机</font>和UDP/IP协议实现地震勘测传感器网络的设计
小广播
添点儿料...
无论热点新闻、行业分析、技术干货……
设计资源 培训 开发板 精华推荐

最新单片机文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved