SDRAM容量的计算方法

发布者:sigma28最新更新时间:2018-04-15 来源: eefocus关键字:SDRAM  容量  计算方法 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

当我在看有关SDRAM的芯片手册的时候,我一直在想这样一个问题:SDRAM的容量它究竟是如何计算的呢?经过查找网上的各种资料,最后在这里给大伙分享一下我的总结!

就以我的开发板的SDRAM的芯片手册的型号:h57v2562gtr60c为例。通过查看我的h57v2562gtr60c的datasheet,我们知道:

行地址选择线有13根(RA0~RA12),列地址选择线有9根(CA0~CA8), 
Bank选择线有2根(BA0,BA1),数据线16根(DQ0~AQ15)

而我们知道SDRAM的总单元数=(2^行地址选择线)*(2^列地址选择线)*(2^Bank选择线)

由此我们得出我们的SDRAM的总单元数=(2^13)*(2^9)*(2^2)=2^24 个单元数

注:行地址选择线位13,并不代表我们的每个Bank只有13行,而是代表我们每个Bank可以表示的行数为2^13行,对于列地址选择线和Bank线也是同样的道理。

我们知道了SDRAM的总的单元数,但是我们还不能确定整个SDRAM的容量,因为我们还不清楚我们的SDRAM的每个单元存放的数据是多少位,那么这个又是如何确定的呢?

那么这就涉及到了位宽的概念,在TQ2440的开发板中,是用两块SDRAM组成一整个SDRAM的,其中地址线是公用同一个地址,而数据线则分成两个16位,因为每片SDRAM只提供16的数据线,那么我个人的理解是:低16位存在其中一片SDRAM中,高16位存在另一片SDRAM中,这样就达成了,每次往同一地址发送或读取数据的时候,就达成了一次发送或读取32位位宽的数据的目的,亦即,每个地址下所对应的一个存储单元的数据都是32位的。

所以我们整个的SDRAM的容量=(SDRAM的总单元数)*(位宽)=(2^24) * 32 =2^29 bit

注:我这里算的是TQ2440开发板的整个SDRAM的总的容量,而不是只单独每一片的SDRAM的总的容量。若是单独每一片的SDRAM的容量 = 整个的SDRAM的容量 / 2 

注:这里计算的单位是bit,若我们把它转化成字节数则是 2^29 bit / 8 = 2^26 Byte = 2^6 MB = 64 MB

这就是TQ2440开发板的最终的SDRAM的容量。


关键字:SDRAM  容量  计算方法 引用地址:SDRAM容量的计算方法

上一篇:单片机初学经验谈
下一篇:stm8下载程序(使用ST-LINK下载器和STVP下载软件)

推荐阅读最新更新时间:2024-03-16 15:59

基于FPGA的指纹采集接口设计与实现
一、引言 相对于密码、证件等传统身份认证技术和诸如语音、虹膜、脸形、签名等其他生物特征识别认证技术而言,指纹识别认证是一种更为理想的身份认证技术。其优点体现在: 1.广泛性——每个人的每一跟手指都具有指纹; 2.唯一性——每个人的指纹都不相同,极难进行复制; 3.稳定性——指纹不会随着年龄的增长而改变; 4.易采集性——指纹图像可运用专业的指纹传感器获取,易于开发识别认证系统。 随着电子商务的发展和消费类电子的普及,越来越多的领域需要指纹识别系统。目前,基于 、 的独立式指纹识别系统已经成功应用于考勤、门禁、安检等领域 。同时,随着微电子技术的进步,设计开发能应用在小型微型系统(如手机、PDA等)的ASIC资金资助:上
[应用]
S3C2440之SDRAM
前言 本文记录的是内存控制器如何访问SDRAM 测试程序:如果能成功访问SDRAM,就把LED点亮 一、思维导图 二、代码 关键代码 init.c(示例): #include S3C2440.h void sdram_init(void) { BWSCON = 0x22000000; BANKCON6 = 0x18001; BANKCON7 = 0x18001; REFRESH = 0x8404F5; BANKSIZE = 0xb1; MRSRB6 = 0x20; MRSRB7 = 0x20; } int sdram_test(void) { volat
[单片机]
S3C2440之<font color='red'>SDRAM</font>
佛罗里达州立大学用木质素制造电解质 可提升电池容量和安全性
据外媒报道,佛罗里达州立大学(Florida State University)的研究小组利用植物材料打造更安全的电池。 (图片来源:FSU) 研究人员使用有机聚合物木质素来制造电池电解质,据称可以大幅提高电池的容量和安全性。木质素是植物细胞壁中的一种化合物,可以让细胞变得坚硬。 为了开发新型固体电解质,研究小组将木质素与合成聚合物聚乙二醇结合在一起。电解质有液体和固体之分,液体电解质是良好的离子导体,而固体电解质通常更安全、更坚固,可以在更高的温度下使用。 聚乙二醇具有电化学稳定性,是很受欢迎的固体电解质材料。然而,这种材料在室温下的导电性不好,会影响电池的性能及其快速充电的能力,因此需要用到木质素。木质素
[汽车电子]
佛罗里达州立大学用木质素制造电解质 可提升电池<font color='red'>容量</font>和安全性
锂离子电池容量衰减原因分析
本质原因 锂离子电池在两个电极间发生嵌入反应时具有不同的嵌入能量,而为了得到电池的最佳性能,两个宿主电极的容量比应该保持一个平衡值。在锂离子电池中,容量平衡表示成为正极对负极的质量比,即: γ=m+/m-=ΔxC-/ΔyC+ 式中 C 指电极的理论库仑容量, Δx 、 Δy 分别指嵌入负极及正极的锂离子的化学计量数。从上式可以看出,两极所需要的质量比依赖于两极相应的库仑容量及其各自可逆锂离子的数目。一般说来,较小的质量比导致负极材料的不完全利用;较大的质量比则可能由于负极被过充电而存在安全隐患。总之在最优化的质量比处,电池性能最佳。 对于理想的 Li-ion 电池系统,在其循环周期内容量平衡不发生改变,每次循环中的
[电源管理]
三星量产512GB闪存,Galaxy S9容量有望翻倍
   三星 宣布512GB 闪存 已进入量产,意谓着明年Galaxy S9与Galaxy Note 9等新旗舰机储存容量有望从当前最大256GB翻倍成长。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。   512GB 闪存 主要因应4K超高分辨率影片的录制需求增加,据 三星 表示,新内存芯片可容纳130个10分钟4K短片。 (日经新闻)    三星 从2015年开发出128GB内存以来,已连续三年将内存逐年倍增,成功将3D 64层 闪存 商业化。 展望未来,三星将再推出96层3D堆栈闪存。   目前iPad Pro、微软Surface平板均有提供512GB机种,不过三星同容量的新芯片体积缩小至与256GB同大小,且访问速度更快。
[网络通信]
基于CPCI总线多DSP系统的高速主机接口设计
在现代通信、雷达和声纳系统中,随着实时处理要求的不断提高,对数字信号处理系统也提出了更高的要求。板载多片高性能的DSP芯片,配合大容量的SDRAM,可以很好地满足上述要求,并且已经成为了数字信号处理系统发展的趋势。采用CPCI总线集成系统,可以方便主机进行调试,控制和管理DSP系统。系统中的主机接口可以使主机通过CPCI总线访问板上的DSP和SDRAM芯片,这是多DSP系统设计的关键点之一。  不同于以往简单地使用一个CPLD进行粘合逻辑设计,本文提出了一种基于双状态机+Cache,预存预取的主机接口设计结构。在主机接口中设立了一个Cache,降低了CPCI总线与板上DSP和SDRAM芯片的耦合度,并且设计了两个独立状
[嵌入式]
数字视频压缩的大容量记录系统设计
引言   随着计算机技术、多媒体和数据通信技术的迅速发展,数字视频的应用越来越广,如视频监控、视频会议和移动电视等。数字视频数据量巨大,不利于传输和存储,使其应用受到很大限制。为解决视频数据的存储和传输问题,唯一的途径就是对视频数据进行压缩。常见的视频压缩方法有MPEG系列和H.26x系列。考虑到压缩技术的成熟度、成本和主要用途,采用MPEG-1作为压缩标准,设计出基于ARM处理器的嵌入式数字视频记录系统。该系统适用于视频监控、视频会议等多种应用场合,同时还可安装在飞行器上,用于实时记录飞行器的飞行及训练过程中的各种信息。   目前,市场上有大量的基于PCI总线的MPEG-1视频压缩卡和PC机构架的网络视频服务器。与之相比,我们
[应用]
超级电容容量及放电时间计算方法
  很多用户都遇到相同的问题,就是怎样计算一定容量的超级电容在以一定电流放电时的放电时间,或者根据放电电流及放电时间,怎么选择超级电容的容量,下面我们给出简单的计算公司,用户根据这个公式,就可以简单地进行电容容量、放电电流、放电时间的推算,十分地方便。   C(F):超电容的标称容量;   R(Ohms):超电容的标称内阻;   ESR(Ohms):1KZ下等效串联电阻;   Vwork(V):正常工作电压   Vmin(V):截止工作电压;   t(s):在电路中要求持续工作时间;   Vdrop(V):在放电或大电流脉冲结束时,总的电压降;   I(A):负载电流;   超电容容量的近似计算公式,   保持所需能量=超级电容减
[电源管理]
小广播
添点儿料...
无论热点新闻、行业分析、技术干货……
设计资源 培训 开发板 精华推荐

最新单片机文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
随便看看
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved