适合家庭影院的功率放大器

引言 　　现今对电子系统设备性能的要求越来越高，在权衡电子系统的性能和功耗时，电子系统的性能往往得到更多的重视。容量有限的电池是便携设备的惟一能量来源，而电池容量的提高速度明显赶不上中央处理器性能的提高速度，因此，如何利用有限的电能为便携设备提供最高性能，是便携设备中电源管理的主要目标。除此之外，电源管理还要兼顾稳定性和散热性。电源管理模块是在可编程电源管理的设备上，为电源管理提供实现各种功耗模式的应用编程接口的软件模块。 　　功率消耗有两种方式： 静态功耗和动态功耗。静态功耗主要为晶体管泄漏（leakage）功率；动态功耗则来源于电路有效性激活，例如地址线或者数据线输入时引起的寄存器线路的有效性激活。开关电容所消耗的

摘要：通过分析WCDMA系统下行中切换状态下的功率分配，在分析平衡和非平衡功率分配性能基础上，进行算法改进，并通过算法仿真阐述不同功率分配下产生的性能变化。 关键词：WCDMA 软切换 功率分析 1G和2G系统的主要任务是处理语音业务。随着移动通信业务的发展，文件传输、视频业务将成为将来业务的主流。为了稳定地处理多种业务，UMTS提出WCDMA技术。软切换是WCDMA的一项重要技术，它首先是在IS-95上提出。处在软切换的用户，移动台同时保持与两个以上激活集中基站通信。功率分配在WCDMA系统中有非常重要的意义，其目的是使系统能维持高质量的通信。本文通过分析WCDMA下行软切换的基于发射功率平衡的功率分配和非平衡的功率分配方

在测试系统问题中，被误解最多的就是接地。这里， 接地 定义为到接地端的连接。不过，许多人往往使用 接地 一词表示测试电路中源测量单元（SMU）的基准点。在本应用笔记中，这个基准点被称作 电路公共端 。 接地 为了安全，大部分系统都有一个接地点，以确保仪器或测试系统内的任何故障都不会使用户置身于触电危险之中。出于类似的原因，在高压系统中，导电测试夹具及其相关附件也必须与接地端连接。 电路公共端 为了获得精确的电源值和测量，确定电路公共端非常重要。当将多个电源与待测器件连接时，重要的是这些电源以同一点为基准，这样，待测器件的每个接线端才会获得期望的电压。具体实例参见图1。

　　１ 引言 　　作为接收机的第一级，ＬＮＡ的性能对整个接收机系统的性能起着至关重要的作用，因为整个系统的信噪比（ＳＮＲ）很大程度上取决于ＬＮＡ的噪声系数（ＮＦ）和增益。因此，设计性能良好的ＬＮＡ成为射频前端设计的重要目标。由于低噪声放大器的各个指标常常会发生矛盾，彼此不能兼顾，因此设计是在噪声系数、增益、稳定性、阻抗匹配以及线性范围等指标之间采取折中考虑。最近很多射频集成电路都是采用ＣＭＯＳ工艺来实现的，尤其是０.１８μｍ的ＣＭＯＳ工艺很适于集成的ＳＯＣ设计［１-２］。 　　目前最常见的输入匹配结构是源极电感负反馈结构，该结构有利于获得高增益和低噪声系数，但是存在较大的缺陷，即需要提供一个大感值的栅极电感（Ｌｇ）。在实际标准

Diodes 公司今日推出 AL1788，该公司为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品涵盖广泛领域，包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。这款高效能脱机恒定电压与 PFC 控制器结合具有低总谐波失真 (THD) 的高功率因子校正 (PFC) 与低待机功率，非常适合用于商用应用程序与连网照明需求。 AL1788 以同时支持返驰与降压拓扑的平台为基础，并且专为一次侧调节 (PSR) 而设计，无需来自二次侧的光学耦合反馈。因此它可提供优异的效能，例如最高达 91% 的效率、完整线路与负载调节范围 2% 的优良线路与负载调节，以及小于 0.2 瓦的低待机功率。 AL1788 凭借 0.9 的 PFC 以及较

这是基于MOSFET RFP50N06的功率逆变电路。逆变器能够处理高达 1000W 的负载，这取决于您的电源逆变器变压器。RFP50N06 Fets 的额定电流为 50 安培和 60 伏特。冷却 MOSFET 需要散热器。您可以添加一些并联连接的 MOSFET 以获得更多功率。建议在电源线上安装“保险丝”，并在通电时始终连接“负载”。 这种逆变电路的优点： 通过使用适当的变压器，可用于宽范围的电源电压。 通过使用适当的匝数比，可用于提供广泛的输出电压。 输出频率可调且稳定。 标准降压变压器（反向连接）可用于较低功率的公平结果。 通过添加“并行输出 Fets”和大型变压器，可以大大增加功率。 100W功率逆变器注意事项 该电路

能效十分重要。事实上，能效是很多新型汽车功率电子系统设计的主要考核指标之一。浪费的每瓦电力都可以换算为本应留在油箱中的一滴汽油，或者是从排气管中额外排放的一克二氧化碳。如今，油耗和碳排放都面临着日益提高的税收。汽车半导体供应商如何帮助客户实现更高的能效?在大学毕业设计中，我选择了8mΩ 30V Dpak来驱动一个H桥——这在当时被认为是一种“尖端”器件，但如今这样一种器件却十分平常。这种进步在很大程度上应归功于半导体技术的巨大进步，但 封装 技术发展如何呢? 应当牢记的是， 半导体 封装 是将一系列元件组合在电路中，电流必须不受限制地流过封装，热量必须导入冷却系统。因此，系统的鲁棒性取决于整个链条中最薄弱的环节。如果一只典型MOS