基于STM32单片机的盆栽系统设计-电子工程世界

一.系统设计

本次盆栽系统的设计使用STM32单片机作为控制中心，通过光敏模块检测光照强度，通过DHT11测量温湿度,通过土壤湿度传感器检测土壤湿度，检测到的数据通过LCD显示屏显示,当土壤湿度低于下限时，继电器控制灌溉，当土壤湿度高于上限时，继电器控制除湿，当温度低于阈值时，继电器控制加热，当光强低于阈值时，继电器控制补光。

图1 系统框图

二.硬件设计

本设计所采用的STM32F103C8T6是以Cortex-3为核心的单片机，它的功能是实现软件的执行，并对外部的器件、模块进行控制。该系统由LCD显示模块，温湿度检测模块，光敏电阻模块，湿度检测模块，继电器模块组成。

图2 硬件电路

三.软件设计

系统的软件实现过程中首先要进行的系统初始化，初始化结束后开始进行光照强度检测，温湿度检测，土壤湿度检测，当土壤湿度低于下限时，继电器控制灌溉，当土壤湿度高于上限时，继电器控制除湿，当温度低于阈值时，继电器控制加热，当光强低于阈值时，继电器控制补光。

图3 程序流程图

图4 主程序

四、实物展示

五、上位机

关键字：STM32 单片机引用地址：基于STM32单片机的盆栽系统设计

上一篇：stm32能跑什么系统
下一篇：基于STM32的重力感应售货机系统设计

推荐阅读最新更新时间：2024-11-11 15:57

STM32 SDIO 报错 SD_RX_OVERRUN

使用STM32官方SDIO 的SDCARD驱动的时候,以前单任务的时候没有出现这种错误,现在使用多任务的时候经常出现,表现为读取文件的时候没有问题,经常点击屏幕的时候就会出问题,最后通过仿真找到出错点就是读取数据向SD卡发送CD17命令时出现 SD_RX_OVERRUN这个错误,产生原因为读取FIFO溢出. 通过仿真与测试发现问题主要出现在读取过程中不能打断,也就是临界点. 在两个读取函数里面 SD_Error SD_ReadMultiBlocks(u32 addr, u32 *readbuff, u16 BlockSize, u32 NumberOfBlocks); SD_Error SD_ReadBlock(u32 addr

[单片机]

【单片机】Proteus和Keil分别创建单片机工程

一、Proteus创建单片机工程：第一步：选定合适文件保存的路径，然后点击下一步：第二步：第三步：第四步：第五步：第六步：点击完成之后，即可看到如下界面。此时已完成创建：二、Keil5创建单片机工程：第一步：第二步：第三步：第四步：第五步：第六步：第七步：第八步：添加进入之后，此时就可以书写代码，开始自己的单片机编程了。完结，撒花…

[单片机]

【自学51单片机】9 -- 步进电机原理、蜂鸣器原理，单片机IO

【自学51单片机】9 -- 步进电机原理、蜂鸣器原理，单片机IO口的结构，上下拉电阻 1、单片机IO口的结构单片机IO口有四种结构：准双向IO，开漏输出、强推挽输出和高阻态输出。内部结构如下图。 T1和T2为MOS管，靠电压导通的原件。（1）准双向IO口特点：内部输出为1，才能正常读取外部信号。（2）开漏输出特点：必须外加上拉电阻，不然单片机IO电平是个不确定的态。（3）强推挽输出特点：可输出或输入高电流，驱动能力强。（4）强阻态特点：状态取决与外部输入。标准51单片机P0默认开漏输出。 2、上下拉电阻上下拉电阻：上拉电阻就是将不确定的信号通过一个电阻拉到高电平，同时此电阻也起限流作用，下拉电阻同理。上拉电

[单片机]

基于80C51单片机位寻址编程

80C51单片机有位处理功能，可以对数据位进行操作，因此就有相应的位寻址方式。所谓位寻址，就是对内部RAM或可位寻址的特殊功能寄存器SFR内的某个位，直接加以置位为1或复位为0。位寻址的范围，也就是哪些部份可以进行位寻址： 1、我们在学习51单片机的存储器结构时，我们已知道在单片机的内部数据存储器RAM的低128单元中有一个区域叫位寻址区。它的单元地址是20H-2FH。共有16个单元，一个单元是8位，所以位寻址区共有128位。这128位都单独有一个位地址，其位地址的名字就是00H-7FH。这里就有一个比较麻烦的问题需要大家理解清楚了。我们在前面的学习中00H、01H。。。。7FH等等，所表示的都是一个字节（或者叫单

[单片机]

单片机ADC采样算法----卡尔曼滤波

关于卡尔曼滤波，看看百度百科上的定义算法的核心思想是,根据当前的仪器测量值和上一刻的预测量和误差 ,计算得到当前的最优量. 再预测下一刻的量, 里面比较突出的是观点是. 把误差纳入计算, 而且分为预测误差和测量误差两种.通称为噪声. 还有一个非常大的特点是,误差独立存在, 始终不受测量数据的影响。下来先了解一个卡尔曼滤波中几个参数的含义：概率（Probability），随即变量（Random Variable），高斯或正态分配（Gaussian Distribution）还有State-space Model等等。关于卡尔曼公式的含义及推导，网上已经有很多文章了，这里不在赘述，直接看C代码的实现。

[单片机]

STC89C52单片机驱动CC1101无线模块的接收C语言程序

#include reg52.h #include intrins.h #defineINT8Uunsigned char #defineINT16Uunsigned int #define WRITE_BURST 0x40//连续写入 #define READ_SINGLE 0x80//读 #define READ_BURST 0xC0//连续读 #define BYTES_IN_RXFIFO 0x7F //接收缓冲区的有效字节数 #define CRC_OK 0x80 //CRC校验通过位标志 //************CC1100接口*************** sbit GDO0=P3^3;

[单片机]

STM8单片机的中断优先级

STM8S的中断由中断控制器(ITC)控制。STM8所有IO都支持中断,分为PA~PE 5个组,每组IO对应一个中断服务函数(也就是每组IO只有一个向量)。STM8没有专门的中断状态寄存器,所以只能通过刚进入中断就读取IDR来判断,不过在某些情况下,此种方法就不好用了，所以在设计的时候就要考虑清楚,是不是会冲突.最好把有冲突的中断放到不同的组。 STM8的外部中断采用软件优先级+硬件优先级的控制方法，来控制优先级分组.软件优先级优先于硬件优先级。硬件优先级由向量号确定,向量号越小,优先级越高如下面图中断映射，中断向量表。 STM8软件优先级设置可以分为4个等级(0~3),实际上可设置的就三个等级:1~3。优先级顺序:0 1

[单片机]

GD32 MCU上电跌落导致启动异常如何解决

大家是否碰到过MCU上电过程中存在电源波动或者电压跌落导致MCU启动异常的问题？本视频将会为大家讲解可能的原因以及解决方法： GD32 MCU上下电复位波形如下图所示，上电过程中如果存在吃电的模块，比如wifi模块/4G模块/开启某块电路等，可能存在电源电压跌落的情况，此时若MCU在启动过程中可能会造成MCU加载代码异常，进而导致启动异常。电压跌落到POR和PDR之间会有可能出现启动异常，因为该段电压区间为非正常工作电压且不会发生PDR复位。解决方法上可以有以下两种：1、硬件整改上电波形，在VDD端增加电容，提升VDD的供电能力，进而降低电源波动；2、修改NRST引脚对应的RC阻容，调整MCU启动时间，避开电源电压跌落的

[单片机]

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播

基于STM32单片机的盆栽系统设计

设计资源 培训 开发板 精华推荐

设计资源培训开发板精华推荐