推荐阅读最新更新时间:2024-11-12 13:02
指针式万用表对场效应管判别方法
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的pn结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将拨在r×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极d和源极s。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极g。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是pn结的反向,即都是反向电阻,可以判定是n沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极
[测试测量]
3D芯片堆栈技术在数据中心的应用前景
运算密度跟不上因特网流量增加速度,数据中心分析之数据量的成长速度前所未有;要解决这个问题,需要更大的内存带宽,而这是3D芯片堆栈技术展现其承诺的一个领域。 被甲骨文(Oracle)取消的一个微处理器开发项目,在传统制程微缩速度减缓的同时,让人窥见未来高阶芯片设计的一隅;该Sparc CPU设计提案的目标是采用仍在开发的芯片堆栈技术,取得越来越难透过半导体制程技术取得的优势。 在上述概念背后的研究人员,是甲骨文在今年初被裁撤的硬件部门之一员;但他的点子化为一家顾问公司而存活了下来,并且已经开始与美国硅谷的半导体业者进行合作。 甲骨文前任资深首席工程师、创办了一家三人新创公司ProPrincipia的Don Draper表示:
[半导体设计/制造]
ARM的堆栈学习笔记
以下是我在学习ARM指令中记录的关于堆栈方面的知识: 1、寄存器 R13 在 ARM 指令中常用作堆栈指针 2、对于 R13 寄存器来说,它对应6个不同的物理寄存器,其中的一个是用户模式与系统模式共用,另外5个物理寄存器对应于其他5种不同的运行模式。采用以下的记号来区分不同的物理寄存器: R13_ mode 其中,mode为以下几种模式之一:usr、fiq、irq、svc、abt、und。 3、寄存器R13在ARM指令中常用作堆栈指针,但这只是一种习惯用法,用户也可使用其他的寄存器作为堆栈指针。而在Thumb指令集中,某些指令强制性的要求使用R13作为堆栈指针。由于处理器的每种运行模式均有自己独立的物理寄存器R13,在用户应
[单片机]
电池堆栈监控器大幅提高混合动力汽车和电动汽车的锂离子电池性能
锂离子(Li-Ion)电池是电动汽车和混合动力汽车的常用储能方法。这些电池可提供的能量密度在所有现有电池技术中是非常高的,但是如果要最大限度地提升性能,必须使用电池监控系统(BMS)。先进的BMS不仅使您能够从电池组中提取大量的电荷,而且还可以以更安全的方式管理充电和放电循环,从而延长使用寿命。ADI公司提供种类齐全的BMS器件组合,专注于精度和稳健的运行。 精确测量电池的充电状态(SOC)可以延长电池运行时间或减轻重量。精密稳定的器件在PCB装配后无需工厂校准。长期稳定性提高了安全性并可避免保修问题。自我诊断功能有助于达到合适的汽车安全完整性等级(ASIL)。电池组是充满电磁干扰(EMI)挑战的环境,因此在设计数据通信链路时
[嵌入式]
怎样采用指针式万用表间接测量单相交流电压?
如果所测单相交流电压在万用表的量限范围之外,则采用接入电压互感器的测量方法,如图5-3(b)所示。电压互感器一次侧绕阻接单相交流电源,二次侧绕组接万用表,但不允许二次侧绕组短路。
[测试测量]
C语言函数指针数组在ARM中断中的应用
一、函数指针的声明与初始化 ... int max_fun(int a, int b); /*函数指针的声明,声明了两个形参都为int类型,返回值为int类型的函数指针*/ int (*fp)(int, int); /*指针初始化*/ fp = max_fun; //fp = &max_fun 也正确 /*函数指针初始化后的调用*/ fp(a,b); //(*fp)(a,b);也正确 ... 二、函数指针的typedef typedef void (*irq_func)(int); //定义一个数组,存放中断函数指针,其参数类型为irq_func irq_func irq_array ; 三、函数
[单片机]
arm堆栈操作
arm堆栈的组织结构是 满栈降 的形式,满栈即sp是要停留在最后一个进栈元素,降:就是堆栈的增长方向是从高地址向低地址发展。 arm对于堆栈的操作一般采用 LDMFD(pop)和STMFD (push) 两个命令。 以前困惑的就是STMFD 命令 对于操作数 是按照什么顺序压栈的 比如:STMFD sp!{R0-R5,LR} 进栈顺序是: 高地址(1方式) LR R5 R4 ``````` R0 -sp 低地址 还是: 高地址(2方式) R0 R1 ``` R5 LR -sp 低地址 现在通过下表,可以轻松的解决这个问题: 寻址方式 说明 pop =LDM
[单片机]
用指针式万用表对MOS管进行判别
MOS管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管,或称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance,定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,以下为N沟道和P沟道符号。 用指针式
[测试测量]