随机存取存储器

9.3.2 RAM的存储单元
一、静态随机存取存储器（SRAM）的存储单元电路
1．存储单元
2．列选择线Y和读／写控制电路
二、动态随机存取存储器 (DRAM)的存储单元电路

9.3.3 集成随机存储器2114A、2116介绍
一、集成静态存储器2114A
二、集成动态存储器2116

9.3.4 RAM的扩展
一、RAM的位扩展
二、RAM的字扩展
三、RAM的字、位扩展

9.3 随机存取存储器
9.3.1 RAM的基本结构和工作原理
优点：读写方便，使用灵活。
缺点：掉电丢失信息。

一、 RAM的结构和读写原理

9.3.2 RAM的存储单元
一、静态随机存取存储器（SRAM）的存储单元电路

1．存储单元
存储单元由V1～V6组成。两个稳定状态，分别存储数据1和0。
2．列选择线Y和读／写控制电路
图中V5、 V6为受列选择线Y控制的门控管，G4、G5和三态门G1～G3构成读／写控制电路。
当列选择线为低电子0时，V7、V8均截止，封锁了存储单元位线与输入/输出端的通路，使存储单元的数据不能读出，也不能被外信号改写。当列选线为高电平1时，V7、V8导通，对存储单元可进行读/写操作，由读/写控制电路和的状态控制
二、动态随机存取存储器 (DRAM)的存储单元电路
动态存储单元是由MOS管的栅极电容C和门控管组成的。数据以电荷的形式存储在栅极电容上，电容上的电压高表示存储数据1；电容没有储存电荷，电压为0，表明存储数据0。因存在漏电，使电容存储的信息不能长久保持，为防止信息丢失，就必须定时地给电容补充电荷，这种操作称为“刷新”，由于要不断地刷新，所以称为动态存储。
包括4管MOS动态存储单元电路和单管MOS动态存储单元等

9.3.3 集成随机存储器2114A、2116介绍
采用数字电路网络课程或PowerPoint
一、集成静态存储器2114A

Intel2114A是单片1 K×4位（即有1 K个字，每个字4位）的静态存储器（SRAM），它是双列直插18脚封装器件，采用5V供电，与TTL电平完全兼容。

二、集成动态存储器2116

Intel 2116单片16 K×1位动态存储器（DRAM），是典型的单管动态存储芯片。它是双列直插16脚封装器件，采用+12V和 5V三组电源供电，其逻辑电平与TTL兼容。

9.3.4 RAM的扩展 （采用数字电路网络课程或PowerPoint并进行讨论。）
当单片RAM不能满足存储容量的要求时，这时可把多个单片RAM进行组合，扩展成大容量存储器。
一、RAM的位扩展

二、RAM的字扩展
字扩展就是把几片相同RAM的数据线并接在一起作为共用输入输出端（即位不变），读/写控制线也接在一起，把地址线加以扩展，用扩展的地址线去控制各片RAM的片选线 。

三、RAM的字、位扩展
当RAM的位线和字线都需要扩展时，一般是先进行位扩展，然后再进行字扩展。