S3C2440的RAM和启动过程!

发布者:小熊掌心最新更新时间:2022-04-02 来源: eefocus关键字:S3C2440  RAM  启动过程 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

2440自带的RAM是:16K Instruction cache + 16K data cache + 4K Boot Internal SRAM。但是我们能用到的只有4K Boot Internal SRAM;2440不自带ROM。


2440的启动方式有两种,norflash和nandflash,怎么选择?

OM[1:0] = 01,10为norflash启动,分别对应16bit和32bit,OM[1:0] = 00为nandflash启动。

两种启动方式:先贴张图。

可以观察到,s3c2440总共有8个内存banks,6个内存bank可以当作ROM或者SRAM来使用,留下的2个bank除了当作ROM 或者SRAM,还可以用SDRAM,7个bank的起始地址是固定的 还有一个灵活的bank的内存地址,并且bank大小也可以改变。


Norflash启动:选择从NOR FLASH启动,上电,nGCS0控制的bank0直接连接了nor flash,S3C2440芯片就会去运行nor flash上地址为0x0处的指令。读nor flash可以像读内存那样读,但是要用额外的命令向nor flash写入数据。如果nor flash像内存那样读和那样写,那nor flash完全可以被内存所替代。


Nandflash启动:CPU上点后,首先会通过几个引脚的电平确定Nandflash的类型,从而读取flash,cpu会自动从NAND flash中读取前4KB的数据放置在片内SRAM里(s3c2440是soc),同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间(即0x00000000)。cpu是从0x00000000开始执行,也就是NAND flash里的前4KB内容。因为NAND FLASH连地址线都没有,不能直接把NAND映射到0x00000000,只好使用片内SRAM做一个载体。通过这个载体把nandflash中大代码复制到RAM(一般是SDRAM)中去执行。


大概流程:


关键字:S3C2440  RAM  启动过程 引用地址:S3C2440的RAM和启动过程!

上一篇:学习笔记 --- S3C2440 DMA操作原理
下一篇:ARM汇编-ARM中的汇编!

推荐阅读最新更新时间:2024-11-11 12:35

S3C2440 ADC(模/数转换器)
  A/D转换,又称为模/数转换,是将模拟量信号转换为计算机能够处理的数字信号。S3C2440集成了8通道10位CMOS A/D转换器,最大转换率为2.5MHz A/D转换器时钟下的500KSPS。A/D转换器支持片上采样-保持功能和掉电模式的操作。   有如下特性:   分辨率:10位   差分线性误差:±1.0LSB   积分线性误差:±2.0LSB   最大转换率:500KSPS   功耗低   供电电压:3.3V   模拟输入范围:0~3.3V   片上采样-保持功能   普通转换模式   分离的X/Y方向转换模式   自动(顺序)X/Y方向转换模式   等待中断模式   对于s3c2440来说,实现A/D转换比较简单
[单片机]
<font color='red'>S3C2440</font> ADC(模/数转换器)
S3C2440开发板学习——如何使用dnw进行数据的USB传输
首先,将开发板的serial和usb接口与PC相连,启动开发板; 其次,通过SecureCRT观察开发板的启动过程,并且按空格键进入开发板的menu菜单,设备管理中出现“SEC S3C2440 Test B/D”设备; 然后,启动禁用驱动程序强制签名的操作,再安装“SEC S3C2440X Test B/D”的驱动程序; 最后,可以发现设备管理中100ASK eBlocks SEC SOC Test Board设备顺利安装,之后就可以正常使用Dnw。 注意问题: 1、在开发板的menu中,可以通过不同选项,进行下载的参数选择,包括:Downloadu-boot to Nand Flash,Download u
[单片机]
内存面板去年造成每部手机成本至少上升60美元
集微网消息,去年内存、面板、被动组件等零组件价格一路飙涨,推升智能手机厂成本垫高。 从今年开春趋势来看,虽然部分内存和面板价格松动,但次要的被动组件、二极管等价格仍在微增,今年手机厂成本压力虽稍有纾解,还是处于相对高水位。 去年包括内存、面板、被动组件等都因供应紧缺,带动价格逐季走高,导致手机、PC、电视等终端设备商成本压力大增。 单是内存和面板两大关键零组件,就造成去年每台手机成本多了至少60美元。 对智能手机品牌厂而言,原已面临产业高原期压力,成长必须靠抢对手市场份额,竞争进入厮杀状态;偏偏制造成本大增,被迫调高售价,挑战消费者的底线。 像苹果十周年纪念机种iPhone X成为史上最贵机种,过去多将旗舰机种订在人民币2,500
[手机便携]
s3c2440液晶屏驱动 (内核自带) linux-4.1.24
自带有一部分驱动的配置信息,只要修改这部分就能支援 不同的液晶屏 - /arch/arm/mach-s3c24xx/mach-smdk2440.c 另一部分在 /drivers/video/fbdev/s3c2410fb.c 先打开调试功能,这样内核在启动的时候,就可以输出这些信息,或者使用 dmesg 查看到这些信息。当然,你配置内核 make menuconfig 也可以打开,但是太麻烦了,不如这样。 1 #define CONFIG_FB_S3C2410_DEBUG 2 #define dprintk(msg...) 3 do { 4 if (debug) 5 printk(msg);
[单片机]
<font color='red'>s3c2440</font>液晶屏驱动 (内核自带) linux-4.1.24
高启全强调紫光存储自主研发,内存不走台湾授权的老路
  外界认为高启全到大陆发展 内存 产业后,带走许多台湾半导体产业的人才,对此,他接受媒体采访时强调,找人才不分地方、国籍,不会特定挖哪一公司的员工。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。   他解释,长江存储是一家国际化的公司,拥有全球各地的人加入,美国人、日本人、南韩人都有,绝不是只有挖台湾工程师,长江存储内部是规定要用英文沟通,因为外籍主管很多,以国际化的规格在打造企业。   高启全说,长江存储2016年7月16日正式成立后,就购并武汉新芯100%股权,现在的武汉新芯约1,200人,另外,长江存储成立至今也招募将近700人,当中的研发人员占500人,台湾人约50名。    紫光 稍早也发出声明表示,作为一家国际化的高
[嵌入式]
关注次世代嵌入式内存技术的时候到了
  也该是时候了,经过十多年的沉潜,这些号称次世代 内存 的产品,总算是找到它们可以立足的市场,包含FRAM(铁电 内存 ),MRAM(磁阻式随机存取 内存 )和RRAM(可变电阻式内存),在物联网与智能应用的推动下, 开始找到利基市场。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。   率先引爆话题的,还是台积电。   2017年5月,台积电技术长孙元成首次在其技术论坛上,发表了自行研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取内存)和eRRAM(嵌入式电阻式内存)技术,分别预定在2018和2019年进行风险性试产, 且将采用先进的22奈米制程。   研发这项技术的目标很清楚,就是要达成更高的效能、更低的电耗,以及更小的体积,以满
[网络通信]
美光起诉联华电子盗用内存芯片技术
中国的半导体产业正在极速爆发,这也引起了国外巨头们的恐慌,他们当然不希望这块国产厂商能够迎头追上。 据台湾电子时报报道称,美光科技在美国加州的一家联邦地方法庭提交了诉状,指控联华电子以及下属的福建省晋华集成电路公司盗用了自身的内存芯片技术。 在诉状中,美光强调是他们的两位前员工通过闪存盘盗取了公司的技术资料,然后交给了联华电子,当然晋华集成电路也分享并拿到这个技术,但现在最大的问题,这种后者尚未生产出内存芯片,所以无法强调赔偿事宜。 对于这个举动,业内人士强调,美光此举就是为了打击中国内存行业,要知道晋华集成的内存生产线在2018年中期才开始投产,如果一旦投产,海外的竞争对手可能会发起更多侵权诉讼,对这些公司设置障碍。 对于这样
[半导体设计/制造]
S3c2440如何利用JLINK烧写U-boot到NAND Flash中
很多同学使用笔记本作为自己的ARM开发和学习的平台,绝大多数笔记本都没有并口,也就是无法使用JTag调试和烧写程序到Nand Flash中,幸好我们还有JLINK,用JLINK烧写U-boot到Nor Flash中很简单,大部分NOR Flash都已经被JLink的软件SEGGER所支持,而新手在学习的时候经常会实验各种各样的命令,最悲剧的莫过于将NAND Flash中原有的bootloader给删除了,这时候开发板上电后由于没有bootloader,硬件没有被初始化,在NAND Flash中的操作系统也就无法被加载,开发板成“砖”了,这时候笔记本又无法利用JTag烧写程序进Nand Flash。起始这些可以利用JLink通过两种
[单片机]
小广播
设计资源 培训 开发板 精华推荐

最新单片机文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved