推荐阅读最新更新时间:2024-11-17 11:10
ATmega64 EEPROM数据存储器
EEPROM 数据存储器 ATmega64 包含2K 字节的 EEPROM 数据存储器。它是作为一个独立的数据空间而存在 的,可以按字节读写。EEPROM 的寿命至少为100,000 次擦除周期。EEPROM 的访问 由地址寄存器、数据寄存器和控制寄存器决定。 P281“ 存储器编程” 包含使用SPI、JTAG 或并行编程模式对EEPROM 编程。 EEPROM 读/ 写访问 EEPROM 的访问寄存器位于I/O 空间。 EEPROM 的写访问时间由 Table 2 给出。自定时功能可以让用户软件监测何时可以开始 写下一字节。用户操作EEPROM 需要注意如下问题:在电源滤波时间常数比较大的电路 中,上电/ 下电
[单片机]
赛普拉斯新推出三款异步SRAM 产品
日前,赛普拉斯半导体公司宣布推出了一款低功耗 SRAM 和两款快速异步 SRAM,进一步丰富了其业界领先的产品系列。新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL® (More Battery Life™) SRAM 是市场上密度最大的低功耗 SRAM,旨在延长高端销售点终端、游戏应用、VoIP 电话、手持消费和医疗设备等应用的电池工作时间。新推出的 3 兆比特和6兆比特快速异步 SRAM 与 24 位宽的处理器相连接,能充分满足音频处理、无线和网络等应用的需求。 赛普拉斯是快速异步和低功耗 SRAM 领域的业界领先企业,旗下的产品系列从 4 千比特 (Kbits)至 32 兆比特以及 64 千比特至64兆比特等应有尽有。CY6218
[电源管理]
USB接口的传感器与存储器在数据记录中的实现
数据采集(DAQ),是指从传感器和其它待测设备等模拟和数字被测单元中自动采非电量或者电量信号,送到上位机中进行分析,处理。数据采集系统是结合基于计算机或者其他专用测试平台的测量软硬件产品来实现灵活的、用户自定义的测量系统。数据采集技术广泛引用在各个领域。比如摄像头,麦克风,都是数据采集工具。过去在嵌入式系统中应用USB设备需要性能相对较强的硬件,要带有USBHost控制器接口、RTOS 以及USB软件驱动,结果因USBHost功能实施成本的原因设计工程师一直都不太愿意在小型8位或16位MCU系统上增加USB设备。但随着最新一代智能USBHost控制器IC的推出,与MCU配合使用不仅可为PC应用使用USB数据采集设备,而且还可将数
[嵌入式]
STM32F407外扩SRAM配置
以下SRAM的程序是在清时代STM32F407开发板上测试通过 开发板PCB完整工程连接: http://www.cirmall.com/circuit/7 ... F%EF%BC%81#/details 淘宝连接:https://item.taobao.com/item.htm?id=557618550100 bsp_SRAM.c文件 #include sram.h #include usart.h ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// //本程序只供学习使用,未经作者许
[单片机]
C8051与SRAM的高速接口
摘要: C8051是美国Cygnal公司生产的、与标准51兼容的高速单片机,速度高达25 MIPS,但它扩展外部SRAM的方式与标准51单片机不同。单片机访问外部存储器的速度直接影响系统的性能。本文介绍两种提高C8051访问外部存储器速度的接口方法,其速度均超过现有文献所给出的接口方法。
关键词: 单片机 SRAM C8051 接口方法
C8051系列单片机没有与标准的51单片机那样的数据总线(RD、WR、ALE)等,只能采用通用I/O口模拟总线方式访问外部存储器。因此,C8051访问一次外部存储器需要几十条指令。即便这样,由于C8051的绝大多数指令的执行只需一个机器(振荡)周期,在同
[应用]
采用基于字的检测方法对单向双端口SRAM进行测试
引 言 单向双端口SRAM是一种专用的存储器,它具有独立的写地址总线和读地址总线,不仅可以实现单端口的读写,还可以对不同地址的存储单元进行同时读写操作,提高了SRAM的性能。本文分析了单向双端口SRAM的失效模式,并描述了相应的基于字的检测算法。 存储器模型 图1表示了3×3的单向双端口SRAM模块的结构示意图,输入为读地址总线、写地址总线和输入数据总线,输出为输出数据总线。每一个存储单元都有四个端口,分别是数据写入(BW),数据读出(BR),写地址端口(WA)和读地址端口(RA)。在这种结构中,同一列单元的数据写入端和读出端连到总线上,输出采用了线与的方式。对于字长大于1的存储器来说,读地址和写地址一次选中一行,一行中所
[测试测量]
瑞萨电子推出全新的先进低功耗SRAM产品
进一步扩大先进低功耗 SRAM 产品阵营采用 110 纳米工艺技术实现高软错误免疫能力 2013年9月24日,日本东京讯—全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723),今日推出了 12 款新产品版本的旗舰 SRAM(静态随机存取存储器)产品, 这些产品属于RMLV0416E、RMLV0414E 及 RMLV0408E 系列先进低功耗 SRAM(先进LP SRAM)。新推出的存储器设备拥有高达 4 兆位(Mb)的密度,并采用极为精密的110 纳米(nm)线宽制造工艺。 即将上市的 SRAM 是高级 LPSRAM 的新系列,可提供和瑞萨电子现有150nm工艺的SRAM 产品完全相同的可靠性,包括消除软错误(
[嵌入式]