ARM的Nand Flash入门使用手册（以K9F2G08X0M为例）

1. 组织结构：

存储芯片有几个重要的单位 device block page ，在这个芯片中

1 Device = 2048 block = 2k block

1 block = 64 page

1 page = (2048 + 64) Byte

其中：

块Block，是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位。

页Page，是Nand Flash的读写操作的基本单位/最小单位。

共256M，也就是需要28根地址线来寻址，但是文档中是29根线，因为在寻址的时候，我们必须先找到page地址然后再找到页内地址。

页地址共有： 2048 * 64 page ，也就是2的（11+6）次方 ，即17跟地址线

页内地址： 2048 + 64 ，也就是2的（11 + 1）次方 ，即 12跟地址线，注意这里的64个字节是一段特殊的区域叫做OOB，用于数据的校验，只需要一根地址线标识

2. 寄存器说明

只有数据线，没有地址线

8的数据线可以传输： 数据，地址和命令（功能），通过一些引脚来控制

但是CPU并不直接与Nand Flash交互，而是通过soc内的Nand Flash控制器来间接设置Nand Flash，其中含有很多的寄存器，CPU只需直接对这些寄存器进行操作就可以了

 I/O0 ~ I/O7 用于输入地址/数据/命令，输出数据

 CLE 则 数据线中是 命令

 ALE 则 数据线中是 地址

 WE 则 数据线中是 数据 方向是输入（从存储器角度）

 RE 则 数据线中是 数据 方向是输出（从存储器角度）

 CE 片选

 R/B 空闲状态或者是忙状态

 WP 写保护，使能后无法写入，由电路实现

除此以外还有一个配置寄存器，用来设置脉冲宽度

3. 常见的Nand Flash操作

写入数据就是page program,因为page是写入的最小单位

从上图可以看到，如果要实现读一个页的数据，就要发送Read的命令，而且是分两个周期（Cycle），

即分两次发送对应的命令，第一次是0x00h,第二次是0x30h，而两次命令中间，需要发送对应的你所要读取的页的地址，关于此部分详细内容，留待后表。对应地，其他常见的一些操作，比如写一个页的数据(Page Program)，就是先发送0x80h,然后发生要写入的地址，再发送0x10h。

4. Nand Flash的地址

物理地址 =块大小×块号 ＋ 页大小×页号 ＋ 页内地址

此Nand Flash地址周期共有5个，2个列(Column)周期，3个行（Row）周期。

①.每个page的大小为（2048+64）KB，对应地，列地址A0~A10，就是页内地址，地址范围是从 0 到 2047。但是为何此处多出来个A11呢？实际上，由于我们访问页内地址，可能会访问到OOB的位置，即2048-2111这64个字节的范围内，所以，此处实际上只用到了2048～2111，用于表示页内的oob区域，其大小是64字节。

②.每个block有64个page，对应地，A12～A17，称作页号，可以定位到对应的块的哪一个页

③.每个device有2048个block，对应地，A18～A28，表示对应的块号，即属于哪个块

5. Nand Flash操作过程举例

以读操作为例，先发一个图中读命令的第一个阶段的0x00,表示，让硬件先准备一下，接下来的操作是读。发送两个周期的列地址。也就是页内地址，表示，我要从一个页的什么位置开始读取数据。接下来再传入三个行地址。对应的也就是页号。然后再发一个读操作的第二个周期的命令0x30。

接下来，Nand Flash内部硬件逻辑，负责去按照你的要求，根据传入的地址，找到哪个块中的哪个页，然后把整个这一页的数据，都一点点搬运到页缓存中去。而在此期间，你所能做的事，也就只需要去读取状态寄存器，看看对应的位的值，也就是R/B#那一位，是1还是0，如果是0的话，就表示，系统是busy，仍在”忙“（着读取数据），如果是1，就说系统活干完了，忙清了，已经把整个页的数据都搬运到页缓存里去了，你可以接下来读取你要的数据了。

5.设置Nand Flash启动的过程

S3C2440的Nand Flash大小为256MB，然后硬件把前4K内容复制到片内的SRAM中，再取指令并执行。

https://www.cnblogs.com/shangdawei/archive/2013/05/14/3077018.html