各种电容器的特性比较

    业界对大容量电容器的期待日益高涨。目前，作为蓄电器件开发锂离子充电电池的企业比较多，但因用途的不同，输出特性和充放电循环寿命存在极限。安全方面也有人表示担忧。 　　在电容器中，开发历史较长的是双电层电容器（EDLC）。日前记者就EDLC的行业动向，采访了曾经在松下从事过EDLC开发，现任电容器企业咨询顾问的西野敦（西野工程师事务所所长）。 ——请介绍一下大容量EDLC受到关注的原因。     主要原因在于最近几年频繁发生的各种充电电池起火事故。例如，从2011年开始，多次听到配备中国产锂离子充电电池的纯电动汽车（EV）起火的新闻——乘用车和巴士配备的锂离子充电电池突然起火，在路上就烧起来了。 　　这些火灾事

前言 近年来由于对LED的性能发展和节能的日益关注，LED被用于照明、超薄电视机的背光等等各种各样的用途，今后更有望作为各种设备的光源而被广泛应用。其中高亮度LED可用作为相机摄影用的光源。如今，像智能手机、数码相机、数码摄像机等便携式设备中都安装了高亮度的摄影用光源LED，作为动画摄影时的火炬之光以及静止摄影时的闪光被使用。由于LED今后性能的不断提高，可能会被更广泛的用于拍摄场景。 LED闪光及课题 LED具有这一特征，由控制通过的电流量及时间来调整其自身亮度。因此适用于拍摄场景，使得广泛应用静止摄影时的闪光和动态摄影时的火炬之光成为可能。 图1（左）为一般的LED闪光电路结构。LED的电源为电池，因此流入LED的

CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方式存贮并以电荷转移的方式顺序输出，需要专用的工艺制程实现；CIS图像感光单元为光电二极管，可在通用CMOS集成电路工艺制程中实现，除此之外还可将图像处理电路集成，实现更高的集成度和更低的功耗。 目前CCD几乎被日系厂商垄断，只有少数几个厂商例如索尼、夏普、松下、富士、东芝等掌握这种技术。CIS是90年代兴起的新技术，掌握该技术的公司较多，美国有OmniVision，Apti

产品用途 适用于进口、各厂家少油、多油、真空、六氟化氯（SF6）等高压开关的机械特性测试，亦适用于电磁动作类电器（如接触器、继电器等）的时间测试，自带操作电源。 工作条件 工作电压：AC220V±10% 频率：50HZ 功耗：≤60W 使用环境温度：0~40℃ 使用环境湿度：≤90%RH 体积：400×350×200（mm3） 重量：7kg 技术指标： 1、时间测量 时间测量范围：10ms-1000ms 同时可测量断口数：≤12个 测定过程整定时间：0~6秒 分辨率：0.1ms 2、开关开距、开关超行程、弹跳幅度测量 量程：＜500mm 分辨率：1mm 3、测量误差 时间测量误差：±1% 行程测量误差：±1%

TDK 集团针对 DC-LINK 应用推出了模块化且通用的电力电容器。该产品配合最新一代的 IGBT 模块，广泛适用于紧凑型铁路牵引变频器，可再生能源和工业领域的各种应用，深受广大用户青睐。 ModCap™ 采用并联的扁平容芯绕卷结构设计，并填充聚氨酯树脂。这种设计使其能尽可能靠近 IGBT 模块安装，最大限度缩短了引线。加上低至 14 nH 的超低自感，可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。所以，一般情况下就无需额外的缓冲电容器，从而能减小空间需求并降低新型变流器的设计成本。 该系列电容器采用双轴取向聚丙烯 (BOPP) 作为电介质，可实现长时间 90°C 热点温度，同时显著增强自愈性。借助仿真软件，

新的SmartFusion2 SoC FPGA和 IGLOO2 FPGA安全特性在器件、设计和系统层次上提升了主流应用的保护功能。 全球领先的功率、安全性、可靠性和性能差异化之半导体解决方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布提供新型超安全SmartFusion2® SoC FPGA和 IGLOO2® FPGA器件，它们在器件、设计和系统层次上的安全特性都比其他领先FPGA制造商更先进。新的数据安全特性现已成为美高森美主流SmartFusion2 SoC FPGA和 IGLOO2 FPGA器件的一部分，可让开发人员充分利用器件本身所具有的同级别器件中的

MAX31782基于高性能MAXQ20 16位微控制器核，具有超大容量的程序/数据闪存存储器和RAM数据存储器，为复杂系统的测量和控制提供完整的解决方案。 　　I/O资源包括温度和电压的高精度测量单元、PWM输出、时钟输入和GPIO，支持系统关键参数(例如：温度、电压、风扇速度和机箱介入等)的检测和控制。器件能够直接检测连接成二极管的晶体管远端温度传感器，通过片上I?C主机接口扩展外部数字温度传感器IC的数量。独立的I?C从机接口除了提供片上闪存的在系统编程加密保护外，还可以方便地与主处理器通信。 　　高度通用的C编译器和开发软件能够对闪存编程和通过JTAG口及相应的硬件进行在电路调试，简化了开发过程。

一、CIS技术背景介绍                                                                                 主要分为CCD图像传感器和CIS（CMOS）图像传感器。 1、CCD即电荷件（Charge-Coupled Device）的简称。 它由许多感光单位组成，通常以百万像素为单位。当CCD表面受到光线照射时，每个感光单位会将电荷反映在组件上，所有的感光单位所产生的加在一起，就构成了一幅完整的画面。 2、CIS即互补金属氧化物图像传感器（CMOS image sens）的简称。 CIS是一种，其功能是将光信号转换为电信号（