推荐阅读最新更新时间:2024-11-05 10:34
ATmega32 SRAM数据存储器
SRAM数据存储器 Figure 9 给出了ATmega32 SRAM 空间的组织结构。 前2144 个数据存储器包括了寄存器文件、I/O 存储器及内部数据SRAM。起始的96 个地址为寄存器文件与I/O 存储器,接着是2048 字节的内部数据SRAM。 数据存储器的寻址方式分为 5 种:直接寻址、带偏移量的间接寻址、间接寻址、带预减量的间接寻址和带后增量的间接寻址。寄存器文件中的寄存器 R26 到 R31 为间接寻址的指针寄存器。 直接寻址范围可达整个数据区。 带偏移量的间接寻址模式能够寻址到由寄存器Y 和 Z 给定的基址附近的63 个地址。 在自动预减和后加的间接寻址模式中,寄存器X、Y 和Z 自动增加或减少。 ATmega3
[单片机]
Q1全球NAND Flash品牌厂总营收80.64 亿美元,连续两季衰退
第一季全球NAND Flash市况持续受供过于求影响,通路颗粒合约价下滑约10% ;智能型手机、平板电脑与笔记型电脑出货大幅衰退也让eMMC、用户级固态硬碟跌价幅度扩大至13~ 18%。TrendForc e旗下存储器储存事业处DRAMeXchange最新报告显示,在平均销售单价下滑幅度明显高于位元出货量成长的情况下,第一季NAND Flash品牌商营收较2015年第四季下滑2.9% ,已连续两个季度衰退。

DRAMeXchange研究协理杨文得表示,今年消费性电子产品市场持续衰退,因此需求端的成长只能透过平均容量(Content Per Box)的增加,然而在2D-NAND制程转进逼近最后世代、3D-NAND
[手机便携]
基于分块管理和状态转换的嵌入式Flash管理
1 引言 嵌入式系统中通常都需要存放一些非易失性数据, 并且数据量的大小和数据类型根据不同的系统需求差异很大。因此选取合适的存储器是完成数据存储系统的第一步, 更重要的是使存储系统长期稳定、高效的工作, 这就必须寻求一个完备的存储器数据管理方法 。本文介绍了一种适用于无文件系统环境下的N OR Flash 管理方法, 采用分块管理和状态转换的方法使得Flash 的使用效率和操作可靠性得到大大提高。 2 NOR Flash 存储器及其特性 NOR Flash 和NAND Flash 是目前市场上两种主要的Flash 存储器。一般在非海量存储型的嵌入式设备中都是直接采用NOR Flash 作为程序代码和非易失性数据的存储器, 这
[单片机]
一种基于MCU内部Flash的在线仿真器设计方法
由于市场对MCU功能的要求总是不断变化和升级,MCU应用的领域也不断扩展,因此往往需要对最初的设计进行修改。Flash MCU与以往OTP/MASK MCU相比,最大的优点就在于可进行高达上万次的擦写操作,顺应了MCU功能不断修改的需求;另一方面,Flash MCU市场价格也在不断下降。因此,许多OEM已将Flash MCU用于产品的批量生产。对于Flash MCU,基于内部Flash的在线仿真器更接近于程序真实的运行特性,程序调试的效果更好,效率更高。实际上,Flash MCU工作时Flash的延时、读写时充等特性是非常,程序存储在MCU外部仿真板上的SRAM中,由额外的硬件逻辑来模拟Flash的这些特性是费时低效的;同时将Fl
[单片机]
如何访问MSP430F5438单片机64K外的flash
1. 在IAR 的集成开发环境中.选中你的工程,右键,点options, 2. 在Target 页面中,Data Model选项,4选中Medium或Large, 3. 解释: - 选中SMALL只能访问64K以内的空间,以外的空间只能有内部函数访问 - 选中Medium 可以访问1M以内的空间 - 选中Large可以访问全部空间 1.F5XX 430X 2.选择Large small medium 产生效果是改变指针变量所占字节个数.IAR中指针变量默认2个字节,选择large占用4个字节,那么指针就可以访问超过64K范围的地址. 3.可以采用IAR内部函数, */ void __data20_write_char (un
[单片机]
linux-2.6.38到tiny6410的移植手册(连载1)__nand flash
2440的linux移植手册满天飞,到了6410怎么就没有了呢? 既然源码都给了,为什么不把移植步骤写出来,好让大家学习呢? 今日,小弟自搞奋勇,想自己移植一遍linux-2.6.38,参考友善给的源码,觉得既然源码都有了,想发掘移植步骤应该不难吧,嘿嘿 环境 VirtualBox+ubuntu 10.04 编译器,友善自带arm-linux-gcc-4.5.1-v6-vfp-20101103.tgz 硬件,tiny6410,核心板号1107 linux-2.6.38到tiny6410的移植手册(连载2)__网卡&NF http://www.arm9home.net/read.php?tid-14211.html linux
[单片机]
集邦:今年NAND Flash旺季效应将打折扣
由于供货商因客户结构及接单状况不同,采取不同定价策略,使 8月上旬主流 NAND Flash 合约价呈现涨跌互见;集邦科技(TRENDFOCE)旗下研究部门 DRAMeXchang 表示,针对电子系统客户进入旺季,供货商调高合约价,但记忆卡及UFD市场依旧疲软,则小幅调降合约价。 集邦科技表示,由于电子系统产品客户的旺季OEM订单,从7月底已开始回温,因此部份NAND Flash供货商因系统客户的比重较高,因此用于系统产品的MLC NAND Flash合约价调高4%到6%。但8月上旬记忆卡及UFD的零售通路市场需求仍然疲弱,且下游客户仍在消化库存,因而采购意愿较低,下游客户希望供货商能适度调降价格,以进行暑期促销活动。
[半导体设计/制造]
重覆下单!广颖:Nand flash价格7月起已松动
Nand flash价格在6月份已走到高峰。记忆体模组厂商广颖(4973)表示,上半年被智慧型手机和平板电脑支撑起需求的Nand flash,似乎在系统厂端有重覆下单Over booing的现象,近期已有Nand flash料源流出市面,自7月份起,Nand flash价格已见松动,价格出现缓跌的现象,整体看来,第三季恐怕Nand flash将会是走跌的趋势。 广颖发言人谢超民(见图)副总表示,原本预估第三季是涨价的最后一波,但目前看来,虽手机厂为第三季新机上市已开始备货,但却发现有Nand flash流出市场,代表原本被手机厂预订的货,实际上并没有拉货,所以看起来第三季涨价的机会不大。 且另一方面,目前Nand flash
[手机便携]