具有平坦频率特性的±90度的移相电路

　　这款软开关电源采用了全桥变换器结构，使用MOSFET作为开关管来使用，参数为1000V/24A。采用移相ZVZCSPWM控制，即超前臂开关管实现 ZVS、滞后臂开关管实现ZCS。电路结构简图如图1，VT1~VT4是全桥变换器的四只MOSFET开关管，VD1、VD2分别是超前臂开关管VT1、VT2的反并超快恢复二极管，C1、C2分别是为了实现VTl、VT2的ZVS设置的高频，VD3、VD4是反向电流阻断二极管，用来实现滞后臂 VT3、VT4的ZCS，Llk为变压器漏感，Cb为阻断电容，T为主变压器，副边由VD5~VD8构成的高频整流电路以及Lf、C3、C4等滤波器件组成。 　　 电路原理： 当开关管VT1、VT4或VT2、VT

　　1 BST材料的特性 　　铁电材料钛酸锶钡(BST)具有低损耗角正切，高介电常数变化率，极化速度快，耐击穿电场大等优点。其相对介电常数具有随电场变化的非线性特性，即铁电体的非线性效应。 　　利用非线性效应，可以通过改变外加电场的电压以获得不同的介电常数值，从而实现微波相移。铁电材料的可调性对相移量产生影响，其可调性定义为： 　　△εr/εro　　　　 (1) 　　当电压Vo变到Vapp，△εro=εro-△εapp。 　　在设计移相器时，希望能得到尽可能高的电可调性和尽可能低的损耗。但采用BST材料时，高电可调性和低损耗互为矛盾，表现在两个方面。一是随着材料中Ba含量的提高，其电可调性增加，

1 概述 目前，我国的可控硅触发电路分为三类：第一类是模拟型。该类型是80年代初出现的专用集成触发电路产品，此类可控硅触发电路易受元件参数分散性、同步电压波形畸变、温度变化等因数影响，电路较为复杂，可靠性低，抗干扰性差，而且输出不稳定，装置功率大等缺点；第二类是可编程数字型。此类型采用单片机、CPLD等设计，采用编程设置同步和移相．但该类型触发电路具有电路规模较大，技术要求高，软件抗干扰能力差等缺点，而且不易实现小型化、小量产，限制了其广泛应用；第三类是采用数字移相的集成电路。该类触发电路克服了以上两类的一些缺点，大大提高了移相精度和对称度，且易于控制，提高电路的稳定性和可靠性。这里给出一款用于可控硅的集成电路数字控制

      由于开关电源是一个线性与非线性相结合的综合系统，给系统的动态研究和设计带来很多不便。本文主要是用状态空间平均法来进行建立模型，它是由美国加里福尼亚理工学院的R．D．MiddlebrOOk于1976年提出的。这种方法不仅简化了计算过程，使各种不同结构变换器的解析模型具有了统一的形式，而且操作性更强，工作人员仍可以用波德图(Bode Plot)或者奈奎斯特(Nyquist)定理来对系统进行系统稳定的判定。 1 建模       由于移相全桥变换器可由Buck变换器变化而来，首先根据Buck变换器的原理，采用状态空间平均法，建立Buck变换器的小信号模型。为简单起见，本文简化变换器，使其工作在理想状态，即状态转换是瞬

    高频感应加热设备，因容性工作状态时存在开关管硬开通、开关损耗大以及反并联的二极管有反向恢复等问题，严重时会损坏开关管，故逆变主电路通常工作在弱感性状态，即使输出电压的相位略超前于输出电流的相位。而且，反馈回路的各个芯片，在脉冲到来时都有一定的响应时间，使驱动芯片输出信号的相位必定滞后于采样信号的相位，因此必须在反馈回路中进行相位的超前、滞后调节，实现移相功能。     传统的移相方法是采用如RC或LC的模拟电路进行相位调节。这种移相电路是利用电阻两端的电压与输入电压同相位，而电容两端电压滞后于输入电压90°相位，电感两端电压超前输入电压90°相位的特性，通过选择不同的RC或LC值实现所需角度的相位超前、滞后调节。但电路中由于

KC04电路原理图