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Littelfuse推出了两个系列的0.5pF、12kV瞬态抑制二极管阵列
2016年7月29日,Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商,日前宣布推出了两个系列的瞬态抑制二极管阵列(SPA 二极管),旨在保护多种最新的高速接口不受静电放电(ESD)造成的损坏。
SP7538P
SP0544T
SP7538 P系列瞬态抑制二极管阵列集成了八个超低电容轨到轨二极管通道,并在 DFN-9封装中额外增加了一个齐纳二极管;SP0544T系列瞬态抑制二极管阵列具有类似的设计,但体积更小,集成了四个超低电容轨到轨二极管通道,而不是八个。 这两款功能强大的装置可安全地吸收超过IEC61000-4-2国际标准( 8kV接触放电)规定的最高等级的重复ESD震击,性能丝毫
[电源管理]
肖特基DC/DC转换器需二极管在电源管理中的应用分析
任何非同步直流/直流 转换器 都需要一个所谓的续流 二极管 。为了优化方案的整体效率,通常倾向于选择低正向电压的 肖特基 管。很多设计都采用一个 转换器 设计(网络) 工具推荐的 二极管 。这并非总是二极管的最优选择。更何况,如果设计工具不考虑热性能和漏电流之间的动态变化,则极有可能发生实际性能有别于设计工具的分析或模拟出的结果。本文将探讨一些在选择正确的二极管时应仔细考虑的典型参数,以及如何应用这些参数来快速确定选型的正确与否。 检查损耗 图1给出了非同步直流/直流降压 转换器 的基本框图。D1是所需的肖特基管。左侧是开关S1闭合时(时间为T1)的电流情况,右侧是开关S1打开时(时间为T2)的电流情况。 图1:非同步直
[电源管理]
晶体二极管工作原理
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
二极管的英文是diode。二极管的正.负二
[模拟电子]
CeraPad™ 集成 ESD 保护功能的超薄基板
• ESD 防护能力优于标准齐纳二极管的 3 倍 • 导热性超过传统载体的 3 倍 • 可针对标准 LED 元件定制芯片规格封装 2016 年 11 月 9 日 TDK 集团新近推出全新的超薄陶瓷基板 CeraPad™,其采用多层结构设计,并在其中集成了 ESD 保护功能,无需其它独立的 ESD 元件。这种创新的基板可满足极致微型化的需求,并且 还具有最佳的 ESD 保护功能,因此在敏感应用中可实现最大集成度的 ESD 保护。 CeraPad 陶瓷基板的 ESD 保护能力可达 25 kV,而目前最先进的齐纳二极管的标准保护能力 仅为 8 kV,CeraPad 陶瓷基板的 ESD 保护能力优于传统产品的 3 倍。此外
[电源管理]
2502型光电二极管计的功能及产品特点
2502型光电二极管计是专门针对激光二极管模块(LDM)的生产测试而设计的,极大增强了吉时利LIV(光-电流-电压)测试系统的产能。这款产品是与顶尖的LDM制造商的密切合作下,针对光纤通信网络而研发的,这款双通道仪器的特点在于能够与其他系统元件轻松同步,实现对光功率测量的密切控制。2502具有高速模拟输出端口,从而在LDM制造过程的光纤校准阶段支持LIV测试系统的使用。通过使用缓冲存储器和吉时利仪器特有的Trigger Link接口,2502能够为用户提供当前激光二极管模块LIV测试的最大产能。这些仪器的设计,极大地满足了二十四小时生产环境下连续工作对可靠性和可重复性的要求。 产品特点: 双通道仪表,用于光功率测量 光电探测器
[测试测量]
万用表如何测量二极管?
1、二极管的特性 二极管的英文是diode。二极管的正。负二个端子,(如图1)正端A称为阳极,负端B称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。 2、如何用万用表测量二极管的正负极 对半导体二极管政府极进行简易测试时,要选用万用表的欧姆档。测量方法如(图2、图3)所示。和万用表+输入相连的红表笔与表内电源的负极相通;而与万用表-输入端相连的黑表笔却与表内电源的正极相通。 测量的方法是先把万用表拨到“欧姆”档(通常用R 100或R 1K),然后用万用表分别接到二极管的两个极上去。当表内的电源使二极管处于正向接法时,二极管导通,阻值较小(几十欧到几千欧的范围),这就告诉我们黑表笔接触的时二极管的正极;红表笔接触
[测试测量]
罗姆开发出实现业界最小的低VF SiC肖特基势垒二极管
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部位于日本京都)面向太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路,开发出实现业界最小※正向电压(V F =1.35V)的第二代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基势垒二极管"SCS210AG/AM"(600V/10A)。 与传统产品相比,正向电压降低了10%,非常有助于各种设备实现更低功耗。生产基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县),从6月份开始出售样品 (样品价格500日元/个)并陆续量产。
※根据罗姆的调查(截至2012年6月7日)
近年来,在工业设备、太阳能电池、电动车以及铁路等电力电子技术领域,与Si元件相比,电力转换时损耗少
[电源管理]
高效率PFC电路二极管选择方案
PFC中二极管的新选择
在功率因数校正(PFC)电路中,600V升压二极管是关键元件,特别是工作在连续模式和苛刻开关条件下的PFC更是这样。在每一个开关周期,二极管的恢复电流流经MOS晶体管,这导致开关中高的"开关通导"功率损耗。对于这种应用,需要最快的600V二极管。
为了提高PFC的效率,通常的方法是把三个200V外延恢复二极管串联起来。这必须增加一个平衡网络(每一个二极管并联一个电容和一个电阻),以确保每一个二极管工作在其额定电压内。
ST Microelectronics公司提供一个新颖的解决方案:两个300V二极管串联在一起封装在绝缘的TO-220封装中构成600V
Tan
[电源管理]