推荐阅读最新更新时间:2024-11-06 13:18
TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导
摘要 介绍在TMS320C5410环境下对Am29LV200B Flash存储器进行程序烧写,并且实现了TMS320C5410上电后用户程序并行自举引导。 关键词 Am29LV200B Flash DSP 并行自举引导 自举表 Flash是一种可在线进行电擦写,掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快等特点,并且内部嵌入算法完成对芯片的操作,因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。本文通过一个完整的实例,介绍Am29LV200B Flash存储器的烧写方法,实现TMS320C5410(以下简称C5410)上电后用户程序的并行自举引导。 1 Am29LV200B Flash存储
[嵌入式]
嵌入式系统flash接口电路的实现
0引言
我们在进行嵌入式系统设计的过程中,根据需求,要设计出特定的嵌入式应用系统,而嵌入式应用系统的设计包含硬件系统设计和软件系统设计两个部分,并且这两部分设计是互相关联、密不可分的,嵌入式应用系统的设计经常需要在硬件和软件设计之间进行权衡与折中。因此,这就要求嵌入式系统设计者具有较深厚的硬件和软件基础,并具有熟练应用的能力。在整个设计过程中,硬件设计是系统设计的基础和核心,而各功能部件在整个设计中的调试又是该环节的重点和难点。本文详细介绍嵌入式系统FLASH存储器的接口电路的调试。
1 Flash存储器接口电路的引脚信号及各项特性
1.1 Flash存储器接口电路的特点
Flash存储器是一种
[嵌入式]
NOR、NAND Flash启动解析
1、JZ2440采用NOR Flash启动 NOR启动时0地址位于NOR Flash中,对应BNAK0,CPU直接从NOR Flash的0地址运行程序,把代码直接从NOR Flash拷贝到SDRAM的链接地址就可以了,NOR Flash可以像内存一样读,所以直接copy就可以,然后再跳到链接地址运行。 2、JZ2440采用NAND Flash启动 当JZ2440采用NAND Flash启动时,0地址位于片内SRAM,系统上电以后硬件会自动的把NAND Flash的前4K(6410是8K)内容复制到片内SRAM的0地址处,并从0地址处开始运行; 如果程序代码量很小不使用片外SDRAM,直接在片内SRAM运行即可; 如
[单片机]
海力士无锡12英寸晶圆厂发生停电
海力士(Hynix)中国无锡厂19日发生意外停电事件,该公司尚未对外说明情况,由于整个无锡工业区半导体厂仅海力士出现停电情况,业界推测意外停电的可能性较大。这次海力士停电事件发生在19日下午1点多,估计连续停电时间至少有4个小时,虽然2007年8月三星电子(Samsung)NAND Flash厂也曾出现大停电1天,但业界对于海力士晶圆厂停电事故的反应仍相当震惊。 海力士无锡厂单月产能10万~12万片,几乎都是以生产DRAM为主,尤其集中在DDR2芯片,估计此座12英寸厂单月产出5,000万~6,000万颗1Gb容量芯片。目前全球DDR2单月产出约5亿颗,海力士无锡厂约占全球产能10%,尽管停电事件不可能全数晶圆都报废,但
[焦点新闻]
DDR4、NAND Flash存储器芯片发展趋势
DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量,在2014年下半将导入英特尔工作站/伺服器以及高阶桌上型电脑平台,并与LP-DDR3记忆体将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪记忆体也跨入1x奈米制程,MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方式,提升可抹写次数(Program Erase;P/E)来抢占极端要求耐受度的军方与工控市场,而C/P值高的TLC从随身碟、记忆卡的应用导向低阶SSD… DDR4伺服器先行 2016超越DDR3成为主流 处理器(CPU)、绘图晶片(GPU)运算效能随摩尔定律而飞快进展,加上云端运算、网际网路行动化浪潮下,持续驱动动态记忆体(Dynamic RAM;DRAM)的规格
[嵌入式]
大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系统中的应用
摘要:随着嵌入式系统产品的发展,对存储设备的要求也日益增强。文章以东芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00为例,阐述了NAND Flash的基本结构和使用方法,对比了NAND和NOR Flash的异同,介绍了容量NAND Flash在嵌入式系统中的应用方法,以及如何在Linux操作系统中加入对NAND Flash的支持。
关键词:嵌入式 NAND Flash Linux 内核 TC58DVG02A1F00
1 NAND和NOR flash
目前市场上的flash从结构上大体可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种。其中NOR和DiNOR的特点为相对电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高,而NAND
[缓冲存储]
Intel不升级新加坡厂 IM Flash公司将关闭?
在全球经济出现复苏的情况下,全球最大的芯片制造商英特尔公司,能够以76.8亿美元收购安全软件商迈克菲公司,增强自己在嵌入式系统领域的竞争力,但没有为升级生产NAND快闪记忆体的IM Flash新加坡厂提供必要资金,推测英特尔不愿投资,可能是已做出结束IM Flash技术公司运营的新决策。 今年全球电脑和手机市场显示了明显增长,芯片市场也因电脑和手机的增长而受益,2010年第三季度全球芯片销售收入同比增长23%,全球芯片市场2010年预计增长率将达到31.5%。据12月31国外消息报道,随着英特尔和美光科技之间的合资企业IM Flash技术公司关闭的可能性日益增大,英特尔与美光科技之间的关系似乎有些紧张。 据了解,I
[半导体设计/制造]
【STM32F4】读取芯片ID和芯片Flash Size
首先声明,手册上给出的FlashSize地址是错误的,正确的应该是0x1FFF7A20,取高16位。确切说应该是(0x1FFF7A23,0x1FFF7A22两个字节), 芯片的这96位ID是产品唯一身份标识。可以从特定的寄存器中读出来。FlashSize表示内部flash的大小,也是固化在芯片内部的。 手册上讲的ChipID的基地址是0x1FFF7A10,ChipSize的基地址也是0x1FFF7A10。肯定是不对的 谷歌了半天才发现真正的ChipSize地址0x1FFF7A20。知道了地址,直接读取地址中的数据就OK了。操作相当简单 读取FlashSize uint16_t cpuGetFlashSize(void) { r
[单片机]